双通道DDR是不是应该同时插两条

Song 2003-04-21 10:35:45

nForce2主板支持双通道DDR400，里面有三条内存槽，一条单独的，两条一对的。
如果我想把内存带宽用到最大，是不是应该同时使用两条DDR400插到那一对内存槽中？如果是，那两条内存的大小是不是也应该相同？
如果我以后想再加内存，怎么办？如果加在那条单独的插槽中，是不是上不了双通道？

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sky_xp 2003-04-21

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是的，必须用两根

zwwzy 2003-04-21

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没用过nForce2
不过我想应该假内存来回路

wy2001wy 2003-04-21

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没听说，应该是不用吧，不过我最近说什么好像都不太有准，还是听听别人怎么说吧

项目花园范德彪 2003-04-21

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可惜的是，只能放两条，一模一样的，

但是，NFORCE的内存，两种方式，下，都很快，
！

比KT400，快很多！

项目花园范德彪 2003-04-21

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不会吧，
这么EASY的问题，

不是写着呢么？？

两个色彩的，一样一条，
就是双通道！

Song 2003-04-21

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如果我以后想再加内存，怎么办？

回炉重造，学习编程中。。。 2003-04-21

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不太清楚，没用这内存，我想应该是吧，你还是用ｇｏｏｇｌｅ搜索一下吧

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宠辱不惊，坐看庭前花开花落；
去留无意，漫随天上云卷云舒；

如果问题解决，请尽快结贴，多谢合作！^_^
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1、为啥内存不是双通道? 首先通常情况下，要开启双通道内存模式，至少两条内存的容量和频率必须一致，而不少本本族在升级内存时，并没有考虑这个问题。比如同样是1GB内存，标配的为三星DDR2 533，而升级后的为现代DDR2 667，这显然无法开启双通道模式，难道还得花钱再买一条内存吗? 2、双通道激活思路内存参数被写入了内存SPD芯片里，然后由主板BIOS来读取，从而判断是否为双通道模式，而内存SPD信息是可修改的，如果用软件把两条内存的SPD 信息改为一样，不就可骗过主板BIOS，从而激活内存双通道模式吗?

