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nand flash分区时，提示输入起始地址，起始地址应该是多少？
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NAND flash和NOR flash的区别详解
本文将介绍NAND flash和NOR flash的区别
FPGA控制nand_flash读写测试，仿真测试，nand_flash.zip
任意FPGA实现nand_flash读写测试，verilong语言编写，仿真可以看到具体时序。芯片用的一款4G的FLASH，地址为五个周期数据，共16引脚，不同芯片的具体时序不太一样，仅作参考
NAND flash组成结构及驱动解读
NAND Flash 的数据是以bit的方式保存在memory cell，一般来说，一个cell 中只能存储一个bit。这些cell 以8个或者16个为单位，连成bit line，形成所谓的byte(x8)/word(x16)，这就是NAND Device的位宽。这些Line会再组成Page，(NAND Flash 有多种结构，我使用的NAND Flash 是K9F1208,下面内容针对三星的K9F1208U0M)，每页528Bytes(512byte(Main Area)+16byte(Spare Area))，每32个page形成一个Block(32*528B)。具体一片flash上有多少个Block视需要所定。我所使用的三星 k9f1208U0M具有4096个block，故总容量为4096*（32*528B）=66MB，但是其中的2MB是用来保存ECC校验码等额外数据 的，故实际中可使用的为64MB。 NAND flash以页为单位读写数据，而以块为单位擦除数据。按照这样的组织方式可以形成所谓的三类地址：
NAND flash和NOR flash的工作原理
NAND flash和NOR flash的工作原理介绍
NAND FLASH 控制器源码（verilog）
这是NAND FLASH 控制器的verilog源码，很有参考价值！ 这是NAND FLASH 控制器的verilog源码，很有参考价值！
