为什么在EEPROM写的时候存在换页的操作，在读的时候不需要？其实现的相应原理是什么？
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这两天在弄EEPROM的读写程序，当前能够对EEPROM进行读写操作，但是有一个问题一直没有搞清楚，希望有人给解答一下。
为什么在EEPROM写的时候存在换页的操作，在读的时候不需要？其实现的相应原理是什么？
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EEPROM有很多形式的具体得看你用的具体芯片
EEPROM有用过,没有页写的,只能以地址访问,写地址后,可以单个读写或者连续读写
也有用过,有页写功能的,一次可能写一页缓冲,写完之后等状态,由EEPROM把缓冲里的数据写进去
还有用过有双缓冲的EEPROM,分两个写缓冲,你可以写完一个缓冲,接着写另外一个缓冲,与此同时,芯片会把之前缓冲的数据写入EEPROM
读的话,印象中就没有页的概念了,给了一个地址,连续读出来就可以了
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我当前使用的是有页写功能的，我就是没有想明白为什么写的时候需要换页，读的时候不需要。
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我倒真没有想过这个为什么
也许，这个和EEPROM内部的写缓冲的实现有关。。。
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就是双缓存造成的。
读是上层与 EEPROM 直通的；写是通过缓存进行的。事先需要确定使用哪一个缓存。
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