eeprom存储器只能按字写，读可以按字和字节读

[gongxijie]

存储器写入的时候只能按字（u32）写，但是操作存储器的地址接口参数是字节（u8 *）的，这就有一个问题是，如果操作地址不是按字对齐，并且写入数据长度不是字的倍数，就会出差错。通常想法是，如果不是按字对齐地址，就把这个整字读出来，然后把字节数据拼接进去。请问谁能有更高效的代码？

[gongxijie]

引用 1 楼 woshi_ziyu 的回复:

一般不允许进行跨页边界读写 只能在设计上进行控制

我已经做了控制，上层函数控制页写，可以写多页，底层函数只能在一页内写。

[sprawling]

一般先在内存里面做个备份，然后在必要的时候刷到eeprom里面去。

[woshi_ziyu]

一般不允许进行跨页边界读写 只能在设计上进行控制

[zhxianbin]

eeprom 可以随机读写吧

[gongxijie]

引用 4 楼 zhxianbin 的回复:

eeprom 可以随机读写吧

这个eeprom只能按字写，不能按字节写，读可以

[gongxijie]

引用 3 楼 sprawling 的回复:

一般先在内存里面做个备份，然后在必要的时候刷到eeprom里面去。

那也得考虑eeprom地址对不对齐的问题啊

[zhxianbin]

在数据结构的设计上确保是 4B 的整数倍，不足的补齐

[sprawling]

引用 6 楼 gongxijie 的回复:

[quote=引用 3 楼 sprawling 的回复:] 一般先在内存里面做个备份，然后在必要的时候刷到eeprom里面去。

那也得考虑eeprom地址对不对齐的问题啊[/quote] 对于arm,只要你不是声明成pack的,默认都是4byte对齐的,当然，你要声明align(4)也是可以的

[用户 昵称]

跨页读写flash都能做到，跨4字节更容易吧。

[w74839520]

我以前用的是片区的读写，有时候有问题换成200 300这样的地址就好了。希望可以帮到你

[用户 昵称]

既然硬件限制了必须4字节读写，那么就没有更好的办法，这种eep估计是特殊的flash，或新工艺。

[Dirk]

地址接口参数是字节（u8 *），注意，这是指针。虽然原则上讲，你可以指向任意一个地址，但是既然你写入是4字节对齐的，你读取的首地址不按4字节对齐，那么意义是什么？