pytorch实现kaggle猫狗识别（超详细）

kaggle是<em>一个</em>为开发商和数据科学家提供举办机器学习竞赛、托管数据库、编写和分享代码的平台，在这上面有非常多的好项目、好资源可供机器学习、深度学习爱好者学习之用。碰巧最近入门了一门非常的深度学习框架：pytorch（如果你对pytorch不甚了解，请点击这里），所以今天我和大家一起用pytorch实现<em>一个</em>图像识别领域的入门项目：猫狗图像识别。 深度学习的基础就是数据，咱们先从数据谈起。此次使用的...

空心杯电机的PWM调制及PI控制

<em>空心</em>杯电机的PWM调制及PI控制

三极管和MOS管驱动电路的正确用法

1 三极管和MOS管的基本特性nn三极管是电流控制电流器件，用基极电流的变化控制集电极电流的变化。有NPN型三极管和PNP型三极管两种，符号如下：nnnn图1 左NPN型三极管，右PNP型三极管nnMOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化。有P沟道MOS管（简称PMOS）和N沟道MOS管（简称NMOS），符号如下（此处只讨论常用的增强型MOS管）：nnnn图2nn2 三极管和...

一个比较经典的MOS管驱动电路

<em>一个</em>比较经典的MOS管<em>驱动</em><em>电路</em> <em>一个</em>比较经典的MOS管<em>驱动</em><em>电路</em> <em>一个</em>比较经典的MOS管<em>驱动</em><em>电路</em>

MOS管发热原因分析一

最近参与到一款路由产品的硬件开发中，其中一项是客户需要非标准POE供电，可输出的POE供电电压为12/24/30/48V切换，最大输出功率设计为24W，<em>电路</em>采用反激式电源方案（电源芯片MP3910，芯片厂商提供方案），在调试该部分<em>电路</em>时出现MOS管（NMOS，SUD50N06）发热严重，输出电压非带载时正常，带载时（开始带载50%）,MOS管发热严重，输出电压被拉低，不论是输出哪一路电压，输出只有

单片机项目设计中常用的NMOS+PMOS控制电路

rn<em>单片机</em>项目设计中常用的NMOS+PMOS控制<em>电路</em>rnrn大家晚上好，第一次写博客给大家分享<em>一个</em>比较常用的<em>电路</em>，不要说我菜哈，这些都是我自毕业以来实际工作中用到的<em>电路</em>，虽然毕业的时候在其他同学看来在实验室呆过，但是自己还是觉得自己很菜。到公司真正从事研发的时候才会真正发现之前在实验室学的真的是皮毛中的皮毛呀……真的刚出来工作要好好努力一番，所以一直以来都有个想法，把工作中所获得的知识一点一点记录下来，...

德国冯哈勃 Faulhaber2342L012空心杯减速电机带编码器

为了制作平衡车，我在淘宝上面买了<em>一个</em> Faulhaber2342L012<em>空心</em>杯减速电机电机，具体参数如下： 一：电机参数 型    号：德国冯哈勃Faulhaber带编码器<em>空心</em>杯减速电机2342L012  12V每分 钟 120转 工作电压: 12V 空载转速：8100RPM（转每分钟） 减速后速：120RPM（转每分钟） 直    　径：30mm

微型四轴DIY机架，轻巧稳固耐摔，通用720空心杯电机，9厘米轴距

组装四轴飞行器时，<em>一个</em>轻巧稳固耐摔的机架很关键。轻巧利于续航，耐摔是防止炸机后机毁不保，稳固对于只有4个螺旋桨的四轴而言利于提高平衡性。 哪里有这样的机架呢？下面是来自意创电子的机架，实测完全符合上述特点，而且组装十分方便。 机架特点： 小四轴专用机架，适用720<em>空心</em>杯马达、直径55mm的桨叶； PCB材料，轻巧、稳固、耐摔； 带支脚，能方便放置电池，也能保护电机

小四轴从入门到入土（软件篇1——PWM输出控制电机）

STM32F1 系列中，除了互联型的产品，共有 8 个定时器，分为基本定时器，通用定时器和高级定时器。基本定时器 TIM6 和 TIM7 是<em>一个</em> 16 位的只能向上计数的定时器，只能定时，没有外部 IO。通用定时器 TIM2/3/4/5 是<em>一个</em> 16 位的可以向上/下计数的定时器，可以定时，可以输出比较，可以输入捕捉，每个定时器有四个外部 IO。高级定时器 TIM1/8是<em>一个</em> 16 位的可以向上/...

自制小四轴：从入门到放弃

四轴飞行器，又称四旋翼飞行器，简称四轴、四旋翼。四轴飞行器的四个螺旋桨与电机直接相连，通过改变电机转速获得旋转机身的力，从而调整自身姿态。 四轴的叶片转速极高，有一定的危险性，一般不能在室内飞，特别是在调试过程中更加不稳定，轻则炸鸡撞坏物品，重则伤到人。 我做四轴的主要目的是为了学习飞控算法，这个过程肯定少不了调试，为了安全，我选择做<em>一个</em>小一点的，手掌那么大的四轴，叶片的威力比较小，价格也