DDR2Layout指导手册 DDR布线通常是一款硬件产品设计中的一个重要的环节，也正是因为其重要性，网络上也有大把的人在探讨DDR布线规则，有很多同行故弄玄虚，把DDR布线说得很难，我在这里要反其道而行之，讲一讲DDR布线最简规则与过程。如果不是特别说明，每个步骤中的方法同时适用于DDR1，DDR2和DDR3。PCB设计软件以Cadence Allgro 16.3为例。第一步，确定拓补结构（仅在多片DDR芯片时有用）首先要确定DDR的拓补结构，一句话，DDR1/2采用星形结构，DDR3采用菊花链结构。拓补结构只影响地址线的走线方式，不影响数据线。以下是示意图。 DDR-Topology 星形拓补就是地址线走到两片DDR中间再向两片DDR分别走线，菊花链就是用地址线把两片DDR“串起来”，就像羊肉串，每个DDR都是羊肉串上的一块肉，哈哈，开个玩笑。 YangRouChuan 第二步，元器件摆放确定了DDR的拓补结构，就可以进行元器件的摆放，有以下几个原则需要遵守：原则一，考虑拓补结构，仔细查看CPU地址线的位置，使得地址线有利于相应的拓补结构原则二，地址线上的匹配电阻靠近CPU 原则三，数据线上的匹配电阻靠近DDR 原则四，将DDR芯片摆放并旋转，使得DDR数据线尽量短，也就是，DDR芯片的数据引脚靠近CPU 原则五，如果有VTT端接电阻，将其摆放在地址线可以走到的最远的位置。一般来说，DDR2不需要VTT端接电阻，只有少数CPU需要；DDR3都需要VTT端接电阻。原则六，DDR芯片的去耦电容放在靠近DDR芯片相应的引脚以下是DDR2的元器件摆放示意图（未包括去耦电容），可以很容易看出，地址线可以走到两颗芯片中间然后向两边分，很容易实现星形拓补，同时，数据线会很短。 DDR2-Placement 以下是带有VTT端接电阻的DDR2元器件摆放示意图，在这个例子中，没有串联匹配电阻，VTT端接电阻摆放在了地址线可以到达的最远距离。 DDR2-Placement-VTT 以下是DDR3元器件摆放示意图，请注意，这里使用的CPU支持双通道DDR3，所以看到有四片（参考设计是8片）DDR3，其实是每两个组成一个通道，地址线沿着图中绿色的走线传递，实现了菊花链拓补。地址线上的VTT端接电阻摆放在了地址线可以到达的最远的地方。同样地，数据线上的端接电阻也放置在了靠近DDR3芯片的位置，数据线到达CPU的距离很短。同时，可以看到，去耦电容放置在了很靠近DDR3相应电源引脚的地方。 DDR3-Placement 第三步，设置串联匹配电阻的仿真模型摆放完元器件，建议设置串联匹配电阻的仿真模型，这样对于后续的布线规则的设置是有好处的。点击AnalyzeSI/EMI SimModel Assignment，如下图。 Model-Assigment 然后会出来Model Assignment的界面，如下图 Model-Assigment-Menu 然后点击需要设置模型的器件，通常就是串联匹配电阻，分配或创建合适的仿真的模型，如果不知道如何创建，请在互联网上搜索或发邮件给正旗通信（Zencheer Studio）。 Model-Assigment-Select 分配好仿真模型之后的网络，使用Show Element命令，可以看到相关的XNET属性，如下图。 XNET-Show-Element 第四步，设置线宽与线距 1. DDR走线线宽与阻抗控制密切相关，经常可以看到很多同行做阻抗控制。对于纯数字电路，完全有条件针对高速线做单端阻抗控制；但对于混合电路，包含高速数字电路与射频电路，射频电路比数字电路要重要的多，必须对射频信号做50欧姆阻抗控制，同时射频走线不可能太细，否则会引起较大的损耗，所以在混合电路中，本人往往舍弃数字电路的阻抗控制。到目前为止，本人设计的混合电路产品中，最高规格的DDR是DDR2-800，未作阻抗控制，工作一切正常。 2. DDR的供电走线，建议8mil以上，在Allegro可以针对一类线进行物理参数的同意设定，我本人喜欢建立PWR-10MIL的约束条件，并为所有电源网络分配这一约束条件，如下图。 PWR-10MIL 3. 线距部分主要考虑两方面，一是线-线间距，建议采用2W原则，即线间距是2倍线宽，3W很难满足；二是线-Shape间距，同样建议采用2W原则。对于线间距，也可以在Allegro中建立一种约束条件，为所有DDR走线（XNET）分配这样的约束条件，如下图。 DDR-2W 4. 还有一种可能需要的规则，就是区域规则。Allegro中默认的线宽线距都是5mil，在CPU引脚比较密集的时候，这样的规则是无法满足的，这就需要在CPU或DDR芯片周围设定允许小间距，小线宽的区域规则，如下图。 region-rule 第五步，走线走线就需要注意的内容比较多，这里只做少许说明。所有走线尽量短走线不能有锐角尽量少打过孔保证所有走线有完整的参考面，地平面或这电源平面都可以，对于交变信号，地与电源平面是等电位的尽量避免过孔将参考面打破，不过这在实际中很难做到走完地址线和数据后，务必将DDR芯片的电源脚，接地脚，去耦电容的电源脚，接地脚全部走完，否则在后面绕等长时会很麻烦的下图是完成的DDR走线，但尚未绕等长。 DDR-Route-Done 第六步，设置等长规则对于数据线，DDR1/2与DDR3的规则是一致的：每个BYTE与各自的DQS，DQM等长，即DQ0:7与DQS0，DQM。等长，DQ8:15与DQS1，DQM1等长，以此类推。 DDR2数据线等长规则举例 DDR2-Data-Rule DDR3数据线等长规则举例 DDR3-Data-Rule 地址线方面的等长，要特别注意，DDR1/2与DDR是很不一样的。对于DDR1/2，需要设定每条地址到达同一片DDR的距离保持等长，如下图。 DDR2-Address-Rule 对于DDR3，地址线的等长往往需要过孔来配合，具体的规则均绑定在过孔上和VTT端接电阻上，如下图。可以看到，CPU的地址线到达过孔的距离等长，过孔到达VTT端接电阻的距离也等长。 DDR3-Address-Rule 补充一点，很多时候，地址线的等长要求不严格，这一点我还没有尝试过。在本人设计的这些产品中，地址线，数据线都做了25mil的Relative Propagation Delay的等长规则设定。关于等长规则设定的细节在这里不再赘述，有兴趣的话，可以发邮件给正旗通信（Zencheer Studio）。第七步，绕等长完成等长规则的设定后，最后一步也是工作量最大的一步：绕等长。