上拉电阻怎样理解?

zx4219770 2016-06-22 05:34:10
我百度看到很多解释和原理图大致都是在输出口和电源之间拉一根电阻,我不理解这样做为什么说会把不确定的输出电压稳定在一个值上。假定输出的是TTL信号,但高点位不到5v的不确定电压,但在5v的电源和输出口之间连了一个电阻之后那不就成了5v电源的连续输出电压了吗?不管是不是脉冲输出的信号,输出口都是持续输出的电压啊,这怎么会做到所说的那样把不确定的信号提升到指定电压?
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Knowledge Beginner 2019-07-10
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我记得我们TTL上拉都是到3.3V,中间加4.7K电阻。不知道你为什么拉到5V
jzdcf 2019-07-01
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引用 8 楼 ljm_2014的回复:
学习了, 上拉经常见,但是真正的原理分析还没弄懂
没有上拉下拉电阻输出口很可能是悬空状态,既不是0也不是1,所以需要硬件稳住一个固定状态。
MoruKer 2019-06-22
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引用 23 楼 zx4219770 的回复:
[quote=引用 22 楼 horris 的回复:]
要学一点大学里的电工学啊这类的,要不然搞单片机工控很难走得远。


想要软硬通吃固然好,但现在单片机没怎么见了,我们学校都是用ARM Cortex-M3的STM32裸机开发,虽然有移植一些简单的操作系统,但我是没见过。企业更是用到了Cortex-A系列移植Linux进去做什么智能家居,智能停车,布线不像单片机那么容易,一个人是很难搞定的,基本都是企业订做好的开发板,也就接线接模块而已了其余的都是程序。我见过些外面培训机构来的嵌入式开发人员,他们就说搞嵌入式就是学怎么写程序就好了,硬件方面那是硬件工程师的事,我们不要管。但他工作也有几年了,除了写程序还是写程序,那时我就想,难道搞开发的就只是这样而已吗,从进入企业学习到学会,再到熟练编写代码的老鸟,写程序终究是写程序,只不过熟练一些罢了,难道作为嵌入式开发人员这就是最终的结果吗,我觉得不应该是这样,所以我不信他们,我就是要软硬件都学[/quote]

楼主现在的想法有变化吗,我才大二但也是这样想的,我还什么都不会(会一点32)望前辈指教一下
tianxj001 2017-12-20
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一个上拉电阻,可以讨论这么一个版面,你们真心够牛 说白了,对于典型的输出,我们能看见高低电平输出,是因为芯片内部有互补输出,高电平时候,上管导通,而低电平下管导通,对于开漏输出,如果没有上拉,就像芯片内部上管不会导通一样,它是无法输出高电平的。 至于为什么设计里面既有互补输出,又有开漏输出,当然是有其合理意义的。 一个原因在于互补输出是不能简单并联产生输出与逻辑。而开漏输出可以简单并联并直接产生输出逻辑与,这也是为什么IIC必须采用开漏上拉输出的原因。 另一个原因就是对于真正的开漏输出,上拉电阻的接入电压,直接可以改变输出逻辑高电平的值,可以起到逻辑电平变换的作用。(对于非真正的开漏输出,上拉电阻接入电压不能高于芯片Vcc,哪怕要进行电平变换也只能变低不能变高)。 再说的通俗一点,比如我们用一个NPN管子去驱动继电器,这个NPN管子,类比芯片的开漏输出,而继电器就是那个上拉电阻了。当我们需要有2路控制信号直接驱动一个继电器,我们只需要再加一个NPN管理,他们的集电极连接在一起就可以了。这里继电器可以是5V、12V甚至24V。也就是这个继电器线路,同时具有电平变换和输出逻辑与功能。
cs14789652 2017-12-16
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路过,温习模电知识