自制舵机的驱动程序

<em>电路</em>板用了3个元件，<em>一个</em>STC15W408AS DIP16的<em>单片机</em>。 这个<em>单片机</em>带10位精度的ADC，刚好测量舵机里面电位器的位置。 然后电机<em>驱动</em>用的L9110 DIP8。 L9110最大电流0.8A

mosefet驱动电路整理

<em>mos</em>efet<em>驱动</em><em>电路</em>

mosefet驱动电路设计详解

现在把R6改为P管rnrnrn最终优化之后的<em>mos</em>efet<em>驱动</em><em>电路</em>如下rnrnrn其中三极管Q5是<em>一个</em>反向器

MOS管驱动电机正反转电路图

MOS管<em>驱动</em>步进电机正反转<em>电路</em>图

TLP250 驱动电路

在用TLP250直接<em>驱动</em>MOS等功率器件时，大家可能会觉得光耦有点发热，同时功率器件温度也比较高，这里给出<em>一个</em>用TLP250<em>驱动</em>IRF9540的<em>电路</em>，可以有效解决IRF9540发热问题。

MOS管工作原理的应用驱动电路详解

MOS管应用<em>电路</em>rnMOS管最显著的特性是开关特性好，所以被广泛应用在需要电子开关的<em>电路</em>中，常见的如开关电源和马达<em>驱动</em>，也有照明调光。rn现在的MOS<em>驱动</em>，有几个特别的应用rn1、低压应用rn当使用5V电源，这时候如果使用传统的图腾柱结构，由于三极管的be有0.7V左右的压降，导致实际最终加在gate上的电压只有4.3V。这时候，我们选用标称gate电压4.5V的MOS管就存在一定的风险。rn同样的问题也发...

Circuit Design 三极管驱动蜂鸣器电路 及 蜂鸣器两端电压正确但是不响的解决方案

利用三极管进行电流放大的蜂鸣器<em>驱动</em><em>电路</em>图： n (百度图片找的) n n 我用有源蜂鸣器实现的这个<em>电路</em>，但是蜂鸣器不响。 n details： n 1. VCC =5V n 蜂鸣器两端的直接电压约为4.5V， 但是蜂鸣器不响。 n 2. 将蜂鸣器直接接在4.5V的电源两端，蜂鸣器响。（说明蜂鸣器是好的） n 3. 测了三极管各个管脚的电压， 和理论上的是一致的。情况很奇怪，换了好几个三极管结果都是

MOS管驱动 自举升压原理

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全桥mos管电机驱动仿真电路

<em>驱动</em>大的功率管Mos管，来产生大电流从而<em>驱动</em>电机，且占空比大小能够经过<em>驱动</em>芯片控制加在电机上的均匀电压到达转速调理的目的。

【原创】【硬件电路】N沟道、P沟道MOS管基本原理与应用案例

文章首发于同名微信公众号：DigCorenn欢迎关注同名微信公众号：DigCore，及时获取最新技术博文。nn nn一、N-MOS管和P-MOS管的对比nnnn二、N-MOS的开关条件nnN-MOS管的导通调节是G极与S极中间的电压差超过阈值时，D极和S极导通。nn在实际的使用中，将控制信号接到G极，S极接在GND，从而达到控制N-MOS管的开和关的效果，在D极和S极导通后，导通电阻Rds(on)...

Boost电路的驱动电路

本人用的是光电耦合器TLP250来<em>驱动</em>MOSFET,光耦的作用就是输入<em>一个</em>PWM波，这个PWM波的振幅也是有要求的，刚开始我的输入电压太小，结果开关管就没有工作，当我把光耦的输入电压调到5V的时候就可以用了。然后光耦输出<em>一个</em>大电流，以此来加速MOSFET的开通和关断时间，以求减少开关损耗。还有就是在TLP250的输出脚和MOSGET的栅极之间的电阻是测不出来信号的，它的作用只是在开关管开通关断瞬间

三相全桥MOS管驱动电路调试记录

2016-04-07rnrn未接入全桥时，电流转电压测量波形包含噪声，周期约为17us左右，幅值为120mV左右，振荡周期约为1.3us左右，如下图所示。经过运放放大10倍后的波形中噪声减弱，猜测是因为运放内部的频带限制使高频噪声衰减，同时猜测该高频噪声来自于开关电源。rnrnrnrn接入MOS管并且加入24V电压后，IR2136的输出<em>驱动</em>电压如图所示：测试程序：A相的上下MOS管以10ms导通时

浅析MOS管串联并联的驱动应用

 nn　　1.MOS管并联的可行性分析nn　　由下面的某颗MOS管的温度曲线可以看出MOS管的内阻的温度特性是随温度的升高内阻也增大，如果在并联过程中由于某种原因（比如RDSON比较低，电流路径比较短等）导致某颗MOS管的电流比较大，这颗MOS管会发热比较严重，内阻会升高比较多，电流就会降下来，由此可以分析出MOS管有自动均流的特性而易于并联。nn       nn　　2.MOS管的并联<em>电路</em>nn　...

buck电路 以及 驱动mos管

2011年的电设题 buck<em>电路</em> <em>驱动</em><em>mos</em>管，结合前面发的tl494<em>电路</em>，可完成开关电源。

三极管和MOS管的开关电路分析

　　个人博客：http://brainware360.cn/　　上面两篇文章我们通过对三极管和MOS管的学习，对其有了<em>一个</em>基本的认识，下面来分析<em>一个</em>简单的数字<em>电路</em>学习如何在数字<em>电路</em>中使用三极管和MOS管。　　效果一：S2闭合，则无论S1闭合与否，M1和M2均未导通，无输出。　　分析：S2闭合时，Q9的基极通过R11接到+5V，发射极接地，形成回路，基极有电流通过，则其集电极和发射极导通，根据其导通...