在这一步，我认为只有一点规则需要注意：尽量采用3倍线宽，45度角绕等长，如下图。 Routing-Tunning 绕等长完成后，最好把DDR相关网络锁定，以免误动。 DDR-Layout-Example 到这里，DDR走线就已经完成了，在本人设计过的三，四十种产品中，都是按照上面的规则与过程完成的，DDR2最高规格是DDR2-800，512MB，DDR3最高规格是DDR3-1600，1GB，都可以很稳定的工作，无论性能还是可靠性，都未曾出过问题。写下你的评论… 发表评论 DDR内存的布线经验 daniel117daniel1172013-12-03 14:32:361395 目前的嵌入式系统中普通使用DDR内存，有些可以支持DDR2内存，这些系统中PCB LAYOUT成为很关键的环节。LAYOUT不好可能造成系统远行不稳定甚至无法跑起来。以下是本人做硬件设计中的一点经... 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DDR走线线宽与阻抗控制密切相关，经常可以看到很多同行做阻抗控制。对于纯数字电路，完全有条件针对高速线做单端阻抗控制；但对于混合电路，包含高速数字电路与射频电路，射频电路比数字电路要重要的多，必须对射频信号做50欧姆阻抗控制，同时射频走线不可能太细，否则会引起较大的损耗，所以在混合电路中，本人往往舍弃数字电路的阻抗控制。到目前为止，本人设计的混合电路产品中，最高规格的DDR是DDR2-800，未作阻抗控制，工作一切正常。 2. DDR的供电走线，建议8mil以上，在Allegro可以针对一类线进行物理参数的同意设定，我本人喜欢建立PWR-10MIL的约束条件，并为所有电源网络分配这一约束条件，如下图。 PWR-10MIL 3. 线距部分主要考虑两方面，一是线-线间距，建议采用2W原则，即线间距是2倍线宽，3W很难满足；二是线-Shape间距，同样建议采用2W原则。对于线间距，也可以在Allegro中建立一种约束条件，为所有DDR走线（XNET）分配这样的约束条件，如下图。 DDR-2W 4. 还有一种可能需要的规则，就是区域规则。Allegro中默认的线宽线距都是5mil，在CPU引脚比较密集的时候，这样的规则是无法满足的，这就需要在CPU或DDR芯片周围设定允许小间距，小线宽的区域规则，如下图。 region-rule 第五步，走线走线就需要注意的内容比较多，这里只做少许说明。所有走线尽量短走线不能有锐角尽量少打过孔保证所有走线有完整的参考面，地平面或这电源平面都可以，对于交变信号，地与电源平面是等电位的尽量避免过孔将参考面打破，不过这在实际中很难做到走完地址线和数据后，务必将DDR芯片的电源脚，接地脚，去耦电容的电源脚，接地脚全部走完，否则在后面绕等长时会很麻烦的下图是完成的DDR走线，但尚未绕等长。 DDR-Route-Done 第六步，设置等长规则对于数据线，DDR1/2与DDR3的规则是一致的：每个BYTE与各自的DQS，DQM等长，即DQ0:7与DQS0，DQM。等长，DQ8:15与DQS1，DQM1等长，以此类推。 DDR2数据线等长规则举例 DDR2-Data-Rule DDR3数据线等长规则举例 DDR3-Data-Rule 地址线方面的等长，要特别注意，DDR1/2与DDR是很不一样的。对于DDR1/2，需要设定每条地址到达同一片DDR的距离保持等长，如下图。 DDR2-Address-Rule 对于DDR3，地址线的等长往往需要过孔来配合，具体的规则均绑定在过孔上和VTT端接电阻上，如下图。可以看到，CPU的地址线到达过孔的距离等长，过孔到达VTT端接电阻的距离也等长。 DDR3-Address-Rule 补充一点，很多时候，地址线的等长要求不严格，这一点我还没有尝试过。在本人设计的这些产品中，地址线，数据线都做了25mil的Relative Propagation Delay的等长规则设定。关于等长规则设定的细节在这里不再赘述，有兴趣的话，可以发邮件给正旗通信（Zencheer Studio）。第七步，绕等长完成等长规则的设定后，最后一步也是工作量最大的一步：绕等长。在这一步，我认为只有一点规则需要注意：尽量采用3倍线宽，45度角绕等长，如下图。 Routing-Tunning 绕等长完成后，最好把DDR相关网络锁定，以免误动。 DDR-Layout-Example 到这里，DDR走线就已经完成了，在本人设计过的三，四十种产品中，都是按照上面的规则与过程完成的，DDR2最高规格是DDR2-800，512MB，DDR3最高规格是DDR3-1600，1GB，都可以很稳定的工作，无论性能还是可靠性，都未曾出过问题。写下你的评论… 发表评论 DDR内存的布线经验 daniel117daniel1172013-12-03 14:32:361395 目前的嵌入式系统中普通使用DDR内存，有些可以支持DDR2内存，这些系统中PCB LAYOUT成为很关键的环节。LAYOUT不好可能造成系统远行不稳定甚至无法跑起来。以下是本人做硬件设计中的一点经... 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DDR布局布线规则与实例【中为电子科技工作室】 2015年02月04日 20:584.21MB下载 DDR基础知识和PCB布线设计 2018年04月17日 00:00 六层DDR内存PCB layout 立即下载上传者: jokul_yin 时间: 2010-01-27 综合评分: 3 积分/C币:3 PCB布线设计经验谈-模拟和数字布线的异同立即下载上传... cpf099 关注原创 0 粉丝 0 喜欢 0 评论 0 等级： 1级,点击查看等级说明访问量： 3370 积分： 36 排名： 193万+ 博主最新文章更多文章 DDR Layout Guide-DDR内存布线指导文章分类文章存档 2016年7月2篇博主热门文章 DDR Layout Guide-DDR布线规则与过程 2725 DDR Layout Guide-DDR内存布线指导 629 联系我们客服请扫描二维码联系客服 webmaster@csdn.net 400-660-0108 QQ客服客服论坛关于招聘广告服务百度 ©1999-2018 CSDN版权所有京ICP证09002463号经营性网站备案信息网络110报警服务中国互联网举报中心北京互联网违法和不良信息举报中心 0