依然冷暖 2016-08-06
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引用 23 楼 zx4219770 的回复:
[quote=引用 22 楼 horris 的回复:] 要学一点大学里的电工学啊这类的,要不然搞单片机工控很难走得远。
想要软硬通吃固然好,但现在单片机没怎么见了,我们学校都是用ARM Cortex-M3的STM32裸机开发,虽然有移植一些简单的操作系统,但我是没见过。企业更是用到了Cortex-A系列移植Linux进去做什么智能家居,智能停车,布线不像单片机那么容易,一个人是很难搞定的,基本都是企业订做好的开发板,也就接线接模块而已了其余的都是程序。我见过些外面培训机构来的嵌入式开发人员,他们就说搞嵌入式就是学怎么写程序就好了,硬件方面那是硬件工程师的事,我们不要管。但他工作也有几年了,除了写程序还是写程序,那时我就想,难道搞开发的就只是这样而已吗,从进入企业学习到学会,再到熟练编写代码的老鸟,写程序终究是写程序,只不过熟练一些罢了,难道作为嵌入式开发人员这就是最终的结果吗,我觉得不应该是这样,所以我不信他们,我就是要软硬件都学[/quote] 要说学硬件的话给点个人的建议吧,电子电路基础知识内容 电路原理,模拟电子,数字电子,但学这些必须掌握的基础知识包括 高等数学,线性代数 积分变换 数值分析 数字信号处理 至少个人认为这些都是必须掌握的基础知识内容 掌握这些内容设计分析常用电路已经无压力了 当然实际应用电路还有许多内容需要掌握
horris 2016-06-29
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要学一点大学里的电工学啊这类的,要不然搞单片机工控很难走得远。
horris 2016-06-29
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我用proteus仿真了一下,是不是这个意思。当输出低电平时三极管导通接地,从而使上拉的5V电源串联降压达到低电位,可以把三极管当成一个电阻或者可以在发射极接地那放一个电阻。当输出高电平时三极管不导通不接地5V电压源就相当于直接接到输出口一样。虽然proteus仿真和实际情况有点差异,但大概就是这个意思了 楼主似乎没有系统学过模拟电路,只具备初中物理的电路知识。你没有信号地的概念。当输出低电平时三极管导通接地,从而使上拉的5V电源串联降压达到低电位,这时把三极管当成导线,哪里还需要在发射极接地那放一个电阻?其他理解的对吧。 晶体管也有类似MOS漏极开路的应用,叫作集电极开路,和漏开类似,也要接上拉电阻,但我记得阻值和MOS管不一样
zx4219770 2016-06-29
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引用 22 楼 horris 的回复:
要学一点大学里的电工学啊这类的,要不然搞单片机工控很难走得远。
想要软硬通吃固然好,但现在单片机没怎么见了,我们学校都是用ARM Cortex-M3的STM32裸机开发,虽然有移植一些简单的操作系统,但我是没见过。企业更是用到了Cortex-A系列移植Linux进去做什么智能家居,智能停车,布线不像单片机那么容易,一个人是很难搞定的,基本都是企业订做好的开发板,也就接线接模块而已了其余的都是程序。我见过些外面培训机构来的嵌入式开发人员,他们就说搞嵌入式就是学怎么写程序就好了,硬件方面那是硬件工程师的事,我们不要管。但他工作也有几年了,除了写程序还是写程序,那时我就想,难道搞开发的就只是这样而已吗,从进入企业学习到学会,再到熟练编写代码的老鸟,写程序终究是写程序,只不过熟练一些罢了,难道作为嵌入式开发人员这就是最终的结果吗,我觉得不应该是这样,所以我不信他们,我就是要软硬件都学
依然冷暖 2016-06-28
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引用 17 楼 zx4219770的回复:
[quote=引用 14 楼 horris 的回复:] 楼主似乎模拟电路不扎实,其实我也忘差不多了,大概是这样 首先,这里讨论的是MOS管,不是晶体管,但大致来说,MOS管的漏极相当于晶体管的集电极,至于晶体管的射极好象MOS管也叫射极吧?这里暂且混用两种器件的管脚名称,不影响讨论。 MOS和晶体管工作原理有些不同,它是电压驱动的,需要的电流极小,不象晶体管那样需要偏置电流什么的。 MOS漏极导通时,漏射间(这里不存在PN结吧,晶体管才叫PN结)电阻相当于0,所以漏极电位为0,电流通过Vcc-上拉电阻,流向被输出器件。 MOS漏极截止时,漏射间电阻相当于无穷大,电流通过Vcc-上拉电阻,流向被输出器件,下级器件得到的电压值,由下级器件的输入电阻与上拉电阻的比值决定。一般输入电阻都很大,所以下级器件的输入电位接近Vcc,即高电平。 实际电路分析没这么简单,但可以用纯电阻电路类比分析。 上拉电阻选大了,会影响负载能力,也就是说下级器件输入电阻小时,就得不到高电平;上拉电阻选小了,会增加耗电(在输出低电平时)。
不是模电不扎实,是根本没怎么学,你说的那些东西以我现在的知识层面还没法理解。有些放下很久差不多忘记的东西说出来突然又会记起来,教授别人知识的同时自己也复习了一遍,不管怎样你开心就好[/quote] 他说的这些你可以参照74系列用法
依然冷暖 2016-06-28
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可以对可以错 分怎么用 用在什么方式 认为是对的也可以
zx4219770 2016-06-28
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引用 18 楼 tys591320 的回复:
[quote=引用 17 楼 zx4219770的回复:][quote=引用 14 楼 horris 的回复:] 楼主似乎模拟电路不扎实,其实我也忘差不多了,大概是这样 首先,这里讨论的是MOS管,不是晶体管,但大致来说,MOS管的漏极相当于晶体管的集电极,至于晶体管的射极好象MOS管也叫射极吧?这里暂且混用两种器件的管脚名称,不影响讨论。 MOS和晶体管工作原理有些不同,它是电压驱动的,需要的电流极小,不象晶体管那样需要偏置电流什么的。 MOS漏极导通时,漏射间(这里不存在PN结吧,晶体管才叫PN结)电阻相当于0,所以漏极电位为0,电流通过Vcc-上拉电阻,流向被输出器件。 MOS漏极截止时,漏射间电阻相当于无穷大,电流通过Vcc-上拉电阻,流向被输出器件,下级器件得到的电压值,由下级器件的输入电阻与上拉电阻的比值决定。一般输入电阻都很大,所以下级器件的输入电位接近Vcc,即高电平。 实际电路分析没这么简单,但可以用纯电阻电路类比分析。 上拉电阻选大了,会影响负载能力,也就是说下级器件输入电阻小时,就得不到高电平;上拉电阻选小了,会增加耗电(在输出低电平时)。
不是模电不扎实,是根本没怎么学,你说的那些东西以我现在的知识层面还没法理解。有些放下很久差不多忘记的东西说出来突然又会记起来,教授别人知识的同时自己也复习了一遍,不管怎样你开心就好[/quote] 他说的这些你可以参照74系列用法[/quote] 先不要纠结这个,模电后面我慢慢看,你先回答我13楼那样理解有没有什么问题先
zx4219770 2016-06-26
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引用 14 楼 horris 的回复:
楼主似乎模拟电路不扎实,其实我也忘差不多了,大概是这样 首先,这里讨论的是MOS管,不是晶体管,但大致来说,MOS管的漏极相当于晶体管的集电极,至于晶体管的射极好象MOS管也叫射极吧?这里暂且混用两种器件的管脚名称,不影响讨论。 MOS和晶体管工作原理有些不同,它是电压驱动的,需要的电流极小,不象晶体管那样需要偏置电流什么的。 MOS漏极导通时,漏射间(这里不存在PN结吧,晶体管才叫PN结)电阻相当于0,所以漏极电位为0,电流通过Vcc-上拉电阻,流向被输出器件。 MOS漏极截止时,漏射间电阻相当于无穷大,电流通过Vcc-上拉电阻,流向被输出器件,下级器件得到的电压值,由下级器件的输入电阻与上拉电阻的比值决定。一般输入电阻都很大,所以下级器件的输入电位接近Vcc,即高电平。 实际电路分析没这么简单,但可以用纯电阻电路类比分析。 上拉电阻选大了,会影响负载能力,也就是说下级器件输入电阻小时,就得不到高电平;上拉电阻选小了,会增加耗电(在输出低电平时)。
