MOSFET的Datasheet阅读技巧

对MOS的一些参数以及<em>datasheet</em>上的图进行分析，讲解那些参数需要重点关注

MOSFET从原理到使用

0 引子 最近打算把项目中的继电器<em>开关</em>控制换成MOSFET<em>开关</em>控制，继电器虽然控制简单但是关断次数有限，不适合高<em>频率</em>的关断闭合，而MOSFET属于压控组件，只要<em>通过</em>改变栅源电压就可以实现快速<em>开关</em>动作，且MOS管阻抗极大相较于继电器损耗功率更低。 1 MOS管基础 FET（Field Effect Transistor 场效应晶体管）主要分为两种：JFET和MOS（Metal Oxide Se

用系统的角度分析MOS管震荡

网上找到的一个帖子，用系统的角度分析MOS管产生震荡的原因，原文如下 ======================以下是我自己的计算================================ 话说楼主这样化简一些数据没有问题吗 用matlab仿真 下面的计算结果也不一样 matlab绘制阶跃响应和根轨迹 结论是正确的 不同的电压上升对...

MOSFET管开关电路基本知识总结

般来讲 , 三极管是电流驱动的 ,MOSFET 是电压驱动的 , 因为我是 用 CPLD 来驱动这个<em>开关</em> , 所以选择了用 MOSFET 做 , 这样也可以节省系 统功耗吧 , 在做<em>开关</em>管时有一个必须注意的事项就是输入和输入两端 间的管压降问题 , 比如一个 5V 的电源 , 经过管子后可能变为了 4.5V, 这时候要考虑负载能不能接受了 ,

如何读懂并理解MOSFET的Datasheet

<em>如何</em>读懂并理解MOSFET的Datasheet

关于MOSFET 必须要知道的事

MOSFET就是我们俗称的MOS管，常用的就是用MOS管来做<em>开关</em>器件。 我们通常选MOS管会希望其有如下的参数： 1、耐压足够高，避免DS的击穿。 2、导通电流足够大，保证功率的输出足够。 3、体积小发热低，避免过热损坏器件。 4、<em>开关</em>速度要快，因为要经过可变电阻区，所以要尽快， 避免过多的发热损耗。 各个参数介绍： 一、击穿电压 DS可承受的最大电压，这个参数也并不是越大

如何彻底读懂并理解MOSFET的Datasheet

<em>如何</em>彻底读懂并理解MOSFET的Datasheet

根据datasheet计算IGBT损耗

给出一种<em>通过</em>IGBT <em>datasheet</em>计算损耗的方法

速来围观MOS管的选择步骤

转载声明：本文系转载，原文地址：https://zhuanlan.zhihu.com/p/28405346 正确选择MOS管是很重要的一个环节，MOS管选择不好有可能影响到整个电路的效率和成本，了解不同的MOS管部件的细微差别及不同<em>开关</em>电路中的应力能够帮助工程师避免诸多问题.下面我们来学习下MOS管的正确的选择方法。 第一步：选用N沟道还是P沟道 为设计选择正确器件的第

MOS管开关等效电路

1、NMOS 管<em>开关</em>等效电路

晶体管开关电路的设计以及如何提高其开关速度

目录 一、晶体管<em>开关</em>电路的设计 二、提高<em>开关</em>速度 一、晶体管<em>开关</em>电路的设计 典型的晶体管<em>开关</em>电路的设计如下图所示： 这是一个输出与输入成反向的电路，也就是说当输入Vi为高电平的时候，输出Vo则为低，Vi为低电平，则输出为高。 其中，R2的作用是在输入断开的情况下，保证三极管的基极处于一个稳定状态，此处拉低，避免三极管的基极处于不<em>确定</em>状态，容易造成风险。 R1的作用是限制进入三极管...

XKT-510规格书中文

XKT-510规格XKT -510 系列集成电路，采用最先进的宽 电压自适应技术芯片设计工艺，同样的发 射电路可以在任意工作范围内电压使用而 不改变任何器件使用极为方便，电路极为 简单，具有精度高稳定性好等特点，其 专门用于无线感应智能充电、供电管理系统 中，可靠性能高书中文

