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三极管iceo与pnp和npn有关系吗
m0_37163288
2017-03-04 05:13:12
三极管的穿透电流Iceo,不是指的基极B开路时,集电极到发射极间的反向截止电流吗?
但是他和三极管的pnp、npn有关系吗?
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三极管iceo与pnp和npn有关系吗
三极管的穿透电流Iceo,不是指的基极B开路时,集电极到发射极间的反向截止电流吗? 但是他和三极管的pnp、npn有关系吗? 谢谢你
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worldy
2017-03-06
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pnp、npn 都有Iceo指标, lceo产生原因:当Vce为正电压(NPN)或负电压(PNP),电势主要加在集电结上,这使得集电结反向偏置,从而会在集电结两端产生漂移电荷Qcb,飘移电荷漂移至基区使得基区电势提升。当电荷积累到一定程度,会使得发射结正向偏置电压高到足以导通发射结,此时发射区电子扩散至基区,(基区的部分空穴扩散至发射极在此忽略,不忽略也不影响最终关系)少部分电子与空穴复合,而大部分电子飘移至极电区,它们两之间的数量比近似为1:β。则有βQcb的电子穿越集电结。设这一过程用时为T 则Iceo=(1+β)Qcb/T,而飘移速率Qcb/T基本恒定,且等于lcbo。 所以lceo=(1+β)lcbo
uid123
2017-03-04
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去参考PN结http://baike.so.com/doc/5279502-5513669.html
如何
三极管
的检测方法与经验.doc
万用表电阻的量程一般选用R×100或R×1K挡,对于
PnP
管,黑表管接e极,红表笔接c极,对于
NPN
型
三极管
,黑表笔接c极,红表笔接e极。要求测得的电阻越大越好。e-c间的阻值越大,说明管子的
ICE
O越小;反之,所测阻值越小,说明被测管的
ICE
O越大。 1中、小功率
三极管
的检测A已知型号和管脚排列的
三极管
,可按下述方法来判断其性能好坏 (a)测量极间电阻。将万用表置于R×100或R×1K挡,按照红、黑表笔的六种不同接法进行测试。其中,发射结和集电结的正向电阻值比较低,其他四种接法测得的电阻值都很高,约为几百千欧至无穷大。但不管是低阻还是高阻,硅材料
三极管
的极间电阻要比锗材料
三极管
的极间电阻大得多。 (b)
三极管
的穿透电流
ICE
O的数值近似等于管子的倍数β和集电结的反向电流ICBO的乘积。ICBO随着环境温度的升高而增长很快,ICBO的增加必然造成
ICE
O的增大。而
ICE
O的增大将直接影响管子工作的稳定性,所以在使用中应尽量选用
ICE
O小的管子。
三极管
的检测方法简介
三极管
的检测方法简介 1 中、小功率
三极管
的检测A 已知型号和管脚排列的
三极管
,可按下述方法来判断其性能好坏(a) 测量极间电阻。将万用表置于R×100或R×1k挡,按照红、黑表笔的六种不同接法进行测试。其中,发射结和集电结的正向电阻值比较低,其他四种接法测得的电阻值都很高,约为几百千欧至无穷大。但不管是低阻还是高阻,硅材料
三极管
的极间电阻要比锗材料
三极管
的极间电阻大得多。(b)
三极管
的穿透电流
ICE
O的数值近似等于管子的倍数β和集电结的反向电流ICBO的乘积。ICBO随着环境温度的升高而增长很快,ICBO的增加必然造成
ICE
O的增大。而
ICE
O的增大将直接影响管子工作的稳定性,所以在使用中应尽量选用
ICE
O小的管子。通过用万用表电阻直接测量
三极管
e-c极之间的电阻方法,可间接估计
ICE
O的大小,具体方法如下:万用表电阻的量程一般选用R×100或R×1k挡,对于
PNP
管,黑表管接e极,红表笔接c极,对于
NPN
型
三极管
,黑表笔接c极,红表笔接e极。要求测得的电阻越大越好。e-c间的阻值越大,说明管子的
ICE
O越小;反之,所测阻值越小,说明被测管的
ICE
O越大。一般说来,中、小功率硅管
PNP
、
NPN
三极管
PNP
与
NPN
三极管
的原理作用以及二者的不同
功放管php和
NPN
的区别,一张图搞懂
PNP
型和
NPN
型
三极管
区别
晶体
三极管
也是用半导体材料制成的,由于结构不同分为
PNP
型和
NPN
型两大类。
三极管
的文字符号是V。常用的
三极管
的外形和图形符号如图。晶体
三极管
的三个极,分别称为基极(b)、集电极(c)和发射极(e)。发射极上的箭头表示流过
三极管
的电流方向。可见两类
三极管
中电流的流向是相反的。晶体
三极管
在电路中具有放大作用和开关作用。我们使用晶体
三极管
在电路中放大微弱的信号电流或制成自动开关,控制用电器的通断。晶体...
三极管
这里记住符号看箭头,都是从P到N的,E极为N就是
NPN
型,反之
PNP
型。记住
NPN
的结构发射区的N多子浓度高,基极多子浓度低,很薄,集电区面积大,但是多子浓度不高!!! 这幅图是重点。首先我们知道晶体管发放大原理是发射结正偏,集电结反偏(
NPN
)。所以当基极加上一个正电压时,发射结导通,发射区的多子浓度高流向基区,也就是扩散运动。同时基区的多子空穴与扩散来的自由电子复合,又因为VCC的正电压导...
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