N沟道MOS管控制电路-光耦型

基于光耦控制N沟道MOS管控制<em>电路</em>，<em>电路</em>采用低导通，基于STM32引脚设计-------原理图文件

MOS管驱动步进电机正反转

MOS管<em>驱动</em>步进电机正反转的原理，及程序设计

MOS管驱动

MOS管，大部分都是使用N管，而在平常使用的时候，都是开关作用。开关左右又涉及到<em>一个</em>开关频率和发热的问题，所以在使用的时候必须要注意。n今天就遇到一直想改进，而又没时间研究方案，怎么提高MOS管<em>驱动</em>频率和发热的问题。n平常使用，一般频率几KH,对于MOS管来说，一般都能满足。在足够的时间给MOS输入的结电容放电的情况下。但是在100KHZ，就会出现问题了。n现在我出给客户的板子，就出现了。LED高...

电机驱动-MOS管H桥原理

电机<em>驱动</em>-MOS管H桥原理 详细<em>电路</em>图和分析

mos管 光耦 pwm调光模块原理图

用dxp软件打开，淘宝买的大功率pwm模块破解的，

MOS管开关电路设计

问题描述：rn控制MOS管的Vgs可以实现开关的作用，但是当Vg小于Vd（NMOS）或者Vg小于Vd（PMOS）时，MOS管在<em>电路</em>起不到<em>一个</em>理想开关的作用，举例<em>电路</em>如图1。rnrnrn图1rn图1中VCC小于V1，这样的<em>电路</em>中，当VCC=5V时，PMOS并没有断开，所以无法实现开关的作用。rnrnrn解决方法：rn设计这样的<em>电路</em>时，需要再加<em>一个</em>控制器来作为PMOS的控制信号。具体<em>电路</em>如图2 。rn

FD6288 6路MOS管驱动

FD6288是一款集成了三个独立的半桥栅极<em>驱动</em>集成<em>电路</em>芯片，专为高压、高速<em>驱动</em>MOSFET和IGBT设计，可在高达+250V电压下工作。 FD6288内置VCC/VBS欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。 FD6288内置直通防止和死区时间，防止被<em>驱动</em>的高低侧MOSFET或IGBT直通，有效保护功率器件。FD6288内置输入信号滤波，防止输入噪声干扰。

单相MOS全桥逆变电路（直流碳刷电机的MOS驱动电路）

由于在机器人控制和各种DIY控制中，非常需要使用MOS<em>驱动</em><em>电路</em>。所以找个时间设计了一下MOS<em>驱动</em>板<em>电路</em>。nn下面贴出每部分的<em>电路</em>原理图。nnnnnnnnnn nn其中 12的升压<em>电路</em>是为了给桥臂<em>驱动</em>芯片IR2105供电使用。 这种芯片有很多替代品。MOS管主要用的是英飞凌的。nn电流大内阻也小。nn其他<em>电路</em>很简单，不细说了，重点说一下 MOS桥的<em>电路</em>模型。nn1  首先，很多<em>电路</em>中，MOS管栅源两...

无线充电器MOS选型，这篇文章就够了

n n n WINSOK微硕半导体专注于半导体封装、测试，多年来致力于电子元器件开发研究。企业于2000年成立，成为东亚地区少数能够提供“芯片测试，封装设计，封装测试，特订产品”的企业，现已拥有地区、世界级企业技术中心，博士后科研工作站，是重点高新技术企业、清洁环保型企业、高密度集成<em>电路</em>国家工程实验室依托单位及全球半导体联盟(GSA)成员。nnnnnn微硕半导体以创新...

MOS管的并联理论

一、MOS管并联理论：nn(1)、三极管(BJT)具有负的温度系数，即当温度升高时，导通电阻会变小。nn(2)、MOS管具有正的温度系数，即当温度升高时，导通电阻会逐渐变大。nnMOS管的这一特性适合并联<em>电路</em>中的均流，因此当<em>电路</em>中电流很大时，一般会采用并联MOS管的方法来进行分流。采用MOS管进行电流的均流时，当其中一路电流大于另一路MOS管中的电流时，电流大的MOS管产生的热量多，从而引起导通电...

MOS实现电平转换，电平匹配

MOS实现电平转换nn0 前言nn在<em>电路</em>开发的过程中，经常遇到两个系统电平不一致的情况，这时候如果两个系统需要通信，就需要进行电平转换也就是level shifting，如果通信线比较多或者有其他特殊需求，可以选用集成的level shifting芯片进行设计，<em>电路</em>设计复杂度低，但是成本比较高。如果只有一两路信号，我们可以选用<em>mos</em>进行电平转换，造价比较低。nn1 芯片选型及原理图nn下面以1.8...

