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三极管iceo与pnp和npn有关系吗
m0_37163288
2017-03-04 05:13:12
三极管的穿透电流Iceo,不是指的基极B开路时,集电极到发射极间的反向截止电流吗?
但是他和三极管的pnp、npn有关系吗?
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三极管iceo与pnp和npn有关系吗
三极管的穿透电流Iceo,不是指的基极B开路时,集电极到发射极间的反向截止电流吗? 但是他和三极管的pnp、npn有关系吗? 谢谢你
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worldy
2017-03-06
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pnp、npn 都有Iceo指标, lceo产生原因:当Vce为正电压(NPN)或负电压(PNP),电势主要加在集电结上,这使得集电结反向偏置,从而会在集电结两端产生漂移电荷Qcb,飘移电荷漂移至基区使得基区电势提升。当电荷积累到一定程度,会使得发射结正向偏置电压高到足以导通发射结,此时发射区电子扩散至基区,(基区的部分空穴扩散至发射极在此忽略,不忽略也不影响最终关系)少部分电子与空穴复合,而大部分电子飘移至极电区,它们两之间的数量比近似为1:β。则有βQcb的电子穿越集电结。设这一过程用时为T 则Iceo=(1+β)Qcb/T,而飘移速率Qcb/T基本恒定,且等于lcbo。 所以lceo=(1+β)lcbo
uid123
2017-03-04
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去参考PN结http://baike.so.com/doc/5279502-5513669.html
如何
三极管
的检测方法与经验.doc
万用表电阻的量程一般选用R×100或R×1K挡,对于
PnP
管,黑表管接e极,红表笔接c极,对于
NPN
型
三极管
,黑表笔接c极,红表笔接e极。要求测得的电阻越大越好。e-c间的阻值越大,说明管子的
ICE
O越小;反之,所测阻值越小,说明被测管的
ICE
O越大。 1中、小功率
三极管
的检测A已知型号和管脚排列的
三极管
,可按下述方法来判断其性能好坏 (a)测量极间电阻。将万用表置于R×100或R×1K挡,按照红、黑表笔的六种不同接法进行测试。其中,发射结和集电结的正向电阻值比较低,其他四种接法测得的电阻值都很高,约为几百千欧至无穷大。但不管是低阻还是高阻,硅材料
三极管
的极间电阻要比锗材料
三极管
的极间电阻大得多。 (b)
三极管
的穿透电流
ICE
O的数值近似等于管子的倍数β和集电结的反向电流ICBO的乘积。ICBO随着环境温度的升高而增长很快,ICBO的增加必然造成
ICE
O的增大。而
ICE
O的增大将直接影响管子工作的稳定性,所以在使用中应尽量选用
ICE
O小的管子。
三极管
的检测方法简介
三极管
的检测方法简介 1 中、小功率
三极管
的检测A 已知型号和管脚排列的
三极管
,可按下述方法来判断其性能好坏(a) 测量极间电阻。将万用表置于R×100或R×1k挡,按照红、黑表笔的六种不同接法进行测试。其中,发射结和集电结的正向电阻值比较低,其他四种接法测得的电阻值都很高,约为几百千欧至无穷大。但不管是低阻还是高阻,硅材料
三极管
的极间电阻要比锗材料
三极管
的极间电阻大得多。(b)
三极管
的穿透电流
ICE
O的数值近似等于管子的倍数β和集电结的反向电流ICBO的乘积。ICBO随着环境温度的升高而增长很快,ICBO的增加必然造成
ICE
O的增大。而
ICE
O的增大将直接影响管子工作的稳定性,所以在使用中应尽量选用
ICE
O小的管子。通过用万用表电阻直接测量
三极管
e-c极之间的电阻方法,可间接估计
ICE
O的大小,具体方法如下:万用表电阻的量程一般选用R×100或R×1k挡,对于
PNP
管,黑表管接e极,红表笔接c极,对于
NPN
型
三极管
,黑表笔接c极,红表笔接e极。要求测得的电阻越大越好。e-c间的阻值越大,说明管子的
ICE
O越小;反之,所测阻值越小,说明被测管的
ICE
O越大。一般说来,中、小功率硅管
PNP
、
NPN
三极管
PNP
与
NPN
三极管
的原理作用以及二者的不同
功放管php和
NPN
的区别,一张图搞懂
PNP
型和
NPN
型
三极管
区别
晶体
三极管
也是用半导体材料制成的,由于结构不同分为
PNP
型和
NPN
型两大类。
三极管
的文字符号是V。常用的
三极管
的外形和图形符号如图。晶体
三极管
的三个极,分别称为基极(b)、集电极(c)和发射极(e)。发射极上的箭头表示流过
三极管
的电流方向。可见两类
三极管
中电流的流向是相反的。晶体
三极管
在电路中具有放大作用和开关作用。我们使用晶体
三极管
在电路中放大微弱的信号电流或制成自动开关,控制用电器的通断。晶体...
电子元器件选型——
三极管
BJT/Bipolar Junction Transistor双极性晶体管,
三极管
管子类型:
NPN
还是
PNP
集电极-发射极最大电压VCEO,40V【集电结允许的最高反向电压】 集电极-基极最大电压VCBO,40V【集电结允许的最高反向电压】 发射极-基极最大电压,6V【发射结允许的最高反向电压】 功率耗散(功耗)Pd,330mW 最大集电极电流 IcM,100mA 集电极-发射极饱和电压200mV【饱和导通时CE 间电压,放大导通时CE间电压更大】 基极-发射极开启电压 工作温度范
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