EEPROM的读写问题

[xiaobr17622]

这两天在弄EEPROM的读写程序，当前能够对EEPROM进行读写操作，但是有一个问题一直没有搞清楚，希望有人给解答一下。
为什么在EEPROM写的时候存在换页的操作，在读的时候不需要？其实现的相应原理是什么？
分数有些少，但还是希望哪位给解答一下，谢了。

[lbing7]

EEPROM有很多形式的具体得看你用的具体芯片 EEPROM有用过,没有页写的,只能以地址访问,写地址后,可以单个读写或者连续读写 也有用过,有页写功能的,一次可能写一页缓冲,写完之后等状态,由EEPROM把缓冲里的数据写进去 还有用过有双缓冲的EEPROM,分两个写缓冲,你可以写完一个缓冲,接着写另外一个缓冲,与此同时,芯片会把之前缓冲的数据写入EEPROM 读的话,印象中就没有页的概念了,给了一个地址,连续读出来就可以了

[xiaobr17622]

引用 1 楼 lbing7 的回复:

EEPROM有很多形式的具体得看你用的具体芯片 EEPROM有用过,没有页写的,只能以地址访问,写地址后,可以单个读写或者连续读写 也有用过,有页写功能的,一次可能写一页缓冲,写完之后等状态,由EEPROM把缓冲里的数据写进去 还有用过有双缓冲的EEPROM,分两个写缓冲,你可以写完一个缓冲,接着写另外一个缓冲,与此同时,芯片会把之前缓冲的数据写入EEPROM 读的话,印象中就没有页的概念了,给了一个地址,连续读出来就可以了

我当前使用的是有页写功能的，我就是没有想明白为什么写的时候需要换页，读的时候不需要。

[lbing7]

引用 2 楼 yjzhuangzhou 的回复:

[quote=引用 1 楼 lbing7 的回复:] EEPROM有很多形式的具体得看你用的具体芯片 EEPROM有用过,没有页写的,只能以地址访问,写地址后,可以单个读写或者连续读写 也有用过,有页写功能的,一次可能写一页缓冲,写完之后等状态,由EEPROM把缓冲里的数据写进去 还有用过有双缓冲的EEPROM,分两个写缓冲,你可以写完一个缓冲,接着写另外一个缓冲,与此同时,芯片会把之前缓冲的数据写入EEPROM 读的话,印象中就没有页的概念了,给了一个地址,连续读出来就可以了

我当前使用的是有页写功能的，我就是没有想明白为什么写的时候需要换页，读的时候不需要。[/quote] 我倒真没有想过这个为什么 也许，这个和EEPROM内部的写缓冲的实现有关。。。

[of123]

就是双缓存造成的。 读是上层与 EEPROM 直通的；写是通过缓存进行的。事先需要确定使用哪一个缓存。