三级管驱动 MOS管在G极变成尖峰

erfanyemu 2016-03-04 12:40:59

我用一个NPN三级管驱动一颗NMOS 输入是PWM的方波如图怎么在MOS管的G极变成了尖波

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b841534931 2017-01-05

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楼主问题解决没有，最近我也遇到这个问题，搞了半个月了，还是没有头绪，想请教下解决的方法

jiayou0909 2016-03-14

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三极管3904有反相作用，pwm低时mos管的G极有高电平。你看到的尖峰就是由于mos管G极变高的过程慢了。 G极有寄生电容，10k的电阻来充电，使G极电平不能立即变高。三极管是电流驱动。MOS管是电压驱动。如果想快速通断，建议用图腾柱驱动（3904+3906）。百度一下。

用户　昵称 2016-03-14

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比较同意一楼，电流不够，低频还行，高了就不够了。

u013058504 2016-03-12

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可以看看你的电阻DR111是不是10k，如果没有问题，换个小一点的电阻。从测量曲线上来看，是MOSFET G极驱动能力不足造成的。尖刺是走线电感产生的。

一般认为MOSFET是电压驱动的，不需要驱动电流，然而，在MOSFET的GS两级之间有结电容存在，这个电容会让驱动MOS变的不那么简单。如果不考虑纹波和EMI的要求话，MOS管开关速度越快越好，因为开关时间越短，开关损耗越小，而在开关电源中开关损耗占总损耗的很大一部分，因此MOS管驱动电路的好坏直接决定了电源的效率。对于一个MOS管，如果把GS之间的电压从0拉到管子的开启电压所用的时间越短，那么MOS管开启的速度就会越快。与此类似，如果把MOS管的GS电压从开启电压降到0V的时间越短，那么MOS管关

一般认为MOSFET是电压驱动的，不需要驱动电流。然而，在MOS的G S两级之间有结电容存在，这个电容会让驱动MOS变的不那么简单。如果不考虑纹波和EMI等要求的话， MOS管 开关速度越快越好，因为开关时间越短，开关损耗越小，而在开关电源中开关损耗占总损耗的很大一部分，因此MOS管驱动电路的好坏直接决定了电源的效率。对于一个MOS管，如果把GS之间的电压从0拉到管子的开启电压所用的时...

一般认为MOSFET是电压驱动的，不需要驱动电流。然而，在MOS的G S两级之间有结电容存在，这个电容会让驱动MOS变的不那么简单。如果不考虑纹波和EMI等要求的话，MOS管开关速度越快越好，因为开关时间越短，开关损耗越小，而在开关电源中开关损耗占总损耗的很大一部分，因此MOS管驱动电路的好坏直接决定了电源的效率。对于一个MOS管，如果把GS之间的电压从0拉到管子的开启电压所用的时间越短，那么MOS管开启的速度就会越快。与此类似，如果把MOS管的GS电压从开启电压降到0V的时间越短，那么MOS管关断的

因为驱动线路走线会有寄生电感，而寄生电感和MOS管的结电容会组成一个LC振荡电路，如果直接把驱动芯片的输出端接到MOS管栅极的话，在PWM波的上升下降沿会产生很大的震荡，导致MOS管急剧发热甚至爆炸，一般的解决方法是在栅极串联10欧左右的电阻，降低LC振荡电路的Q值，使震荡迅速衰减掉。对于一个MOS管，如果把GS之间的电压从0拉到管子的开启电压所用的时间越短，那么MOS管开启的速度就会越快。与此类似，如果把MOS管的GS电压从开启电压降到0V的时间越短，那么MOS管关断的速度也就越快。

MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。在驱动电平处理比较好的驱动电路中，R3、C2是可以去掉的，这时需要调节R1使驱动波形不至于产生共振干扰，同时还要满足一定的驱动效果，比如合适功率管应力指标以及合适的功率管发热。如下图8中VT4管的存在是增加了MOS管栅极到低电平的回路，VT4可以选择三极管，但三极管的导通需要基极偏置，三极管不能工作完全饱和状态，抽取电荷的能力也是有限的。但桥式多管电压变换中驱动也是需要隔离的。

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