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SRAM SDRAM DDR DDR2 哪个速度最快
jonsenwu
2010-08-30 05:52:12
相同速度先SRAM 肯定比SDRAM快, ddr2比DDR 快
但是ddr和sram比呢?哪个更快?
我们用的A4芯片上有一块ITCM和一块DTCM(应该就是一块内部的sram)。本来想用起来加速程序,但是发现程序在ITCM里执行的速度和ddr中一差不多的,使用DTCM时甚至速度比在DDR中执行慢。所以才有此一问啊,各位有没有这方面的经验,赐教一下。
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SRAM SDRAM DDR DDR2 哪个速度最快
相同速度先SRAM 肯定比SDRAM快, ddr2比DDR 快 但是ddr和sram比呢?哪个更快? 我们用的A4芯片上有一块ITCM和一块DTCM(应该就是一块内部的sram)。本来想用起来加速程序,但是发现程序在ITCM里执行的速度和ddr中一差不多的,使用DTCM时甚至速度比在DDR中执行慢。所以才有此一问啊,各位有没有这方面的经验,赐教一下。
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somnus9
2010-09-02
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[Quote=引用 8 楼 yterrencelau 的回复:]
大多数CPU中的cache都是SRAM工艺,intel的CPU的L1 cache可以上GHz。但我们平常可以买得到的RAM基本上只能工作在100M。
SRAM 是典型的每个时钟一个数据,就是说如果SRAM工作在100MHz,每秒钟可以写入或读出100MHz数据(双口RAM可以加倍),而DDR和DDR2都是每时钟两个数据,但需要交易开销,就是说每次非连续地址的读或写之前都有前戏,前戏有几个周期的开……
[/Quote]
学习了
jonsenwu
2010-09-02
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[Quote=引用 8 楼 yterrencelau 的回复:]
大多数CPU中的cache都是SRAM工艺,intel的CPU的L1 cache可以上GHz。但我们平常可以买得到的RAM基本上只能工作在100M。
SRAM 是典型的每个时钟一个数据,就是说如果SRAM工作在100MHz,每秒钟可以写入或读出100MHz数据(双口RAM可以加倍),而DDR和DDR2都是每时钟两个数据,但需要交易开销,就是说每次非连续地址的读或写之前都有前戏,前戏有几个周期的开……
[/Quote]
学习了。感谢!
chinesedragon2010
2010-09-02
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[Quote=引用 8 楼 yterrencelau 的回复:]
大多数CPU中的cache都是SRAM工艺,intel的CPU的L1 cache可以上GHz。但我们平常可以买得到的RAM基本上只能工作在100M。
SRAM 是典型的每个时钟一个数据,就是说如果SRAM工作在100MHz,每秒钟可以写入或读出100MHz数据(双口RAM可以加倍),而DDR和DDR2都是每时钟两个数据,但需要交易开销,就是说每次非连续地址的读或写之前都有前戏,前戏有几个周期的开……
[/Quote]
不错,学习了,谢谢分享啊!
