关于SLC nandflash 开关机200 次就有部分机器出现无法启动的问题

简单并快乐着 2012-09-21 09:51:55

加精

给机器做压力测试，写了一个软件开机启动生成10M 文件，然后删除，周而复始，一般做到200 次的时候，就有5% 的机器不能启动了，一般情况下是在OAL 之后，进入桌面之前挂掉了。一旦不能进入系统，每次都停留在那里。

不是所有机器都会出现，所以不知道啥原因，开始以为是nandflash 芯片质量问题，后来发现别的一款机器，采用同一个核心设计的，内存，处理器，和nand 都一样，却没出现。

请各位大大帮忙给点建议，到底是啥问题。谢谢！
分少，只能最大给100 分。嘿嘿。

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简单并快乐着 2012-11-26

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引用 100 楼 lqxandroid2012 的回复:

但是现在发现有些机器出现一次之后，重新刷机，然后不断重启，擦除 1000 次都没出现不启动的现象，太坑爹了！ write protect pin 接到CPU的 XnRESE 引脚，也没接上拉，现在严重怀疑是这个造成的。

当时 nand write protect pin 接到CPU的 XnRESE 引脚是考虑在CPU 在复位的时候，这个引脚会输出低电平，这个是不行的。测试过经常拉低，马上回出现这个不启动的现象。

简单并快乐着 2012-11-26

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但是现在发现有些机器出现一次之后，重新刷机，然后不断重启，擦除 1000 次都没出现不启动的现象，太坑爹了！ write protect pin 接到CPU的 XnRESE 引脚，也没接上拉，现在严重怀疑是这个造成的。

简单并快乐着 2012-11-26

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3. Review nand flash write protect pin. ——这个和老产品的确不同。现在正在修改测试多谢大家最近的建议，

dongrq2012 2012-11-05

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菜鸟路过拿积分

软箭攻城狮 2012-11-05

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做U盘的人就在这里。。。。你这个flash就是过不了老化测试的那一种。。。。（老化测试就是重复擦写读动作）

LAONINGA098 2012-11-02

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非常不错！

of123 2012-10-31

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不知道你的具体情况，大概说说：

1 使用 NAND FLASH 必须要配合 ECC 纠错，来解决它的位反转问题。一般来说，200 次不会造成坏块。所谓的“坏块”是指反转位超过了 Spec 的限定。一般地，SLC 的 ECC 纠错要求不高于 4-bit/512byte。标称的擦除循环次数大于 10000 次（品牌好的，实际次数远大于标称值）。

2 使用 NAND FLASH 需要有 FTL 管理层，而不是直接对物理地址读写。FTL 功能比较复杂，主要目的是减少对 FLASH 的擦除更新等处理，提高效率，同时对整个地址空间实现均衡损耗。这方面，你可以找一些资料来了解。

w234k234 2012-10-31