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急问:NMOS做开关,源极可否下拉电阻接地,导通时电压可以达到VDD=48V么
isolator
2009-05-14 03:35:14
如题,我想要用NMOS做快速开关,源极下拉电阻接地,漏极接VDD=+48V,导通时将源极电压拉至+48V,不知道可不可以实现
如果可以的话,下拉电阻大概应该是多少,多谢多谢
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急问:NMOS做开关,源极可否下拉电阻接地,导通时电压可以达到VDD=48V么
如题,我想要用NMOS做快速开关,源极下拉电阻接地,漏极接VDD=+48V,导通时将源极电压拉至+48V,不知道可不可以实现 如果可以的话,下拉电阻大概应该是多少,多谢多谢
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qjy_chess
2009-06-02
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NMOS管要导通的话,要求栅极电压要比源极电压高。你这是高侧开关用法,用PMOS管的话容易控制,否则要有复杂点的驱动电路
kingwu1234
2009-06-01
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对,下拉电阻一定要大
cbsqty
2009-05-20
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一般的mos 12v是可以的 ,但是每个mos都有本身的参数,你看看datasheet里面的VGS的要求才能确定。
isolator
2009-05-19
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如果用TPS2816是否可以驱动啊,vcc=12V
cbsqty
2009-05-14
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那要看你G端的电压是多少,如果Vgs不足以让MOS导通,那S端就不会有电压。
当然电阻接地时可以,当然电阻一定要大,不然会有电阻上会流比较大的电流从而造成浪费
硬件知识学习整理:(上拉,下拉),(三极管),(OC,OD,推挽输出),(
NMOS
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