EEPROM的读写问题

2013-05-24 03:20:43 490 阅读 AI 写同款 · GEO 优化AI 选题数据监测一键分发 ›

STM32调试常见问题：I2C读写EEPROM失败代码排查实际调试STM32时，I2C读写EEPROM常因时序配置错误或地址 mismatch 导致失败。通过分析i2c读写eeprom代码中的起始信号、应答机制和延时控制，能快速定位问题。掌握这些细节可显著提升调试效率。阅读详情

这两天在弄EEPROM的读写程序，当前能够对EEPROM进行读写操作，但是有一个问题一直没有搞清楚，希望有人给解答一下。
为什么在EEPROM写的时候存在换页的操作，在读的时候不需要？其实现的相应原理是什么？
分数有些少，但还是希望哪位给解答一下，谢了。

...全文

AT24C02页写回绕导致EEPROM读写不一致问题解析 EEPROM是一种基于电荷存储的非易失性存储器，其写入操作受物理工艺限制，通常采用页（Page）为单位进行编程。页写机制的核心原理是地址计数器在单次写事务中仅在当前页内自动递增，跨页时发生回绕而非溢出——这一特性与线性地址空间的直觉相悖，却直接决定数据存储位置的正确性。该机制带来显著技术价值：提升编程效率、降低功耗与写入延迟；但若软件未适配页边界约束，将引发数据覆盖、丢失或读取0xFF等一致性故障。典型应用场景包括嵌入式设备参数存储、传感器校准数据持久化及工业控制器状态快照等对可靠性要求严苛的领域。本文聚焦阅读详情

xiaobr17622

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of123 2013-05-27

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就是双缓存造成的。读是上层与 EEPROM 直通的；写是通过缓存进行的。事先需要确定使用哪一个缓存。

lbing7 2013-05-24

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引用 2 楼 yjzhuangzhou 的回复:

[quote=引用 1 楼 lbing7 的回复:] EEPROM有很多形式的具体得看你用的具体芯片 EEPROM有用过,没有页写的,只能以地址访问,写地址后,可以单个读写或者连续读写也有用过,有页写功能的,一次可能写一页缓冲,写完之后等状态,由EEPROM把缓冲里的数据写进去还有用过有双缓冲的EEPROM,分两个写缓冲,你可以写完一个缓冲,接着写另外一个缓冲,与此同时,芯片会把之前缓冲的数据写入EEPROM 读的话,印象中就没有页的概念了,给了一个地址,连续读出来就可以了

我当前使用的是有页写功能的，我就是没有想明白为什么写的时候需要换页，读的时候不需要。[/quote] 我倒真没有想过这个为什么也许，这个和EEPROM内部的写缓冲的实现有关。。。

xiaobr17622 2013-05-24

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引用 1 楼 lbing7 的回复:

EEPROM有很多形式的具体得看你用的具体芯片 EEPROM有用过,没有页写的,只能以地址访问,写地址后,可以单个读写或者连续读写也有用过,有页写功能的,一次可能写一页缓冲,写完之后等状态,由EEPROM把缓冲里的数据写进去还有用过有双缓冲的EEPROM,分两个写缓冲,你可以写完一个缓冲,接着写另外一个缓冲,与此同时,芯片会把之前缓冲的数据写入EEPROM 读的话,印象中就没有页的概念了,给了一个地址,连续读出来就可以了

我当前使用的是有页写功能的，我就是没有想明白为什么写的时候需要换页，读的时候不需要。

lbing7 2013-05-24

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EEPROM有很多形式的具体得看你用的具体芯片 EEPROM有用过,没有页写的,只能以地址访问,写地址后,可以单个读写或者连续读写也有用过,有页写功能的,一次可能写一页缓冲,写完之后等状态,由EEPROM把缓冲里的数据写进去还有用过有双缓冲的EEPROM,分两个写缓冲,你可以写完一个缓冲,接着写另外一个缓冲,与此同时,芯片会把之前缓冲的数据写入EEPROM 读的话,印象中就没有页的概念了,给了一个地址,连续读出来就可以了

EEPROM的读写问题

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