MOS管驱动电阻怎么选择

MOS管<em>驱动</em>电阻怎么选择,给定频率,MOS管的Qg和上升沿怎么计算用多大电阻 首先得知道输入电容大小和<em>驱动</em>电压大小,

揭秘MOS管在电路中发热的四大可能性

 nn　　无论N型或者P型MOS管，其工作原理本质是一样的。MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中，MOS管的开关速度应该比三极管快。nn        nn　　常用MOS管的漏极开路<em>电路</em>，如图2漏极原封不动地接负载，叫开路漏极，开路漏极<em>电路</em>中不管负载接...

mos管驱动电路最小门极电阻计算

在知乎看到一篇回答，对其中<em>驱动</em>电阻下限值计算的部分存疑，而后在名为《IGBT 以及 MOSFET 的<em>驱动</em>参数的计算方法》的应用指南 AN-1001 中找到了满意的答案。在该应用指南中由 Eq.6 得到了门极电流 i(t)i(t) 不振荡的阻尼条件 Eq.7，并以此得出了电流波形不振荡的最小门极电阻的计算公式。然而，该应用指南并未讲述如何推导出 Eq.7，故写此文列出推导过程，如下： n由 Eq.6

关于mos驱动芯片的layout

在绘制buck<em>电路</em>的过程中发现layout对<em>电路</em>的影响较大. 高手指出了我绘制<em>电路</em>中的问题, 如下:nnnnnn各个回路的面积都比较大, 下边是更改后的layout,还是不够好,不过经过调试后输出也基本能符合要求了, 可以对比一下.nnnn在调试的时候还发现另外一些问题:nnnn上管的<em>驱动</em>波形为啥会突然下跌然后又上升,200khz 4.7nf 感觉是这个自举电容小了,nnnn增大自举电容后波形改...

利用MOS管和稳压二极管来做保护电路

上面这个图中利用稳压管和PMOS管组成<em>一个</em>保护<em>电路</em>，起过压保护和防反接的的作用。线分析一下：n1.当输入端输入的是5V左右的电压的时候（图中的+5V），稳压二极管没有被反向击穿，Q26三极管处于截止状态。PMOS管的G极接到GND。PMOS管导通，所以D极输出的就是5V电压n2.假设输入端输入的电压大于5V很多，比如12V或者24V，此时DZ2(稳压二极管)处于反向击穿区，Q26三极管导通，P

N型MOS管饱和区&MOS与逻辑门电路

一.导电沟道机理：如果外部不加控制电压就有导电沟道的是耗尽型n                        如果需要外部加控制电压才有导电沟道的是增强型。nnCMOS反相器是由N沟道和P沟道增强型MOS管组成；nn二.为什么N沟道增强型MOS管的存在饱和区？？nn首先明白N沟道增强型MOS管的结构：N管一定是P型衬底，（P管一定是N型衬底，P型衬底的的载流子是电子），在P型衬底上用扩散法制作两个...

OPA、MOS管分别组成电压源、电流源线性驱动

用OPA、 MOS管分别构成电压源、电流源线性<em>驱动</em>的仿真原理图

电荷泵自制MOS管高压驱动电源

在电机<em>驱动</em><em>电路</em>中，通常采用MOS作为<em>驱动</em>单元，而MOS管为电压<em>驱动</em>器件，需要5V-10V的<em>驱动</em>电压才可以开启，一般的控制<em>电路</em>为3V-5V工作电压，直接连接无法<em>驱动</em>MOS管正常工作，或者由于导通电阻过大，MOS管发热严重。另一方面，由于PMOS导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端<em>驱动</em>方式也，通常还是用NMOS，这样就要求门极<em>驱动</em>电压在<em>驱动</em>电压的基础上再增加5-10V，也就是说，如果<em>驱动</em>负载的...

分享一个无线充电使用的集成驱动和mos的功率芯片SND05。

SN-D05是一款用与无线充电的智能功率芯片，该芯片集成了<em>驱动</em>及两颗高效功率级场效应管， 内置自举高压PMOS ，内置5V/30mA LDO，具有自适应死区功能。该芯片还集成了欠压保护和过温保 护功能。

MOS管驱动芯片IR2130的输出不正确，是何原因？

楼主现在正在做<em>一个</em>无刷直流电机的电机控制器，选用了IR2130作为MOS管的<em>驱动</em>芯片。程序采用的是开环控制。目前IR2130输入端的6路波形即PWM波是正确的，而IR2130输出端的6路输出中，LO1,LO2,LO3是正确的，HO1,HO2,HO3的波形如图所示。希望各位道友帮助我分析一下，如何解决这个问题。...

MOS管 H桥

<em>mos</em>管的特点。1.管压降（Vds）特别小。2.<em>mos</em>管导通（Vds导通）条件：Vgs&amp;gt;3V

PMOS和NMOS在开关应用中高侧和低侧驱动的对比

一说到开关，我们脑海中首先浮现的就是各式各样的机械开关，常见的有自锁开关、拨码开关、船型开关等等。区别于这类常见的机械开关，我们在电子<em>电路</em>中常用的还有各类半导体开关，例如三极管开关、使用三极管级联的达林顿管开关、MOS管开关、晶闸管开关等等。我们可以看到普通机械开关与半导体开关最大的差异就在于开关速度上的优劣。机械开关通常是由人手动操作，其动作时间一般是几十毫秒到几百毫秒之间。而半导体开关呢？拿D

7843mos管单电机驱动使用说明

7843<em>mos</em>单电机<em>驱动</em>使用说明，可以参考使用............................