不是模电不扎实,是根本没怎么学,你说的那些东西以我现在的知识层面还没法理解。有些放下很久差不多忘记的东西说出来突然又会记起来,教授别人知识的同时自己也复习了一遍,不管怎样你开心就好
horris 2016-06-26
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更正一点,晶体管在数字电路中似乎也不需要偏置电流的,但它在集射导通时,基极需要更大的电流。
horris 2016-06-26
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如果带多个下级器件,那么下级器件的总输入电阻变小(类比纯电阻电路,相当于电阻并联),因此上拉电阻选大了,就带不了太多负载;选小了Vcc都从上拉电阻走,电流加大,增加耗电。 所以你按IC说明中选上拉电阻是最稳妥的。
horris 2016-06-26
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楼主似乎模拟电路不扎实,其实我也忘差不多了,大概是这样 首先,这里讨论的是MOS管,不是晶体管,但大致来说,MOS管的漏极相当于晶体管的集电极,至于晶体管的射极好象MOS管也叫射极吧?这里暂且混用两种器件的管脚名称,不影响讨论。 MOS和晶体管工作原理有些不同,它是电压驱动的,需要的电流极小,不象晶体管那样需要偏置电流什么的。 MOS漏极导通时,漏射间(这里不存在PN结吧,晶体管才叫PN结)电阻相当于0,所以漏极电位为0,电流通过Vcc-上拉电阻,流向被输出器件。 MOS漏极截止时,漏射间电阻相当于无穷大,电流通过Vcc-上拉电阻,流向被输出器件,下级器件得到的电压值,由下级器件的输入电阻与上拉电阻的比值决定。一般输入电阻都很大,所以下级器件的输入电位接近Vcc,即高电平。 实际电路分析没这么简单,但可以用纯电阻电路类比分析。 上拉电阻选大了,会影响负载能力,也就是说下级器件输入电阻小时,就得不到高电平;上拉电阻选小了,会增加耗电(在输出低电平时)。
zx4219770 2016-06-26
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引用 12 楼 tys591320 的回复:
[quote=引用 11 楼 of123的回复:][quote=引用 10 楼 zx4219770 的回复:]
[quote=引用 9 楼 tys591320 的回复:]
[quote=引用 3 楼 zx4219770的回复:][quote=引用 2 楼 u013557228 的回复:]
开漏输出 内部没有上拉的话 mos管导通与否,外面的到的不都是低电平吗 所以要加上拉电阻,让输出寄存器的值能改变外部电平,还有一种情况好像是为了提高驱动能力。




像是这样把那些接了5v电源的电阻直接接到输出端上那输出端岂不是没有信号就单纯的5v直流输出了?假如就算输出端是3v也做不到想你说的那样3+5=8v的升压效果啊,虽然我知道CMOS用的12v电压作为信号TTL用5v,这只是假设[/quote]
首先p0口是开漏结构 作为输出必须加上拉电阻才能改变输出状态,其次io口只输出高和低,高就是上拉电压值,低几乎就是0 你本身理解就是错误的[/quote]



你说的是不是这样?但是就算是这样那不管IN有没有电平驱动NPN三极管的基级使三极管集电极和发射极之间导通都不会影响那5V的电压直接接向输出啊,虽然本意上是想用控制三极管基级电流的方式来驱动三极管的导通从而来达到导通输出的目的[/quote]
你简化一下思维,用一个机械开关来取代晶体管,看一下开关断开和接通时输出端是什么电平。[/quote]