深入理解MOSFET规格书/datasheet

https://mp.weixin.qq.com/s/NL7GA5NNS9eMTD0wBQu94Q

为您的DC/DC 转换器选择最佳开关频率

作者: 德州仪器Richard Nowakowski 及Brian King 提高<em>开关</em><em>频率</em>的好处很明显，但也有些缺点，设计人员应了解其中的得失利弊，才能选择最合适的<em>开关</em><em>频率</em>来加以应用。这篇实用文章将逐一说明这些考虑因素。 <em>开关</em><em>频率</em>很高的直流电源转换器(DC/DC) 正逐渐流行，因为它们可以藉由较小的输出电容和电感，进而节省电路板面积。但另一方面，负载点电源的需求量却随着处理器核心电压降到1

MOSFET用于无源触点开关的作用

在分析MOSFET功能电路时，我们常常会忽略一个问题（可能是只有我会忽略），那就是理所当然的以为MOSFET像三极管一样，导通条件，不仅仅需要满足一定条件的Ugs，而且还需要满足一定条件的Uds，其实这是错误的想法，也忽略了MOSFET的特别好的优点，这里强调一下，MOSFET导通，只需要满足一定条件的Ugs即可，即便D极不加电压，也没关系。仿真图如下： 这样就能理解MOSFET

BJT与MOSFET与IGBT的区别

一.MOSFET与IGBT的区别 从结构上来讲，以N型沟道为例，IGBT与MOSFET的区别在于MOSFET 的衬底为N型，IGBT的衬底为P型；从原理上说IGBT相当于一格MOSFET与BIpolar的组合，<em>通过</em>背面P型层空穴降低器件的导通电阻，但同时也会引入一些拖尾电流问题，从产品上来说，IGBT一般用在高压功率产品上，从600V到几千伏都有，MOSFET应用电路则从十几伏到一千左右，结构如

MOS管开关的判断及使用

在日常的电路设计过程中，MOS管<em>开关</em>是比不可少的东西，常见的有N沟道和P沟道两种MOS管<em>开关</em>。那该<em>如何</em>分辨和正确使用它们，首先看看定义： P沟道MOS管<em>开关</em>电路 PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。需要注意的是，Vgs指的是栅极G与源极S的电压，即栅极低于电源一定电压就导通，而非相对于地的电压。但是因为PMOS导通内阻比较大，所以只适用低功率的...

How to read MOSFET datasheet

该文是讲<em>如何</em>阅读MOS管的DATASHEET，可以指导<em>如何</em>进行MOSFET管的选型

mosfet datasheet

<em>mosfet</em> <em>datasheet</em> AF4953P.pdf 方便他人下载

功率MOSFET保护电路设计

功率MOSFET保护电路设计   功率MOSFET保护电路设计   随着技术的发展，功率MOSFET在社会里面的应用会越来越广泛，功率MOSFET的前景是十分的好。因此今天我为大家分析一下功率MOSFET保护电路设计的内容。下面主要分析了功率MOSFET保护电路各方面的内容。  功率场效应管自身拥有众多优点，但是MOSFET管具有较脆弱的承受短时过载能力，特别是在高频的应用场合，所以在应用功率MO

（要更新）N沟道和P沟道MOSFET

一、借鉴基础知识：        MOS管基础知识百度文库链接：https://wenku.baidu.com/view/fc0a7d2eccbff121dd3683b2.html        首先，我并没有转载某知名博主的文章，只是觉得PPT的图片截取的还可以；        其次，博客地址：https://blog.csdn.net/zhengyanan815/article/deta...

一些电子资料

常用<em>mosfet</em>的<em>datasheet</em>

MOSFET知识点

一、目前常用的都是绝缘栅增强型。 二、3个极性 栅极（gate electrode），门的意思。 源极（source electrode），电源。 漏极（drain electrode），排出，泄露的意思。 三、3个极怎么判断 G极比较好判断 S极：不论是P沟道还是N沟道，两根线相交的就是S极。 D极：不论P沟道还是N沟道，单独引线的那条是漏极。 四、N/P沟道判断

P-MOS管做开关管用

用的P-MOS管子为AOD403/AOI403。当VgsVg,管子导通。S点的电压会传到D点。 （1）若Vs=0，Vg=Vd=12V。烧管子。当时我们想，当Vg点的电压大于Vs点的电压，管子就会关掉。但是实际情况是，当g点给12V，s点给0v，管子会关掉，但是当d点电压为12v时，由于管子内部电阻很小，管子就烧坏了。 （2）若Vg=0v,Vs点加的电压由3.3v降到0v，Vd点的电压也

STP60NF06 DataSheet Power MosFet

STP60NF06 DataSheet Power MosFet

MOSFET结构及其工作原理详解

1.MOSFET的 工作原理 　　MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。 　　功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Se