H桥，逆变器mos管，igbt烧坏原因分析

一：<em>mos</em>管，igbt损坏的原因有两种，过流和过压。rn二：<em>mos</em>管过流rn2.1：什么是过流，即<em>mos</em>能过通过的额定电流，在<em>mos</em>管的芯片手册上会有相关的参数说明，如果<em>mos</em>管的电流过大，会产生极高的热量，以至于损坏芯片。rn2.2：实际案例分析rn rn rn上图是<em>一个</em>逆变器的H桥逆变<em>电路</em>，通过spwm将直流电转换为正弦波交流电。rn实际使用过程中，不管是轻负载还是重负载，T3，T6，T4，T

Y1 MOS管电路工作原理及详解

STM32 CAN总线目录STM32 CAN总线目录nMOS管画法辨认n辨认D G S边n辨认N沟道还是P沟道n辨认寄生二极管方向n总结nMOS管开关条件n导通条件n多少伏导通n实例nMOS管实物辨认n辨认三个脚n万用表辨认MOS管n辨认PNn原理n辨认MOS管是好是坏n备注MOS管画法辨认辨认D G S边S级：两线相交 nG级：不解释 nD级：单独引线边 n辨认N沟道还是P沟道箭头指向G极为N

基于运放和三极管的恒流源电路

这是软件仿真图nnnnn这是计算过程，和仿真结果一致。

MOSFET的10种驱动电路图

MOSFET的10种<em>驱动</em><em>电路</em>图,常用<em>电路</em>，内容丰富。久经考验

高端驱动与低端驱动

Mos管开关<em>电路</em>MOS管开关<em>电路</em>是利用MOS管栅极（g）控制MOS管源极（s）和漏极（d）通断的原理构造的<em>电路</em>。因MOS管分为N沟道与P沟道，所以开关<em>电路</em>也主要分为两种。 nP沟道MOS管开关<em>电路</em> n nPMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端<em>驱动</em>）。需要注意的是，Vgs指的是栅极G与源极S的电压，即栅极低于电源一定电压就导通，而非相对于地的电压。但是因为PMO

高速MOSFET门极驱动电路的设计应用指南(有图完整版)

MOSFET<em>驱动</em><em>电路</em>设计指导，非常详尽，非常有用

7843MOS双路驱动模块

包含7843MOS双路<em>驱动</em>模块的<em>电路</em>原理图，<em>驱动</em>模块的使用说明，<em>驱动</em>模块的测试程序，程序有K60和XS128的测试程序，还有<em>电路</em>板中的元器件参数等

3.3V和5V电平双向转换——NMOS管

<em>电路</em>十分简单，仅由3个电阻加<em>一个</em>MOS管构成，<em>电路</em>图如下：        上图中，SDA1/SCL1，SDA2/SCL2为I2C的两个信号端，VDD1和VDD2为这两个信号的高电平电压。<em>电路</em>应用限制条件为：1，VDD1 ≤ VDD2；2，SDA1/SCL1的低电平门限大于0.7V左右（视NMOS内的二极管压降而定）；3，Vgs ≤ VDD1；4，Vds ≤ VDD2 。        对于3.3V...

IR2104，LR7843，MOS管全桥双电机驱动

该双电机<em>驱动</em>是我在参加全国大学生“恩智浦”智能车竞赛时画的，采用IR2104半桥<em>驱动</em>器和LR7843MOS管构成，经验证很好用，该方案的另外<em>一个</em>好处就是便宜，PCB布局还待改进。该资源内部包含原理图和PCB，如果大家做和电机有关的东西，希望帮助到大家，同时我也赚两个积分，哈哈。有用请好评，下载如果没有积分，可以在淘宝上找代下，一般两块钱左右。

MOS管应用--消除振铃方法

MOS管应用--消除振铃方法 SNUBBER DESIGN FOR NOISE REDUCTION IN SWITCHING CIRCUITS

最经典MOS管电路工作原理及详解没有之一

MOS管<em>电路</em>工作原理。详解介绍PMOS、NMOS的开关条件，MOS管的工作原理。具体<em>电路</em>用哪种MOS管更合理

N-MOS电平转换电路分析

下面这个<em>电路</em>是<em>一个</em>利用N-MOS管搭建的5V与3.3V之间电平转换的<em>电路</em>，一般在I2C电平转换上用的比较多，当然也可以用于其他低速信号的电平转换。nnnn这个<em>电路</em>设计有<em>一个</em>关键点就是两边都需要加上拉，分别是两种电平的电压值。nn我们来看一下他是如何工作的：nn1、当左边为高电平时，Vgs = 0,MOS管不通，则右边被3.3V上拉，为高电平；nn2、当左边为低电平时，右边的电通过MOS管的内部体二...

MOS管基本使用电路

整理了一下MOS管的基本使用套路，希望能对大家有用。nnnn上图是四种MOS管的使用<em>电路</em>，按使用环境的不同，一般有四种接法。nn如图1，这是N管的最常用的一种<em>电路</em>，N管S端接地，D端接负载。则当G端信号电压大于GND+Vgs的时候，<em>mos</em>开启，当信号电压小于GND+Vgs时关闭。R1电阻使无外加信号时<em>mos</em>处于关闭状态。nn如图2，这是P管通常使用的接法。P管S端接Vcc，D端接负载。则当G端信号...