本期课程的主要目标是掌握汇编调用C语言、指令cache、关闭看门狗等，重点知识是代码重定位与链接脚本、DDR的初始化，并且将整个裸机程序重定位到DDR中。

DELL PowerEdge R710服务器支持 DDR3 的 DIMM (RDIMM) 或 ECC 非缓冲的 DIMM(UDIMM)。单列和双列 DIMM 可以是 1067 MHz 或 1333 MHz，四列DIMM 可以是 1067 MHz。 DELL PowerEdge R710服务器含 18 个内存插槽，分为两组，每组九个插槽，分别用于一个处理器。每组插槽（9 个）分为三个通道，每个通道有三个内存插槽。每个通道的第一个插槽上都标有白色释放拉杆。 DELL PowerEdge R710服务器支持的最大内存取决于所用的内存模块类型和大小：对于大小为 2-GB、4-GB 和 8-GB （如果有）的单列和双列RDIMM，支持的总量最大为 144 GB。对于四列 RDIMM （每个通道两个），支持的总量最大为 96 GB。对于 1 GB 和 2 GB 的 UDIMM，支持的最大总容量为 24 GB。内存一般安装原则为确保获得最佳系统性能，请在配置系统内存时遵守以下通用原则：注：未遵循这些原则的内存配置会导致系统在启动时停机，并且无任何系统消息的视频输出。不能混合安装 R

Asus/华硕 DSBV-DX-C 771针主板 S5000V 支持54 支持RAID 0.1.5 华硕DSBV-DX/C详细参数主板芯片集成芯片：显卡/网卡主芯片组：Intel 5000V 芯片厂商：Intel 芯片组描述：采用Intel 5000V＋6321ESB芯片组音频芯片：无图形芯片：集成XGI Z7 PCI显示控制器网络芯片：板载英特尔 6321+ 英特尔82563EB双千兆网卡 CPU规格适用平台：Intel平台 CPU种类：Core 2 Duo/Xeon CPU描述：支持双核英特尔至强处理器5000/5100系列，四核英特尔至强处理器5300系列处理器 CPU插槽：Socket 771 支持CPU数量：2 总线频率：FSB 1333MHz 内存规格内存类型：DDR2 内存描述：支持双通道DDR2 533/667内存扩展插槽显卡插槽：2条PCI-E 8X PCI插槽：1条PCI 插槽 IDE插槽：一个IDE插槽 FDD插槽：一个FDD，接软驱 SATA接口：6个SATAII接口，支持RAID 0、1、10，5 I/O接口 PS/2接口：PS/2鼠标，PS/2键盘接口并口串口：1个串口其他内部插口：2条 PCI-X插槽外接端口：音频接口/VGA接口板型主板板型：Micro ATX 外形尺寸：12”* 10.5" 其他特征其他特点：智能风扇：支持Smart Fan2、MemCool 支持机架式（机架式和塔式两用） ASWM2.0 其他参数超线程技术：支持硬件监控：CPU温度风扇转速电源插口：一个八针，一个24针电源接口

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