使用 SiC MOSFET：挑战与设计建议---凯利讯半导体

对于电网转换、电动汽车或家用电器等高功率应用，碳化硅 (SiC) MOSFET 与同等的硅 IGBT 相比具有许多优势，包括更快的<em>开关</em>速度、更高的电流密度和更低的导通电阻。但是，SiC MOSFET 也存在自己的一系列问题，包括稳健性、可靠性、高频应用中的瞬时振荡，以及故障处理等。 　　对设计人员而言，成功应用 SiC MOSFET 的关键在于深入了解 SiC MOSFET 独有的工作特征及其对

功率MOSFET选型建议

功率MOSFET选型建议 表面上来看,MOSFET虽然是一个比较简单的功率器件，但其参数众多，并且各参数相互关联，因此在选择时需综合各方面的限制及要求进行优化选择。下面针对部分参数从应用的安全可靠性方面简单阐述选型的基本原则。 一：BVDSS最大电压应力     在电源电路应用中，往往首先考虑漏源电压BVDSS的选择。 BVDSS为正温度系数，其DATASHEET给出的值

MOSFET 导通条件（转）

https://wenku.baidu.com/view/fc0a7d2eccbff121dd3683b2.html

通过中心频率来确定VMD分解个数，程序可以运行，注意看里面的楼主想法一致论文支撑。

<em>通过</em>中心<em>频率</em>来<em>确定</em>vmd的分解个数，以及楼主的一些想法，程序完美运行，有问题请留言，有价值，请好评，谢谢。

常用MOSFET管型号

型号       极性     用途               V   A    W    ns    RON IRFBC40 N-FET MOS-enh,S-L 600 6.2 125 27/30 1.2Ω IRFBC30 N-FET MOS-enh,S-L 600 2.2 50 15/30 4.4Ω IRF820 N-FET MOS-enh,S-L 500 2.5 50 1

使用mos管需要注意的几个参数

1，VDSS（击穿电压）：此电压要选择合适，一般是加入的电压值的峰值的两倍。2，VGS（th）（开启电压）：3，RDS（on）（漏源电阻）：这个值要尽可能的小，因为一旦阻值偏大，就会使得功耗变大。而功耗一旦变大，就会加速温升。加速温升，就会需要用到散热装置，从而使得布板出现不必要的浪费。4，ID（导通电流）：

GaN（第三代器件）特性的总结

1.GaN的特点： GaN与传统的MOS管不同，由于没有PN结，不存在体二极管，所以不会有反向恢复的问题； DS之间的导通是<em>通过</em>中间的电子层，所以可以双向导通，即常开。 当需要关断时，G极加负压，实际当中不需要。（） 2.GaN与cool-MOS比较 更低的驱动损耗，100mA的驱动电流 更低的米勒效应/更低的

Matlab Mosfet m脚怎样隐藏

m脚是测量脚，一般没有什么用。可以<em>通过</em>： Model Exploer<em>mosfet</em>-> Show measurement port(在最右边一栏的下边)，把√取掉就可以了。 ->

基于漏极导通区特性理解MOSFET开关过程

 基于漏极导通区特性理解MOSFET<em>开关</em>过程[日期：2008-12-5]来源：今日电子/21IC  作者：万代半导体元件上海有限公司 刘松 [字体：大 中 小] 　 本文先介绍了基于功率MOSFET的栅极电荷特性的<em>开关</em>过程；然后介绍了一种更直观明析的理解功率MOSFET<em>开关</em>过程的方法：基于功率MOSFET的导通区特性的<em>开关</em>过程，并详细阐述了其

MOS管限流

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MOSFET开关的动态过程分析

MOSFET<em>开关</em>的动态过程分析,在高频高压情况下使用要特别注意

MOS管入门----只谈应用，不谈原理

大学的时候看到电路中涉及到MOS管的使用，指定头大。前几天偶然看见一篇文档《MOS管原理，非常详细》，对MOS管的使用总结的很透彻，所以整理到这里。以下以增强型MOS管为例解释说明。 1. 三个极怎么判定 G极(gate)—栅极，不用说比较好认 S极(source)—源极，不论是P沟道还是N沟道，两根线相交的就是 D极(drain)—漏极，不论是P沟道还是N沟道，是单独引线的那边 ...

