英特尔将发布45nm CMOS工艺SRAM芯片

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英特尔将在ISSCC 2008上发布采用45nm高-k金属栅极的SRAM，主要用于新一代“Core2”微处理器二次缓存。会上的演讲的题目为“A 153Mb SRAM Design with Dynamic Stability Enhancement and Leakage Reduction in 45nm High-K Metal-Gate CMOS Technology”。

　　即将发布的SRAM电源电压为1.1V时，工作频率为3.5GHz。通过对单元的PMOS晶体管进行动态体偏压(body bias)控制，提高SRAM单元的稳定性，同时依靠可编程控制漏电电流。

　　在65nm的LSI之前，逻辑LSI厂商的晶体管栅极绝缘膜一直采用SiON系材料等。但是工艺微细化发展到45nm之后，人们越来越担心在栅极绝缘膜厚度日趋减小的同时，漏电流也会猛增。通过采用high-k绝缘膜，可以减小漏电流，提高LSI的性能。

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补充：

第55届ISSCC会议(ISSCC2008)将在明年2月3~7日在旧金山举行。清华大学微电子学研究所所递交的一篇有关PLL的论文入选。

　　论文名为“A 1GHz Fractional-N PLL Clock Generator with Low-OSR ΔΣ Modulation and FIR-Embedded Noise Filtering”。据ISSCC资料显示，该论文利用0.18um CMOS工艺实现了1ppm频率精度的分数分频PLL时钟发生器。混合FIR噪声滤出技术的采用使得带外的量化误差被压至新低，从而实现了低过采样率ΔΣ调制。