shijiemazhenda
2010-09-02
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一般是SRAM速度快一些吧,毕竟是cache嘛,不过有时候也用内存做缓存的,很多显存都是在内存中开辟一段的
chinesedragon2010
2010-09-01
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没有综合测试过,但如果要得出正确的结论,应该在同一块板子上跑同一个工程,FCLK,HCLK和PCLK也要一样,当然了NK应该不可能都是一样的了,因为 SRAM SDRAM DDR DDR2 的参数设置应该不一样,尽量保证在差别最小的环境中来测试。
YTerrenceLau
2010-09-01
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大多数CPU中的cache都是SRAM工艺,intel的CPU的L1 cache可以上GHz。但我们平常可以买得到的RAM基本上只能工作在100M。
SRAM 是典型的每个时钟一个数据,就是说如果SRAM工作在100MHz,每秒钟可以写入或读出100MHz数据(双口RAM可以加倍),而DDR和DDR2都是每时钟两个数据,但需要交易开销,就是说每次非连续地址的读或写之前都有前戏,前戏有几个周期的开销。
所以说SRAM适合随机读写,DDR和DDR2适合突发读写。
针对你的问题:需要更多信息:
1,各芯片位宽和工作频率
2,访问地址比较随机还是突发
3,内部是否有cache等模块缓存数据
4,等,可能还有其他干扰因素
jonsenwu
2010-09-01
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自然是在同一个环境的条件下了,不然就没有意义了。
[Quote=引用 6 楼 barryan2007 的回复:]
应该放在同一个环境中测试一下
[/Quote]
barryan2007
2010-09-01
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应该放在同一个环境中测试一下
hy7607
2010-08-31
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一般的认识SRAM>DDR2>DDR>SDRAM
ckc
2010-08-31
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这个不好说的,要具体情况具体分析
博说医械研发
2010-08-31
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这个问题似乎不太好回答吧
jonsenwu
2010-08-31
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我们芯片上的cache就是SRAM 的,Sram应该比DDR还要快些吧
终极内存技术指南_
ddr
3_
ddr
2
_warnmyf_终极内存技术指南_
终极内存技术指南,介绍了内存内存相关内容,包括
sd
ram
ddr
am
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2
ddr
3 s
ram
RAM
DDR
SD
RAM
FLASH MEMORY ROM 相关知识 多个文件(自己整理)
包括以下文件: D
RAM
,S
RAM
,
SD
RAM
,
DDR
SD
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区别.doc FlashGenius.exe NOR和NAND Flash区别.txt
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.txt ROM、EPROM、EEPROM、FLASH ROM的区别.txt
SD
RAM
,
DDR
SD
RAM
,
DDR
2
SD
RAM
内存的区别及其注释.doc 闪存(Flash Memory).txt
WEDC推出带锁相环的FBGA封装512MB
DDR
SD
RAM
White Electronic Designs公司(WEDC)推出FBGA封装、带锁相环(PLL)的非缓存512MB
DDR
SD
RAM
。这是一款2×32M×64
DDR
SD
RAM
内存条,基于256Mb
DDR
SD
RAM
器件。它由16个32M×84
DDR
SD
RAM
以FBGA封装形式安装在一个200针FR4基板上(JEDEC标准)。 此款高性能内存条是为各种高带宽、高性能存储器系统应用而设计的。它采了用同步设计,可用系统时钟进行精确的周期控制。其数据I/O处理可在上/下延和脉冲长度(2、4、8)进行,使同一内存条可用于各种应用。 512MB
SD
RAM
的数据传输
速度
分别
解述D
RAM
、
SD
RAM
及
DDR
SD
RAM
的概念
D
RAM
(动态随机访问存储器)对设计人员特别具有吸引力,因为它提供了广泛的性能,用于各种计算机和嵌入式系统的存储系统设计中。本文概括阐述了D
RAM
的概念,及介绍了
SD
RAM
、
DDR
SD
RAM
、
DDR
2
SD
RAM
、
DDR
3
SD
RAM
、
DDR
4
SD
RAM
、LP
DDR
、G
DDR
。 D
RAM
D
RAM
较其它内存类型的一个优势是它能够以IC(集成电路)上每个内存单元更少的电路实现。D
RAM
的内存单元基于电容器上贮存的电荷。典型的D
RAM
单元使用一个电容器及一个或三个FET(场效应晶体管)制成。典型的S
RAM
(静态随机访问内存)内存单元采取六个FET 器件,降低了相同尺寸时每
基础电子中的解述D
RAM
、
SD
RAM
及
DDR
SD
RAM
的概念
D
RAM
(动态随机访问存储器)对设计人员特别具有吸引力,因为它提供了广泛的性能,用于各种计算机和嵌入式系统的存储系统设计中。本文概括阐述了D
RAM
的概念,及介绍了
SD
RAM
、
DDR
SD
RAM
、
DDR
2
SD
RAM
、
DDR
3
SD
RAM
、
DDR
4
SD
RAM
、LP
DDR
、G
DDR
。 D
RAM
D
RAM
较其它内存类型的一个优势是它能够以IC(集成电路)上每个内存单元更少的电路实现。D
RAM
的内存单元基于电容器上贮存的电荷。典型的D
RAM
单元使用一个电容器及一个或三个FET(场效应晶体管)制成。典型的S
RAM
(静态随机访问内存)内存单元采取六个FET 器件,降低了相同尺寸时每
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