IRMOS管选型

IRMOS管选型，列举了大量的IR MOS管型号，以及各项指标参数

H桥电路中mos管串联二极管的作用

nn因为MOSFET的体二极管速度太慢，有反向直通，所以采用<em>一个</em>二极管串联在外面，外面再整体并联<em>一个</em>nn而且高压瞬态完全不一样的，就现在大家做的逆变器，全桥，都是没有考虑这个直通的，因为这个直通的时间都是次ns级以内的nMOS还是可以扛住的，然后遇到那种变态的高可靠性要求，全部都算FAILnn串联二极管没有特殊要求只需要电流够就行nn ...

详细讲解MOSFET管驱动电路

MOSFET管<em>驱动</em><em>电路</em>的资料，基本的东西都讲到了，可以看一下

AP5160外置MOS管降压恒流IC大功率工作灯IC

深圳市世微半导体推出一款外置MOS管可以<em>驱动</em>7.5A工作灯<em>驱动</em>ICnnnnnnAP5160 是一款效率高，稳定可靠的 LED 灯恒流<em>驱动</em>芯片，内置高精度比较器，固定关断时间控制<em>电路</em>，恒流<em>驱动</em><em>电路</em>等，特别适合大功率LED 恒流<em>驱动</em>。nnAP5160 采用SOT23-6 封装，通过调节外置电流检测电阻的阻值来设置流过 LED 灯的电流，从而设置 LED 灯的亮度，外驱 MOS 最大输出电流可达 7...

mos管的两种接法

参见：https://zhidao.baidu.com/question/575450692.html图中使用的是NMOS管，左边的<em>电路</em>中，控制端为0V时MOS管关断，S极的电平为0，当G极给一定电压U0时MOS管导通，这时候负载（R）有电流（I）通过，S极的电压为U1 = R * I，这时候G极和S极之间的压差为U2=U0-U1，当U2不能够将MOS管完全导通时流过负载的电流就会降低，最后达到<em>一个</em>

电平转换经典电路

用<em>mos</em>管隔离<em>电路</em>

MOS管工作原理

作者：睿一rn微信公众号：电子工程师的日常rnrn一、MOS管分类rn场效应管按沟道分可分为Ｎ沟道和Ｐ沟道管（在符号图中可看到中间的箭头方向不一样）。rn按材料分可分为结型管和绝缘栅型管，绝缘栅型又分为耗尽型和增强型，一般主板上大多是绝缘栅型管简称MOS管，并且大多采用增强型的Ｎ沟道，其次是增强型的Ｐ沟道，结型管和耗尽型管几乎不用。rn rnrnrnrnrnrn绝缘栅型场效应管(MOSFET)rn

增强型P沟道mos管（如si2333ds）开关条件

增强型P沟道<em>mos</em>管（如si2333ds）开关条件nnnp<em>mos</em>管作为开关使用时，是由Vgs的电压值来控制S（source源极）和 D（drain漏极）间的通断。nVgs的最小阀值电压为：0.4v，也就是说当 S（source源极）电压 — G（gate栅极）极  S（source源极）电压  > 0.4V 时， 源极 和 漏极导通。n并且最大漏源电流和Vgsn例如：

MOS管在开关电路中的使用

        MOS管也就是常说的场效应管（FET），有结型场效应管、绝缘栅型场效应管（又分为增强型和耗尽型场效应管）。也可以只分成两类P沟道和N沟道，这里我们就按照P沟道和N沟道分类。对MOS管分类不了解的可以自己上网查一下。nn        场效应管的作用主要有信号的转换、控制<em>电路</em>的通断，这里我们讲解的是MOS管作为开关管的使用。对于MOS管的选型，注意4个参数：漏源电压（D、S两端承受的...

揭秘MOS管在音响功放中的详细应用

 nn　　MOS管跟三极管的区别;MOS管是电压控制器件，它只要小量的Qg<em>驱动</em>电流就能动作了。而三极管是电流<em>驱动</em>器件。B极电流越大，IC就越大。nn　　MOS管到底好在哪里呢?好就好在它的电流控制能力。同样的15A的管子，三极管要达到15A输出，可能Ib都要达到1、2A了，（放大倍数不是线性的）。这给推动级很大的压力。而MOS不会，它还是同样的Qg充电电流就可以应付。而且MOS的过载能力很强，瞬态...

单片机中的一些常见电路

今天又重温了下2年前学过的51<em>单片机</em>，看了下<em>单片机</em>相关的知识，有些东西都已经有点遗忘，有些问题也想的更深了，这是我在网上自己整理的几个常见问题资料。n首先是在看<em>一个</em>喇叭<em>电路</em>时，通过<em>单片机</em>的<em>一个</em>IO口来控制PNP管的导通与否，进而控制这个喇叭是否工作，下面介绍NPN、PNP管的相关知识：nNPN和PNP主要就是电流方向和电压正负不同，说得“专业”一点，就是“极性”问题。 NPN 是用 B→E 的

一种电源自动切换电路

这里记录一种简单、易实现的电源自动切换<em>电路</em>，如下图所示：nnnn这里Q1为P沟道<em>mos</em>管，Vgs(th) = -0.7V。P1为电池接口，输入电压为3.7V~4.2V，接在<em>mos</em>管的D级；4V4为USB接口经稳压管转换后的电压，接在<em>mos</em>管的G级，D6为肖特基二极管，正向压降为0.3V；VOUT为输出，经过开关P2接在<em>mos</em>管的S级。以下分析三种情况：nnn当VBAT接入，4V4没接入时，G级被下...

