hcs08系列单片机flash模拟eeprom函数问题

[逸萌]

问题现象描述:
在网上下载了下面这段代码拷到freeScale MC9S08DZ60单片机中，可以实现存储功能。但2片单片机在车上连续跑了2个礼拜后，存储功能完全消失。存储功能一点都不能记忆。
怀疑点有：芯片资料要求flash的时钟要确保在150k~200kHz之间。因为之前调试时200kHz不能实现存储功能，所以设置为2M,这样设置当时记忆没有问题。但想来，可能是设置为2M这个地方，让flash 的eeprom区失效。请教原因
请高手指点，急！！！


例程
/**********************EEPROM.C***********************/
/********作者：sly *************版本：1.0.0********/


＃include <hidef.h> /* for EnableInterrupts macro */
＃include "derivative.h" /* include peripheral declarations */

#pragma DATA_SEG MY_ZEROPAGE
unsigned char RAM_CODE[60],pdata;
unsigned int faddr;


unsigned char Page_Erase(void)
{
static unsigned char * paddr;

if (FSTAT&0x10){ //Check to see if FACCERR is set
FSTAT = FSTAT | 0x10; //write a 1 to FACCERR to clear
}

paddr=(unsigned char *)faddr;
*paddr=0xff;
FCMD="0x40";
FSTAT = FSTAT | 0x80; //Put FCBEF at 1.
_asm NOP; //Wait 4 cycles
_asm NOP;
_asm NOP;
_asm NOP;
if (FSTAT&0x30){ //check to see if FACCERR or FVIOL are set
return 0xFF; //if so, error.
}
while ((FSTAT&0x40)==0){ } //else wait for command to complete

return 0x00;
}



unsigned char Program_Byte(void)
{
static unsigned char * paddr;

if (FSTAT&0x10){ //Check to see if FACCERR is set
FSTAT = FSTAT | 0x10; //write a 1 to FACCERR to clear
}

paddr=(unsigned char *)faddr;
*paddr=pdata;
FCMD="0x20";
FSTAT = FSTAT | 0x80; //Put FCBEF at 1.
_asm NOP; //Wait 4 cycles
_asm NOP;
_asm NOP;
_asm NOP;
if (FSTAT&0x30){ //check to see if FACCERR or FVIOL are set
return 0xFF; //if so, error.
}
while ((FSTAT&0x40)==0){ } //else wait for command to comple
return 0x00;
}


void write_eeprom(unsigned char *data,unsigned char length,unsigned int first_addr)
{
static unsigned char i;
static void (*funcPtr)();
static unsigned char *src,*dest;

funcPtr =Program_Byte;
i=60;
src= (unsigned char *) funcPtr;
dest= (unsigned char *)&RAM_CODE[0];
do {
*dest++ = *src++;
}
while(--i);

faddr="first"_addr;
for(i=0; i< length; i++)
{
pdata=*data++;
asm (jsr RAM_CODE ) ;
faddr++;
}
}

void erase(void) {

static unsigned char i;
static void (*funcPtr)();
static unsigned char *src,*dest;
funcPtr =Page_Erase;
src= (unsigned char *) funcPtr;
dest= (unsigned char *)&RAM_CODE[0];
i="60";
do{
*dest++ = *src++;
}
while(--i);
faddr="0xf800";
asm (jsr RAM_CODE ) ; // do page erase
}

在对flash编程时注意要点：

1先擦除，再写入。

2擦除只有也擦除，所以修改一个存储单元的值时，要将所有的单元读入ram中，修改后，将所有单元重新写入。

3写flash的时钟要确保在150k~200kHz之间。

[lgy198612]

芯片还是好的咩？

[逸萌]

[Quote=引用 1 楼 lgy198612 的回复:]
芯片还是好的咩？
[/Quote]
芯片还是好的，其它控制正常，就是保存不行了

[逸萌]

[Quote=引用 4 楼 zyzhang365 的回复:]
1. 这些地方都不对，为什么把一个字符串赋值给命令寄存器？
    FCMD="0x40";  -->FCMD = 0x040;
    FCMD="0x20";  -->FCMD = 0x020;

  faddr="first"_addr; //为什么要加引号？

2. 1也回答你前面的问题，芯片资料要求flash的时钟要确保在150k~200kHz之间，乖乖按芯片资料配置吧。

3. 可能还有别的问题....

[/Quote]
这几点在程序里面之前就改过了

[zyzhang365]

那你现在的程序是什么样的

[逸萌]

up

[贝隆]

顶

[逸萌]

[Quote=引用 6 楼 zyzhang365 的回复:]
那你现在的程序是什么样的

[/Quote]
现在的程序在公司,贴不出来，是参考上面代码改的，程序烧到设备后刚开始可以存储，其它功能也正常；中间存在偶然不能存储,但俩周后就不能存储了，但其它功能始终正常。

[zyzhang365]

1. 这些地方都不对，为什么把一个字符串赋值给命令寄存器？
FCMD="0x40"; -->FCMD = 0x040;
FCMD="0x20"; -->FCMD = 0x020;

faddr="first"_addr; //为什么要加引号？

2. 1也回答你前面的问题，芯片资料要求flash的时钟要确保在150k~200kHz之间，乖乖按芯片资料配置吧。

3. 可能还有别的问题....

[逸萌]

up

[lgy198612]

没有代码很难做出判断的啊，建议你贴出关键代码。

[逸萌]

[Quote=引用 10 楼 lgy198612 的回复:]
没有代码很难做出判断的啊，建议你贴出关键代码。
[/Quote]
up

[逸萌]

[Quote=引用 12 楼 mxm1986 的回复:]
保存不了，就是不能写入咯？？
如果之前能写入，现在不能写入，那就是flash挂了吧，擦写是有限制的。比如eeprom一般擦写在100w次，牛x的fram可以在10亿次以上。
[/Quote]
牛

[mxm1986]

保存不了，就是不能写入咯？？
如果之前能写入，现在不能写入，那就是flash挂了吧，擦写是有限制的。比如eeprom一般擦写在100w次，牛x的fram可以在10亿次以上。