【mngzilin】问题没解决,帮继续到底下

datahandler 2010-04-23 04:30:28
原帖子:

http://topic.csdn.net/u/20100423/12/19f45b67-2f8c-4582-ad0b-2d317878d8ed.html?seed=1208656620&r=64924832#r_64924832
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mngzilin 2010-04-23
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我现在在开会,用手机回复,回去帮你看,把数据文件发一份到382748635@QQ.COM里面一份,我回去看。
datahandler 2010-04-23
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[Quote=引用 1 楼 mngzilin 的回复:]
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[/Quote]
读取日期部分乱码,后面的全部都没法正确读取了。longint看来不是8也不是4
trentliu 2010-04-23
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1. 我对于试探分析类型的读取,我不建议用结构体,就按照字节读取就好
2. 了解 single, StockNumType,WORD 的字节长度和对应的c# 类型,这点很重要,不然读取一定出错。

0C D9 3F 22 包头标示符,A6 00 00 00 包长度,xx xx xx xx .. 装载数据内容。

byte[] buf 装载数据内容
下面就尝试读取
//m_wMarket:WORD; WORD 为 int16 , 约占2个字节

int pos = 0;
int m_wMarket = BitConverter.toSingle(buf, pos);
pos=pos+2; //2 为字节int16存储字节长度

//N1:WORD;
int N1 = BitConverter.toSingle(buf, pos);

...
...
..


调试完成后,全部读取完毕,可改成结构体读取。
mngzilin 2010-04-23
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源码下载地址: https://pan.quark.cn/s/0d6e3002ba51 ### IR2110中文资料知识点详述 #### 一、概述 IR2110是一种专为脉冲宽度调制应用而设计的高性能驱动集成电路,在各类功率转换设备中具有广泛的应用,特别是在需要实现隔离驱动的场景下表现出色。该芯片融合了光电隔离与电磁隔离的优势,能够达成快速响应并保持较小的物理尺寸,尤其适合用于中小功率的变换装置。 #### 二、IR2110内部结构与特点 **1. 内部结构** - **封装形式**:采用DIP14引脚封装。 - **内部组成**:由逻辑输入单元、电平平移单元以及输出保护单元这三个主要部分构成。 - **悬浮电源**:借助自举电路实现,使得高端工作电压最高能够达到500V,支持±50V/ns的电压变化率。 - **工作电压范围**:逻辑电源电压范围为5~15V,输出电源端电压范围为10~20V,易于与其他逻辑电平进行匹配。 - **工作频率**:最高可达到500kHz。 - **功耗**:在15V条件下静态功耗仅为116mW。 - **延迟时间**:导通延迟120ns,关断延迟94ns。 - **峰值输出电流**:图腾柱输出峰值电流为2A。 **2. 特点** - **独立输入通道**:具备独立的低端和高端输入通道配置。 - **兼容性**:逻辑电源地与功率地之间允许±5V的偏移量,便于与TTL或CMOS电平进行匹配。 - **自举电源**:内置自举电源电路,有效减少驱动电源的数量,从而简化电路设计。 - **高dv/dt能力**:具有较强的dv/dt抑制能力,适合高频开关应用。 - **低功耗**:工作状态下功耗较低,有利于提升整体效率。 #### 三、高压侧...

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