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AnYidan 2012-08-11
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完全相同，唯一的区别是 -- 它不是你设计中原来有的
士长今 2012-08-11
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一直在搞硬件设计，还真没去研究这种区别呀！
Doris_lx 2012-08-11
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[Quote=引用 5 楼 的回复:]
应该减小平板电容的产生
平板电容器由两个彼此靠得很近的平行极板（设为A和B）所组成，两极板的面积均为S，设两极板分别带有+Q，-Q的电荷，于是每块极板的电荷密度为σ=Q/S, ,我们略去极板的边缘效应，把两极板间的电场看成是均匀电场，由高斯定理可得两板间场强为E=σ/ε。=Q/Sε。
，再由U=∫AB E dl =Ed=Qd/Sε。再根据C=Q/U
得出C=ε。S/d既平板……
[/Quote]
那平板电容与电极电容是什么区别
应该减小平板电容的产生
平板电容器由两个彼此靠得很近的平行极板（设为A和B）所组成，两极板的面积均为S，设两极板分别带有+Q，-Q的电荷，于是每块极板的电荷密度为σ=Q/S, ,我们略去极板的边缘效应，把两极板间的电场看成是均匀电场，由高斯定理可得两板间场强为E=σ/ε。=Q/Sε。
，再由U=∫AB E dl =Ed=Qd/Sε。再根据C=Q/U
得出C=ε。S/d既平板……
[/Quote]
那平板电容与电极电容是什么区别
billowtust 2012-08-10
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如果是多层板，内层的电源和地层，确实会形成一个电容
所以，不要在电源层和地层间夹杂走线层，走线、电源层必须有个相临的地层
比如有些人用 L1 / VCC / L2 / L3 / GND / L4 这样的层叠结构是不大好的
至少也要改成 L1 / L2 / VCC / GND / L3 / L4
最理想的情况下，需要每个走线、电源层紧挨着一个GND层，也就是上面的两种层叠结构都不是最好的
所以，不要在电源层和地层间夹杂走线层，走线、电源层必须有个相临的地层
比如有些人用 L1 / VCC / L2 / L3 / GND / L4 这样的层叠结构是不大好的
至少也要改成 L1 / L2 / VCC / GND / L3 / L4
最理想的情况下，需要每个走线、电源层紧挨着一个GND层，也就是上面的两种层叠结构都不是最好的
Doris_lx 2012-08-10
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我也不太清楚平板电容是怎么回事，老师说在设计PCB的时候如果一面铺地一面铺电源就相当于引入了一个平板电容，这个电容个普通电容不同，会把整个干扰源带到系统中。可是，我理解不了，请帮忙解释下
AnYidan 2012-08-10
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是 布线 导致的 寄生电容吗？
lbing7 2012-08-10
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平板电容？
好像没太注意过有这个说法，求解
如果是贴片的电容，那通常只是封装的区别，具体的作用取决于你的电路设计
好像没太注意过有这个说法，求解
如果是贴片的电容，那通常只是封装的区别，具体的作用取决于你的电路设计
woshi_ziyu 2012-08-10
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应该减小平板电容的产生
平板电容器由两个彼此靠得很近的平行极板（设为A和B）所组成，两极板的面积均为S，设两极板分别带有+Q，-Q的电荷，于是每块极板的电荷密度为σ=Q/S, ,我们略去极板的边缘效应，把两极板间的电场看成是均匀电场，由高斯定理可得两板间场强为E=σ/ε。=Q/Sε。
，再由U=∫AB E dl =Ed=Qd/Sε。再根据C=Q/U
得出C=ε。S/d既平板电容公式也就是C=S/4πkd
注：ε。=1/4πk 是真空电容率
平板电容器的电容与极板的面积S成正比，与极板间的距离d成反比，电容C的大小与电容是否带电无关，只与电容器本身的结构形状有关
平板电容器由两个彼此靠得很近的平行极板（设为A和B）所组成，两极板的面积均为S，设两极板分别带有+Q，-Q的电荷，于是每块极板的电荷密度为σ=Q/S, ,我们略去极板的边缘效应，把两极板间的电场看成是均匀电场，由高斯定理可得两板间场强为E=σ/ε。=Q/Sε。
，再由U=∫AB E dl =Ed=Qd/Sε。再根据C=Q/U
得出C=ε。S/d既平板电容公式也就是C=S/4πkd
注：ε。=1/4πk 是真空电容率
平板电容器的电容与极板的面积S成正比，与极板间的距离d成反比，电容C的大小与电容是否带电无关，只与电容器本身的结构形状有关