out端输出电压是对地的,断开状态下相当于输出5V,导通之后输出端接地,近似零电平[/quote]




我用proteus仿真了一下,是不是这个意思。当输出低电平时三极管导通接地,从而使上拉的5V电源串联降压达到低电位,可以把三极管当成一个电阻或者可以在发射极接地那放一个电阻。当输出高电平时三极管不导通不接地5V电压源就相当于直接接到输出口一样。虽然proteus仿真和实际情况有点差异,但大概就是这个意思了
依然冷暖 2016-06-23
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引用 11 楼 of123的回复:
[quote=引用 10 楼 zx4219770 的回复:] [quote=引用 9 楼 tys591320 的回复:] [quote=引用 3 楼 zx4219770的回复:][quote=引用 2 楼 u013557228 的回复:] 开漏输出 内部没有上拉的话 mos管导通与否,外面的到的不都是低电平吗 所以要加上拉电阻,让输出寄存器的值能改变外部电平,还有一种情况好像是为了提高驱动能力。
像是这样把那些接了5v电源的电阻直接接到输出端上那输出端岂不是没有信号就单纯的5v直流输出了?假如就算输出端是3v也做不到想你说的那样3+5=8v的升压效果啊,虽然我知道CMOS用的12v电压作为信号TTL用5v,这只是假设[/quote] 首先p0口是开漏结构 作为输出必须加上拉电阻才能改变输出状态,其次io口只输出高和低,高就是上拉电压值,低几乎就是0 你本身理解就是错误的[/quote] 你说的是不是这样?但是就算是这样那不管IN有没有电平驱动NPN三极管的基级使三极管集电极和发射极之间导通都不会影响那5V的电压直接接向输出啊,虽然本意上是想用控制三极管基级电流的方式来驱动三极管的导通从而来达到导通输出的目的[/quote] 你简化一下思维,用一个机械开关来取代晶体管,看一下开关断开和接通时输出端是什么电平。[/quote] out端输出电压是对地的,断开状态下相当于输出5V,导通之后输出端接地,近似零电平
of123 2016-06-23
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引用 10 楼 zx4219770 的回复:
[quote=引用 9 楼 tys591320 的回复:] [quote=引用 3 楼 zx4219770的回复:][quote=引用 2 楼 u013557228 的回复:] 开漏输出 内部没有上拉的话 mos管导通与否,外面的到的不都是低电平吗 所以要加上拉电阻,让输出寄存器的值能改变外部电平,还有一种情况好像是为了提高驱动能力。
像是这样把那些接了5v电源的电阻直接接到输出端上那输出端岂不是没有信号就单纯的5v直流输出了?假如就算输出端是3v也做不到想你说的那样3+5=8v的升压效果啊,虽然我知道CMOS用的12v电压作为信号TTL用5v,这只是假设[/quote] 首先p0口是开漏结构 作为输出必须加上拉电阻才能改变输出状态,其次io口只输出高和低,高就是上拉电压值,低几乎就是0 你本身理解就是错误的[/quote] 你说的是不是这样?但是就算是这样那不管IN有没有电平驱动NPN三极管的基级使三极管集电极和发射极之间导通都不会影响那5V的电压直接接向输出啊,虽然本意上是想用控制三极管基级电流的方式来驱动三极管的导通从而来达到导通输出的目的[/quote] 你简化一下思维,用一个机械开关来取代晶体管,看一下开关断开和接通时输出端是什么电平。
viggo96 2016-06-22
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上拉电阻是相对于开漏输出的时候输出的电压不确定而言的,但是输出低点位的时候,cmos管导通那个节点是接地的,电位还是会被拉低的。所谓的提高带负载能力是通过另外的电源能提供更大的电流,cmos能承受的电流太小了。
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