话说MOSFET的应用

在使用MOS管设计<em>开关</em>电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。 　　下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原创。包括MOS管的介绍，特性，驱动以及应用电路。 　　1、MOS管种类和结构 　　

NDS9435快速开关MOS管的使用

      9435用来对屏<em>开关</em>的快速控制，典型电路如下：        9435的第四脚是<em>开关</em>控制，低开有效。所以电路中会根据需求用若干三极管来控制输入。1、2、3则是电压输入端，5,6,7,8是输出端。为了去掉电源的纹波干扰，一般会在R5两端并联一个贴片电容，当芯片工作时，电容接地有效滤出杂波。虽然9435后面也有电容滤波，但一般容量较小，如果容量太大，频繁<em>开关</em>机时由于电容放电慢，屏始终有电，开机出现显示数据时避免不了白屏或者闪屏。  <br

【转】MOS管应用概述(一):等效模型

MOS管相比于三极管，<em>开关</em>速度快，导通电压低，电压驱动简单，所以越来越受工程师的喜欢，然而，若不当设计，哪怕是小功率MOS管，也会导致芯片烧坏，原本想着更简单的，最后变得更加复杂。这几年来一直做高频电源设计，也涉及嵌入式开发，对大小功率MOS管，都有一定的理解，所以把心中理解的经验总结一番，形成理论模型。 MOS管等效电路及应用电路如下图所示： 把MOS管的微观模型叠加起来，就如下图所示： 我...

关于MOSFET驱动电阻的选择

等效驱动电路：   L为PCB走线电感，根据他人经验其值为直走线1nH/mm，考虑其他走线因素，取L=Length+10（nH），其中Length单位取mm。 Rg为栅极驱动电阻，设驱动信号为12V峰值的方波。 Cgs为MOSFET栅源极电容，不同的管子及不同的驱动电压时会不一样，这儿取1nF。 VL+VRg+VCgs=12V    令驱动电流    得到

MOS管的介绍与简单应用

MOS管在硬件设计中经常使用到，下面是N型MOS管，包括栅极G，源极S，漏级D。 P型的MOS管的电路符号如下： MOS管和三极管类似，只不过 MOS管是压控压型（电压控制），而三极管是流控流型（电流控制）。 至于MOS管的使用，N型与P型存在区别，对于应用，我们只需要知道：  1、对于N型MOS管，若G、S之间为高（电压方向G指向S，具体电平看具体MOS管 ），D、S（电压方向D...

功率场效应晶体管(MOSFET)原理

N沟道的MOSFET和P沟道的MOSFET区别就是驱动上面，N沟道的Vgs是正的，P沟道的Vgs是负的。只要Vgs达到了打开的门限值，漏级和源级就可以过电流了。   对于MOS管一样，只是电压驱动，Vgs>Vt(启动电压),就可以导通，Vgs越大，最大导通电流越大（满足一定条件）   MOS管和三极管区别： 1. MOS管电压驱动；三极管电流驱动 2.MOS输入阻抗高；三极管输入阻抗低

继电器与MOS管，用哪个？

楼主  发布时间：2012-9-21 17:07:27    点击率：5510 继电器与MOS管，用哪个？ 大侠们，在进行电源切换控制中，MCU控制 使用继电器好呢，还是用MOS管好呢？ 继电器的话，我担心寿命、可靠性呀 MOS呢，我不知道，但我看很多板子都是用继电器不用MOS管 就搞不明白，MOS为什么用的没继电器多呢，难道有什么不好之处？

单相PWM整流器开环仿真Simulink模型参考（20KHz开关频率）

单相PWM整流器开环仿真Simulink模型参考（20KHz<em>开关</em><em>频率</em>）

C#写COM组件

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开关频率

来自http://blog.sina.com.cn/s/blog_4aad56b0010086k7.html <em>开关</em><em>频率</em>对控制性能的影响 -----------定性------------- 理论上： 　　理想的控制效果只有在<em>开关</em><em>频率</em>无限高的情况下才能实现， 此处理想的控制效果一般指好的ＤＣ稳态调节性能（即没有稳态误差、对噪声不敏感）、无限快的动态响应性能，没有超

如何读懂DataSheet

http://www.doc88.com/p-5864404678301.html ******************************************** <em>如何</em>看DataSheet 某些状态所要维持的最短或最长时间。因为器件的工作速度也是有限的，一般都跟不上主控芯片的速度，所以它们直接之间要有时序配合。 1、先看看芯片的特性（Features）、应用场合（Ap

高速MOSFET门极驱动电路的设计应用指南(有图完整版)