经典MOS管电路使用详解

对MOS管<em>电路</em>使用 分析透彻，参考使用

驱动电路设计（光耦，达林顿管）

达林顿管内部结构如下：nnn  ULN2803也是<em>一个</em>8路反向器<em>电路</em>，即当输入端为高电平时ULN2803输出端为低电平，当输入端为低电平时ULN2803输出端为高电平，继电器得电吸合。同时，内部还集成了<em>一个</em>消线圈反电动势的二极管。n典型<em>电路</em>如下：nnn为了实现输入和输出隔离，结合光耦来设计！常用<em>电路</em>如下：

【Hardware】【02_电路】【01_手机震动马达】

这里所说的手机马达，主要是指应用到手机上的震动小马达，其主要作用便是让手机产生震动效果。n常用的手机震动马达有三种：nn1.圆柱形震动马达n2.扁平纽扣式震动马达n3.线性马达nn其中扁平马达尺寸规格如下：（直径+厚度，如08表示直径为8MM,27表示厚度为2.7MM）：n0827、0830、0834 1020、1027、1030、1034 1227、1234n圆柱马达尺寸规格如下：(长x宽x高)...

MOS管防反接电路

MOS防反接<em>电路</em>，低功耗技术设计，压降小，内阻小。NMOS,PMOS.

分析如何用万能表测试MOS管好坏的小窍门

 nn　　现在家电、照明、汽车电子等领域行业开关管均采用性能优异的MOS管取代过去的大功率晶体三极管，使整体的效率、可靠性、故障率均大幅的下降。nn         nn　　虽说是大幅降低，但也会出现损坏的情况，由于MOS管和大功率晶体三极管在结构、特性有着本质上的区别，在应用上<em>驱动</em><em>电路</em>也比晶体三极管复杂，致使维修人员对<em>电路</em>、故障的分析倍感困难。怎么对MOS管进行检测呢？一起来了解下nn　　MOS...

实验：MOS 管共源放大电路分析 cadence

实验：MOS 管共源放大<em>电路</em>分析 cadence实验：MOS 管共源放大<em>电路</em>分析 cadence

I2C总线3.3V与5V双向电平转换电路

rn<em>电路</em>功能：rn实现I2C双向总线系统中3.3V与5V电平的双向转换，且不需要方向选择信号，而且还能将掉电的总线部分和剩下的总线系统隔离开来，保护低压器件防止高压器件的高电压毛刺。rn整个<em>电路</em>工作过程：rnrn从<em>电路</em>中可以看出，SDA和SCL的电平转换<em>电路</em>结构是一样的，每个总线上都串有<em>一个</em>分立的MOSFET，和相应的上拉电阻。rn分析这个<em>电路</em>时要分清楚的<em>电路</em>的工作状态：rn状态1：总线上没有数据传输时（空闲状...

电机驱动电路总汇

首先，<em>单片机</em>可以输出直流信号，但是它的<em>驱动</em>能力也是有限的，所以<em>单片机</em>一般做<em>驱动</em>信号，<em>驱动</em>大的功率管如Mos管(LR7843)，来产生大电流从而<em>驱动</em>电机，且占空比大小可以通过<em>驱动</em>芯片控制加在电机上的平均电压达到转速调节的目的。rnrn电机<em>驱动</em>主要采用N沟道MOSFET构建H桥<em>驱动</em><em>电路</em>，H 桥是<em>一个</em>典型的直流电机控制<em>电路</em>，因为它的<em>电路</em>形状酷似字母 H，故得名曰“H 桥”。4个开关组成 H 的 4 条垂

自己搭的12V 电机驱动电路设计

1、单MOS管<em>驱动</em><em>电路</em>，采用P75NF75为主角构成。nnnn2、双MOS管电机<em>驱动</em><em>电路</em>设计，采用D4184管组合。nnnn3、半桥<em>驱动</em><em>电路</em>设计，采用BTS7960芯片，两路半桥构成全桥<em>驱动</em><em>电路</em>。nn...

H桥驱动电路及Multisim仿真

2110<em>驱动</em>MOS管 Multisim 仿真

MOSFET实现not门电路

N型MOSFET:n栅极加控制电压时，源极和漏极电流接通n不加控制电压，源极和漏极电流断开nP型MOSFET:n栅极加控制电压时，源极和漏极电流断开n不加控制电压，源极和漏极电流接通

用系统的角度分析MOS管震荡

网上找到的<em>一个</em>帖子，用系统的角度分析MOS管产生震荡的原因，原文如下nnnnnnnnnnnn======================以下是我自己的计算================================nnnn话说楼主这样化简一些数据没有问题吗nn用matlab仿真nnnnnn下面的计算结果也不一样nnnnmatlab绘制阶跃响应和根轨迹nnnnnn结论是正确的nn不同的电压上升对...

