赚分，速结

jsnjfzm 2008-11-06 08:09:16

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cqsxdb 2008-11-06

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结温（Junction Temperature）　　结温是处于电子设备中实际半导体芯片（晶圆、裸片）的最高温度。它通常高于外壳温度和器件表面温度。结温可以衡量从半导体晶圆到封装器件外壳间的散热所需时间以及热阻。最高结温（Maximum junction temperature），器件结温越低越好　　最高结温会在器件的datasheet数据表中给出，可以用来计算在给定功耗下器件外壳至环境的热阻。这可以用来选定合适的散热装置。如果器件结温超过最高工作温度，器件中的晶体管就可能会被破坏，器件也随即失效，

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二极管知识总结与 pn结变窄变宽的原因 1. 价电子: 每一个原子可的电特性以分成3部分, 或称为三层轨道: (1) 原子核: 例如铜原子有29个质子,带29个正电荷 (2) 内层轨道: 接近原子核的电子,铜原子有28个,原子核对这些电子的吸引力很强,当我们把内层轨道和质子视为一体时,铜原子就是+1的净电荷 (3) 价带轨道: 最外层的轨道, 原子核对轨道上的电子吸引力最弱, 这就是自由电子的来源, 在这个轨道上的电子称为价电子, 铜原子有1个价电子 2. 价电子与导电性: 良导体有1个价电.

PN结与二极管的特性1. PN结的伏安特性2. PN结的电容效应3. 半导体二极管 1. PN结的伏安特性 a) 正向特性：在前面已经论述，注意存在一个死区（正向在外加电压时电流不变的那一段）。 b) 反向特性：当PN结在外加反向电压的时，会有一个反向饱和电流I，该反向电流，锗管比硅管大，当反向电压越来越大的时候，电流也会急剧增大，这个现象就是反向击穿。 c) 反向击穿：当PN结在外加反向电压的时，会有一个反向饱和电流I，该反向电流，锗管比硅管大，当反向电压越来越大的时候，电流

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