MOSFET驱动电路设计指导，非常详尽，非常有用

如何看Datasheet

<em>如何</em>看Data Sheet     每一个型号的IC都有属于自己的Data Sheet，从IC的设计、规格、应用范例、封装技术到适用范围，在Data Sheet中都会被清楚地交待，当然，每一家公司所生产同编号的IC在Data Sheet中的内容还是会不太一样，但在应用及引脚的安排上却是一样的，而其最大的差异，在于测试与分类的方式有所不同，以下便是针对<em>如何</em>阅读Data Sheet所做的深入探讨。

MOS管发热原因分析一

最近参与到一款路由产品的硬件开发中，其中一项是客户需要非标准POE供电，可输出的POE供电电压为12/24/30/48V切换，最大输出功率设计为24W，电路采用反激式电源方案（电源芯片MP3910，芯片厂商提供方案），在调试该部分电路时出现MOS管（NMOS，SUD50N06）发热严重，输出电压非带载时正常，带载时（开始带载50%）,MOS管发热严重，输出电压被拉低，不论是输出哪一路电压，输出只有

开关电源MOS参数的选择

实际使用还得考虑降额使用！ VGS ID_peak VDS dV/dt 结温 Tcase(外壳温度)≤0.8×Tjmax-2×θjc×P，2×θjc×P

无线遥控电路

无线遥控项目<em>通过</em>一无线<em>开关</em>，控制有一定距离的远处物件运动，如遥控儿童玩具。 工作条件： 信号自产生，<em>通过</em>天线发射载频<em>频率</em>为 27MHz 的控制信号，接收端接收该信号后解调获得 此控制信号，以此实现远距离开和关。

在非开关工作条件下操作功率MOSFET的一些忠告

在非<em>开关</em>工作条件下操作功率MOSFET的一些忠告在非<em>开关</em>工作条件下操作功率MOSFET的一些忠告

MOS管的使用方法

1、三个极的判定           栅极（G）：中间抽头     源极（S）：两条现相交     漏极（D）：单独引线     2、沟道判定     N沟道：箭头指向G极。使用时，D极接输入，S极接输出。     P沟道：箭头背向G极。使用时，S极接输入，D极接输出。         3、寄生二极管判定     N沟通：由S极指向D极     P沟道：由D极指向S极

常见MOS管型号及参数对照表

 如有和官方文件有出入，以原文档为准！有的元器件可能停产，注意选型是否有货！ 常见MOS管型号及参数对照表   场效应管分类   型号          简介           封装 1 MOS FET      2N7000   60V,0.115A  TO-92 2 MO...

n沟道mos管做电平转换

常用的n沟道mos管 NCE2304  如上图所示，是 MOS-N 场效应管 双向电平转换电路。  双向传输原理： 为了方便讲述，定义 3.3V 为 A 端，5.0V 为 B 端。 A端输出低电平时（0V），MOS管导通，B端输出是低电平（0V）   A端输出高电平时（3.3V），MOS管截至，B端输出是高电平（5V）   A端输出高阻时（OC），MOS管截至，B端输出是高电平（5

mos管的导通电阻和耐压有啥关系?

同种工艺相同面积下，耐压越高内阻越大

超声波高压多路切换开关max14866中文手册

max14866中文数据手册，此<em>开关</em>为切换多路超声波激励信号使用

MOSFET 导通条件

https://wenku.baidu.com/view/fc0a7d2eccbff121dd3683b2.html

600v 开关mosfet

本资料详细介绍了耐压600v的<em>开关</em>管各项参数，为我们选择<em>开关</em>管提供了必不可少的参数

不能不知道的电源稳压器的选择

对于负责复杂电路板各个方面的工程师，针对特定的负载选用最合适的稳压器，是一项 令人困扰的工作。工程师需要针对具体应用，<em>确定</em>电源的关键指标，然后选取合适的稳 压器。‍‍ 细节决定成败‍ 在为便携式产品选择稳压器时，需要考虑负载率和负载特性这些重要的细节问题。负载 率是指：用电设备工作的时间和待机(或消耗很小电流)的时间的比值。负载特性是指： 正常工作时，负载电流是恒定的，还是在最小电流和

MOS器件的重要特性——15个为什么？

MOS器件的重要特性——15个为什么？（一）   （1）为什么E-MOSFET的阈值电压随着半导体衬底掺杂浓度的提高而增大？而随着温度的升高而下降？ 【答】E-MOSFET的阈值电压就是使半导体表面产生反型层（导电沟道）所需要加的栅极电压。对于n沟道E-MOSFET，当栅电压使得p型半导体表面能带向下弯曲到表面势ψs≥2ψB时，即可认为半导体表面强反型，因为这时

