MOS管作为电源开关如何使用？

[zteclx]

MOS管作为电源开关，控制给集成电路供电。漏极接电源，源极接到负载的VDD，通过栅极来控制。这样应用可以吗？
好像一般的应用是电源先接到负载的VDD，负载(我这儿的负载是集成电路)的低再接到MOS管的漏极，MOS管的源极接地。当然还是通过栅极加电压来控制。
还有应该在栅极和源极间加多大的电压MOS管材完全导通？导通时的漏-源极间压降世多大？

[zteclx]

能给出一个实例吗？电源电压是5V。

[guetcw]

P沟道的MOS管可以这样接，Vgs大于Vth就可以导通，漏-源极间压降要根据实际情况才确定，等于Vds=Rdson*Id

[guetcw]

一般低压管Vth是2V左右，P沟道的MOS管Rdson比较大，便宜的零点几欧，如果你的负载电流1A，那压降就是零点几伏。

[zteclx]

我看了一些介绍，好像还要用一个三极管来驱动P MOS管。直接用单片机的管脚来驱动不可以吗？

[qjy_chess]

一般来说，做电源开关的话，要用P－MOSFET管，容易驱动。

[qjy_chess]

　　如果电源开关的输入电源和单片机是一个，则单片机的IO可以直接控制，不必多加一个三极管。但如果要控制的电源是一个比单片机电源高的电源，则要多加一个三极管，真实的用意是电平转换

[zteclx]

是同一个电源，看来可以不用加三极管了。

[JLF8X]

我用了NMOS做电源通路上的开关，G作为控制端，D接负载负向端，负载正向端接24V电源，S接地，负载是一个电机，转速最大时所需的电源是24V/1.2A，换了各种型号的NMOS就是不行，电流永远达不到1.2A，测了一下VDS，也不过才0.25Ｖ，把供电都升到２６Ｖ了还是不行。开关控制的G端开启时的电压已经是12V了，不可能没有导通，问题出在哪了呢？