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nand spare area 问题, 谢谢!
汽车电子讲坛
2010-01-31 09:23:58
nand spare area 一定是好的吗?会不会也有坏的.如果有坏的怎么检测?
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nand spare area 一定是好的吗?会不会也有坏的.如果有坏的怎么检测?
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gooogleman
2010-02-02
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嘿嘿,我看过又忘记了。
第一次不要擦除先。
汽车电子讲坛
2010-02-01
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[Quote=引用 4 楼 veabol 的回复:]
出厂前厂家会先标记坏块的,Main区的ECC校验保存在SPARE区,SPARE空间比较大的NAND会对MAIN的ECC校验再进行ECC校验,相当于是spare区的一部分数据也进行了ECC,这部分存储位置因为很小,所以坏的可能性很小。
[/Quote]
那如果写spare 把厂家的的标记擦掉了真么办?
laiguo
2010-01-31
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哈,想起来了,如查你的OOB有坏块,如果刚好在校验位上,则整块就被标为坏的了,
laiguo
2010-01-31
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啊,你怎么能这样问?这个如果真坏了,是没法测的。但你读出的数据是没有影响的
ialwaysgo
2010-01-31
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没试过,同关注
博说医械研发
2010-01-31
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出厂前厂家会先标记坏块的,Main区的ECC校验保存在SPARE区,SPARE空间比较大的NAND会对MAIN的ECC校验再进行ECC校验,相当于是spare区的一部分数据也进行了ECC,这部分存储位置因为很小,所以坏的可能性很小。
NAN
D Flash
Spa
re
Area
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D Flash
Spa
re
Area
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D Flash
Spa
re
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D Flash
Spa
re
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Assignment Standard Assignment Standard
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d Flash的
spa
re区域的详细格式介绍
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d Flash的
spa
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,详细的空间分配说明
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d flash
spa
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& ECC
nan
d flash ECC &
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d flash
spa
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NAN
D Flash结构与驱动分析
NAN
D Flash 的数据是以bit的方式保存在memory cell,一般来说,一个cell 中只能存储一个bit。这些cell 以8个或者16个为单位,连成bit line,形成所谓的byte(x8)/word(x16),这就是
NAN
D Device的位宽。这些Line会再组成Page,(
NAN
D Flash 有多种结构,我使用的
NAN
D Flash 是K9F1208,下面内容针对三星的K9F1208U0M),每页528Bytes(512byte(Main
Area
)+16byte(
Spa
re
Area
)),每32个page形成一个Block(32*528B)。具体一片flash上有多少个Block视需要所定。我所使用的三星k9f1208U0M具有4096个block,故总容量为4096*(32*528B)=66MB,但是其中的2MB是用来保存ECC校验码等额外数据的,故实际中可使用的为64MB。
NAN
D flash组成结构及驱动解读
NAN
D Flash 的数据是以bit的方式保存在memory cell,一般来说,一个cell 中只能存储一个bit。这些cell 以8个或者16个为单位,连成bit line,形成所谓的byte(x8)/word(x16),这就是
NAN
D Device的位宽。这些Line会再组成Page,(
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D Flash 有多种结构,我使用的
NAN
D Flash 是K9F1208,下面内容针对三星的K9F1208U0M),每页528Bytes(512byte(Main
Area
)+16byte(
Spa
re
Area
)),每32个page形成一个Block(32*528B)。具体一片flash上有多少个Block视需要所定。我所使用的三星 k9f1208U0M具有4096个block,故总容量为4096*(32*528B)=66MB,但是其中的2MB是用来保存ECC校验码等额外数据 的,故实际中可使用的为64MB。
NAN
D flash以页为单位读写数据,而以块为单位擦除数据。按照这样的组织方式可以形成所谓的三类地址:
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