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使用FPGA操作nand flash rb信号一直不拉底,为什么???
a95586
2016-08-04 02:04:58
之前用的是镁光的NAND FLASH,换上东芝的后就工作不正常了镁光的型号是:29F4G08ABADA
东芝的型号是:TC58TEG5DCJTA00
两者有什么区别在控制器上????
换上东芝的flash之后 R/B信号一直为高,不拉底。。。
flash没有响应
想知道问题出在哪里?
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使用FPGA操作nand flash rb信号一直不拉底,为什么???
之前用的是镁光的NAND FLASH,换上东芝的后就工作不正常了镁光的型号是:29F4G08ABADA 东芝的型号是:TC58TEG5DCJTA00 两者有什么区别在控制器上???? 换上东芝的flash之后 R/B信号一直为高,不拉底。。。 flash没有响应 想知道问题出在哪里?
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a95586
2016-08-05
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外围电压,上下拉都没问题,在复位,和读ID时,R/B信号一直为高,不拉底,操作时序都是按照手册上来的
fly 100%
2016-08-04
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看一下工作电压,然后在比较一下是不是外围需要的上下拉是不是不一样
micron美光4GB
NAN
D
Flash
verilog仿真模型.rar
module
nan
d_model ( `ifdef T2B1C1D1 Ce2_n, `else `ifdef T2B2C1D1 Ce2_n,
Rb
2_n, `else `ifdef T2B2C2D2 Ce2_n,
Rb
2_n, Dq_Io2, Cle2, Ale2, Clk_We2_n, Wr_Re2_n, Wp2_n, `else `ifdef T4B4C2D2 Ce2_n, Ce3_n, Ce4_n,
Rb
2_n,
Rb
3_n,
Rb
4_n, Dq_Io2, Cle2, Ale2, Clk_We2_n, Wr_Re2_n, Wp2_n, `endif `endif `endif `endif Dq_Io, Cle, Ale, Clk_We_n, Wr_Re_n, Ce_n, Wp_n,
Rb
_n ); `include "
nan
d_parameters.vh" // Ports Declaration
嵌入式系统复习201806031
第3章 STM32微控制器及最小系统(1)STM32F103
rb
芯片的特点和资源 例如采用什么内核,是多少位,有哪些主要接口,
Flash
和RAM大致有多大。(2
看
nan
d
flash
原理图
NAN
D
Flash
原理图: 由
NAN
D
Flash
的原理图可以看出,做为一个存储芯片,只有I/O引脚,并没有地址引脚,怎么传地址?遵循一定的规范,先通过LDATA把地址传出去,再传数据。具体的需要查看芯片手册。 由图可知:IO0-IO7:既可传送数据也可传送地址,也可以送传命令(是读还是写,还是擦除),怎么区分IO0-IO7传送的是数据?地址?命令? 需要通过CLE与ALE的状态来区分。 假...
三十五.
Nan
d
flash
的
操作
1.
nan
d
flash
就是嵌入式系统的硬盘 2.分类 (1)MLC:存储单元格存储两位,慢,偏移,寿命短,容量大 (2)SLC:存储一位。快,寿命长,容量小,昂贵 3访问; (1)独立编址,有专用的控制器,控制器里有相应的寄存器,先送地址,然后命令,最后数据 (2)地址组成:行地址(页编号),列地址(在页中的偏移),一个
nan
d可以有很多块,每一块可以很多页,每
imx6q uboot
nan
d
flash
支持
board/freescale/mx6qsabresd.c增加#ifdef CONFIG_
NAN
D_MXS static iomux_v3_cfg_t gpmi_pads[] = { MX6_PAD_
NAN
DF_CLE__
NAN
D_CLE | MUX_PAD_CTRL(GPMI_PAD_CTRL2), MX6_PAD_
NAN
DF_ALE__
NAN
D_ALE | MUX_PAD_CTRL(GPM...
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