有刷直流电机H桥功率驱动电路的设计心得

有刷直流电机<em>驱动</em><em>电路</em>可以说有太多太多的经典<em>电路</em>了，而基于MOS管的H桥<em>驱动</em><em>电路</em>更普遍的应用到电机<em>驱动</em>中，而基于MOS的H桥<em>驱动</em><em>电路</em>大类有两种设计方案：   （1）、上桥臂采用PMOS管，下桥臂用NMOS管；n（2）、上桥臂和下桥臂都使用NMOS管，上桥臂通过<em>一个</em>电荷泵升<em>电路</em>控制通断。n        其中方案（1）中的PMOS造价相对高而且导通电阻会比较大，所以实际应用中普遍采用（2）方案。

一款mos纯甲类功放电路

靓声纯甲类MOS管功放<em>电路</em>.靓声纯甲类MOS管功放<em>电路</em>.靓声纯甲类MOS管功放<em>电路</em>.靓声纯甲类MOS管功放<em>电路</em>.

（要更新）N沟道和P沟道MOSFET

一、借鉴基础知识：nn       MOS管基础知识百度文库链接：https://wenku.baidu.com/view/fc0a7d2eccbff121dd3683b2.htmlnn       首先，我并没有转载某知名博主的文章，只是觉得PPT的图片截取的还可以；nn       其次，博客地址：https://blog.csdn.net/zhengyanan815/article/deta...

逆变管反向并联二极管的作用

在逆变桥中每个逆变管都反向并联<em>一个</em>二极管，其主要作用是为感性负载能量回馈提供回路。例如异步电动机，其定子可等效为电阻和电感，所以如图所示，电流将会滞后于电压的变化。rn在0-t1时间段内，电流与电压的方向相反，此时，绕组的自感电动势（反电动势）克服电源做功（磁场做功）。这时的电流将通过反并联二极管向直流回路，给电容充电；rn在t1-t2时间段内，电流和电压方向相同，是电源克服绕组的自感电动势在做功

MOS管驱动电路总结

MOS管种类和结构、MOS管导通特性、MOS开关管损失、MOS管<em>驱动</em>、MOS管应用<em>电路</em>（低压应用、宽电压应用、双电压应用....）

MOS管应用的一些注意事项

MOS管做为电压<em>驱动</em>大电流型器件，在<em>电路</em>尤其是动力系统中大量应用，MOS管有一些特性在实际应用中是我们应该特别注意的1、 MOS管体二极管，又称寄生二极管，在单个MOS管器件中和，在集成<em>电路</em>光刻中没有，这个二极管在大电流<em>驱动</em>中和感性负载时可以起到反向保护和续流的作用，一般正向导通压降在0.7-1V左右，因为这个二极管的存在，MOS器件在<em>电路</em>中不能简单地看到<em>一个</em>开关的作用，比如充电<em>电路</em>中，充电完成，...

MOS管栅极串联电阻的作用

如果没有栅极电阻，或者电阻阻值太小 nMOS导通速度过快，高压情况下容易击穿周围的器件。n栅极电阻阻值过大 nMOS管导通时，Rds会从无穷大将至Rds(on)(一般0.1欧姆级或者更低)。栅极电阻过大时，MOS管导通速度过慢，即Rds的减小要经过一段时间，高压时Rds会消耗大量功率，导致MOS管发烫。过于频繁地导通会使热量来不及发散，MOS温度迅速身高。n在高压下，PCB的设计也需要注意。栅极电阻

RC吸收电路的设计

PWM DC/DC变换器中吸收<em>电路</em>的主要作用如下：nn将开关管的电压、电流和功耗限制在安全工作区域（SOA）以内。n 保证开关管在开、关过程中du/dt、di/dt足够小，限制开关管上的电压或电流峰值，从而保证开关管正确可靠地运行；并降低EMI的水平。n 限制开关功耗，并将它转移，使开关管器件的结温不超过规定值。n 使PWM DC/DC变换器中的二极管开关过程减慢，其正向恢复电压或反向恢复电流...

ext-2.0.2包下载

ExtJS是一个很不错的Ajax框架，可以用来开发带有华丽外观的富客户端应用，使得我们的b/s应用更加具有活力及生命力。ExtJS是一个用javascript编写，与后台技术无关的前端ajax框架。因此，可以把ExtJS用在.Net、Java、Php等各种开发语言开发的应用中。 最近我们在几个应用都使用到了ExtJS，对公司以前开发的一个OA系统也正在使用ExtJS2.0进行改造，使得整个系统在用户体验上有了非常大的变化。本教程记录了前段时间本人学习ExtJS的一些心得及小结，希望能帮助正在学习或准备学习ExtJS的朋友们快速走进ExtJS2.0的精彩世界。 相关下载链接：[url=//download.csdn.net/download/zhangtao19820110/2139915?utm_source=bbsseo]//download.csdn.net/download/zhangtao19820110/2139915?utm_source=bbsseo[/url]

科盟交通CADv3.1.5 R16目录下的完美破解下载

科盟交通CADv3.1.5 R16目录下的完美破解补丁。 解压后将两个文件复制到科盟交通CAD安装目录下的R16中，替换原文件即可。 相关下载链接：[url=//download.csdn.net/download/wr91128/2279083?utm_source=bbsseo]//download.csdn.net/download/wr91128/2279083?utm_source=bbsseo[/url]

《ARM应用系统开发详解(第二版)》下载

适合刚入门的新手，也适合实际开发做项目的人使用，绝对是一本好书。 相关下载链接：[url=//download.csdn.net/download/qq112358hai198771/2682346?utm_source=bbsseo]//download.csdn.net/download/qq112358hai198771/2682346?utm_source=bbsseo[/url]

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