有关单片机的小问题

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2011-11-19 12:46:31

1.片内，片外存储有什么不同，他们区分的标准是什么，“片”指的是什么？
2.复位电路中的电容，电阻，晶振值是三者知其二的，那么他们之间是如何计算的。比如说我晶振12M,电容10uf,那么我的电阻取多大呢，这是怎么计算的。
谢谢各位给予详细指导，不甚感激。。。

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测控-单片机 2011-11-28

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我无语了....

lbing7 2011-11-28

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2.复位电路中的电容，电阻，晶振值是三者知其二的，那么他们之间是如何计算的。比如说我晶振12M,电容10uf,那么我的电阻取多大呢，这是怎么计算的。

。。。。。。。

通常我也不会算，郁闷，太高科技了

我都直接查数据手册里的推荐电路和参数的

大伙别BS我，原谅我。。。

测控-单片机 2011-11-28

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复位和晶振无关,复位只是一个电平跳变信号(或者电平信号),告诉单片机:现在要复位了.

nandou 2011-11-26

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先理解复位的概念吧！

a298028549 2011-11-26

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楼主，想太多了，复位电路只要给足余量就可以了，不必去纠结的，当然如果你需要高精度的话，就无视我吧，个人一般使用47UF的电容，1K电阻。。不考虑晶振。。。

方丈的寺院 2011-11-20

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我没表述清楚，不好意思。复位电路确实不需要晶振。但R,C不是受到晶振频率影响吗？[Quote=引用 3 楼 anyidan 的回复:]
复位电路中有晶振吗？
可否发图，学习一下
[/Quote]

Anjal2010 2011-11-20

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[Quote=引用 9 楼 mjjackey 的回复:]
引用 8 楼 liangboone 的回复:
(1) 片内片外是相对于单片机来说的。比如存放程序的Flash/ROM吧，8031和8051AH是没有内部程序存储器的，需要通过P0，P2口扩展外部Flash/ROM。
(2) 复位电路由电阻电容构成，它和晶振的大小有一定的关系（很小的关系）。比如AT89c51单片机，它的复位条件是：“在振荡器运行时保持RESET引脚位高电平大于2个机器周期”。单……
[/Quote]
0.7VCC，那单片机应该是CMOS电路设计的，0.7VCC是高电平标准。

Anjal2010 2011-11-20

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[Quote=引用 3 楼 anyidan 的回复:]
复位电路中有晶振吗？
可否发图，学习一下
复位电路一般就是RC，哪来的晶振呢？

liangboone 2011-11-20

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[Quote=引用 9 楼 mjjackey 的回复:]
引用 8 楼 liangboone 的回复:
(1) 片内片外是相对于单片机来说的。比如存放程序的Flash/ROM吧，8031和8051AH是没有内部程序存储器的，需要通过P0，P2口扩展外部Flash/ROM。
(2) 复位电路由电阻电容构成，它和晶振的大小有一定的关系（很小的关系）。比如AT89c51单片机，它的复位条件是：“在振荡器运行时保持RESET引脚位高电平大于2个机器周期”。单……
[/Quote]
at89c51的数据手册中，后面电气参数的章节，列出了RST高电平的门限是0.7Vcc

Frog1228 2011-11-20

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[Quote=引用 8 楼 liangboone 的回复:]
(1) 片内片外是相对于单片机来说的。比如存放程序的Flash/ROM吧，8031和8051AH是没有内部程序存储器的，需要通过P0，P2口扩展外部Flash/ROM。
(2) 复位电路由电阻电容构成，它和晶振的大小有一定的关系（很小的关系）。比如AT89c51单片机，它的复位条件是：“在振荡器运行时保持RESET引脚位高电平大于2个机器周期”。单片机复位启动时，振荡器运行就涉及到晶振的起振时间……
[/Quote]
Vo保持大于0.7Vcc是怎么得来的？

liangboone 2011-11-19

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(1) 片内片外是相对于单片机来说的。比如存放程序的Flash/ROM吧，8031和8051AH是没有内部程序存储器的，需要通过P0，P2口扩展外部Flash/ROM。
(2) 复位电路由电阻电容构成，它和晶振的大小有一定的关系（很小的关系）。比如AT89c51单片机，它的复位条件是：“在振荡器运行时保持RESET引脚位高电平大于2个机器周期”。单片机复位启动时，振荡器运行就涉及到晶振的起振时间，他和晶振的频率和起振电容（一般22-33pf）的大小等参数有关，跟温度，工作电压等都有关，我没有测过51的这个时间到底有多少，假设3ms，两个机器周期就可以忽略不计了。RC电路在RST引脚的的电平 Vo = Vcc*(1-e(-t/RC)),e后面括号里是指数。这样只要Vo保持大于0.7Vcc的时间大于3ms就可以复位了。为了保证可靠复位，例如选择t=5*3ms，就可以计算出RC，已知C，可得R。

bjtea 2011-11-19

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1）片内和片外访问有所不同，片内有总线，片外也有总线。访问片内用mov指令，访问片外数据用movc（程序空间）或movx（RAM空间）；
2）由于复位时间比较短，所以，通常不妨将复位时间做长一点，让复位的时间远大于实际的需要，这样就不必考虑晶振的快慢了。
3）电容与电阻构成充放电时间，同样基于2），取R=10K,C=1u~10u都可以（余量足够）。

方丈的寺院 2011-11-19