学习了, 上拉经常见,但是真正的原理分析还没弄懂
[quote=引用 22 楼 horris 的回复:] 要学一点大学里的电工学啊这类的,要不然搞单片机工控很难走得远。
要学一点大学里的电工学啊这类的,要不然搞单片机工控很难走得远。
[quote=引用 14 楼 horris 的回复:] 楼主似乎模拟电路不扎实,其实我也忘差不多了,大概是这样 首先,这里讨论的是MOS管,不是晶体管,但大致来说,MOS管的漏极相当于晶体管的集电极,至于晶体管的射极好象MOS管也叫射极吧?这里暂且混用两种器件的管脚名称,不影响讨论。 MOS和晶体管工作原理有些不同,它是电压驱动的,需要的电流极小,不象晶体管那样需要偏置电流什么的。 MOS漏极导通时,漏射间(这里不存在PN结吧,晶体管才叫PN结)电阻相当于0,所以漏极电位为0,电流通过Vcc-上拉电阻,流向被输出器件。 MOS漏极截止时,漏射间电阻相当于无穷大,电流通过Vcc-上拉电阻,流向被输出器件,下级器件得到的电压值,由下级器件的输入电阻与上拉电阻的比值决定。一般输入电阻都很大,所以下级器件的输入电位接近Vcc,即高电平。 实际电路分析没这么简单,但可以用纯电阻电路类比分析。 上拉电阻选大了,会影响负载能力,也就是说下级器件输入电阻小时,就得不到高电平;上拉电阻选小了,会增加耗电(在输出低电平时)。
[quote=引用 17 楼 zx4219770的回复:][quote=引用 14 楼 horris 的回复:] 楼主似乎模拟电路不扎实,其实我也忘差不多了,大概是这样 首先,这里讨论的是MOS管,不是晶体管,但大致来说,MOS管的漏极相当于晶体管的集电极,至于晶体管的射极好象MOS管也叫射极吧?这里暂且混用两种器件的管脚名称,不影响讨论。 MOS和晶体管工作原理有些不同,它是电压驱动的,需要的电流极小,不象晶体管那样需要偏置电流什么的。 MOS漏极导通时,漏射间(这里不存在PN结吧,晶体管才叫PN结)电阻相当于0,所以漏极电位为0,电流通过Vcc-上拉电阻,流向被输出器件。 MOS漏极截止时,漏射间电阻相当于无穷大,电流通过Vcc-上拉电阻,流向被输出器件,下级器件得到的电压值,由下级器件的输入电阻与上拉电阻的比值决定。一般输入电阻都很大,所以下级器件的输入电位接近Vcc,即高电平。 实际电路分析没这么简单,但可以用纯电阻电路类比分析。 上拉电阻选大了,会影响负载能力,也就是说下级器件输入电阻小时,就得不到高电平;上拉电阻选小了,会增加耗电(在输出低电平时)。
楼主似乎模拟电路不扎实,其实我也忘差不多了,大概是这样 首先,这里讨论的是MOS管,不是晶体管,但大致来说,MOS管的漏极相当于晶体管的集电极,至于晶体管的射极好象MOS管也叫射极吧?这里暂且混用两种器件的管脚名称,不影响讨论。 MOS和晶体管工作原理有些不同,它是电压驱动的,需要的电流极小,不象晶体管那样需要偏置电流什么的。 MOS漏极导通时,漏射间(这里不存在PN结吧,晶体管才叫PN结)电阻相当于0,所以漏极电位为0,电流通过Vcc-上拉电阻,流向被输出器件。 MOS漏极截止时,漏射间电阻相当于无穷大,电流通过Vcc-上拉电阻,流向被输出器件,下级器件得到的电压值,由下级器件的输入电阻与上拉电阻的比值决定。一般输入电阻都很大,所以下级器件的输入电位接近Vcc,即高电平。 实际电路分析没这么简单,但可以用纯电阻电路类比分析。 上拉电阻选大了,会影响负载能力,也就是说下级器件输入电阻小时,就得不到高电平;上拉电阻选小了,会增加耗电(在输出低电平时)。
[quote=引用 11 楼 of123的回复:][quote=引用 10 楼 zx4219770 的回复:] [quote=引用 9 楼 tys591320 的回复:] [quote=引用 3 楼 zx4219770的回复:][quote=引用 2 楼 u013557228 的回复:] 开漏输出 内部没有上拉的话 mos管导通与否,外面的到的不都是低电平吗 所以要加上拉电阻,让输出寄存器的值能改变外部电平,还有一种情况好像是为了提高驱动能力。
[quote=引用 10 楼 zx4219770 的回复:] [quote=引用 9 楼 tys591320 的回复:] [quote=引用 3 楼 zx4219770的回复:][quote=引用 2 楼 u013557228 的回复:] 开漏输出 内部没有上拉的话 mos管导通与否,外面的到的不都是低电平吗 所以要加上拉电阻,让输出寄存器的值能改变外部电平,还有一种情况好像是为了提高驱动能力。
[quote=引用 9 楼 tys591320 的回复:] [quote=引用 3 楼 zx4219770的回复:][quote=引用 2 楼 u013557228 的回复:] 开漏输出 内部没有上拉的话 mos管导通与否,外面的到的不都是低电平吗 所以要加上拉电阻,让输出寄存器的值能改变外部电平,还有一种情况好像是为了提高驱动能力。
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