揭秘MOS管开关时米勒效应的详情

  　　MOS管的栅极驱动过程，可以简单的理解为驱动源对MOS管的输入电容(主要是栅源极电容Cgs)的充放电过程;当Cgs达到门槛电压之后，MOS管就会进入开通状态;当MOS管开通后，Vds开始下降，ld开始上升，此时MOS管进入饱和区;但由于米勒效应，Vgs会持续一段时间不再上升，此时ld已经达到最大，而Vds还在继续下降，直到米勒电容充满电，Vgs又上升到驱动电压的值，此时MOS管进入电阻区...

N沟道还是P沟道MOSFET

<em>如何</em>区分场效应管是N沟道还是P沟道？  答：在电路图中N沟道的MOS管箭头是向内侧指向，P沟道的箭头是向外侧指向的。    N沟道的测量方法是:万用表打到二极管档，红表笔接S极，黑表笔接D极，测到400到800的阻值就可以判断这个MOS管是N沟道的。P沟道的测量方法是:万用表打到二极管档，红表笔接D极，黑表笔接S极，测到400-800的阻值可以判断这个MOS管是P沟道的。（用表笔二极

电路常识性概念（8）-MOS管及简单CMOS逻辑门电路原理图

电路常识性概念（8）-MOS管及简单CMOS逻辑门电路原理图 2008-05-28 22:17        现代单片机主要是采用CMOS工艺制成的。 1、MOS管      MOS管又分为两种类型：N型和P型。如下图所示：  以N型管为例，2端为控制端，称为“栅极”；3端通常接地，称为“源极”；源极电压记作Vss，1端接正电压，称为“漏极”，漏

IRMOS管选型

IRMOS管选型，列举了大量的IR MOS管型号，以及各项指标参数

浅谈MOSFET驱动电路

MOSFET因导通内阻低、<em>开关</em>速度快等优点被广泛应用于<em>开关</em>电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和MOSFET的参数选择合适的电路。下面一起探讨MOSFET用于<em>开关</em>电源的驱动电路。   在使用MOSFET设计<em>开关</em>电源时，大部分人都会考虑MOSFET的导通电阻、最大电压、最大电流。但很多时候也仅仅考虑了这些因素，这样的电路也许可以正常工作，但并不是一个好的设计方案。更细致的，MOSFE

FD6288 6路MOS管驱动

FD6288是一款集成了三个独立的半桥栅极驱动集成电路芯片，专为高压、高速驱动MOSFET和IGBT设计，可在高达+250V电压下工作。 FD6288内置VCC/VBS欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。 FD6288内置直通防止和死区时间，防止被驱动的高低侧MOSFET或IGBT直通，有效保护功率器件。FD6288内置输入信号滤波，防止输入噪声干扰。

算法：根据一个开关确定一百人是否都进入过房间

该算法来源于我研究生课堂上，老师提出的一讨论题：假设教室有一<em>开关</em>，现有100人，他们必须设计一个规则，利用该<em>开关</em><em>确定</em>所有的人都进入过教室，所有人在设计好规则后都不允许再接触共享信息，且每个人被叫入教室的时机和次数都是随机的。场景一：假设教室的<em>开关</em>的状态一开始为off（两种状态，off和on）思路：从100个人中选择一个人进行计数，并且只有计数的人才能关闭按钮，其他非计数人如果进入该教室，有三种选择...

通过串口控制呼吸灯的频率

<em>通过</em>串口控制呼吸灯的<em>频率</em>闪烁的快慢，基于stm32f407单片机

三极管的开关

NPN型b极为高导通   PNP型b极为低导通   总之b极电平要与e极配合使b、e导通 三极管作用：<em>开关</em>、放大、电平转换 带箭头为射级e   Pnp型一般不接负载在三集管的E集  2个PN结的方向不一致。  PNP是共阴极，即两个PN结的N结相连做为基极，另两个P结分别做集电极和发射极；电路图里标示为箭头朝内的三极管。 NPN则相反。     NPN和PNP主要就是电流方向和电压正负不

解析MOS管的详细参数，看完这篇你就全都懂了

　 　　 　　MOS管介绍 　　 　　在使用MOS管设计<em>开关</em>电源或者马达驱动电路的时候，一般都要考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等因素。 　　 　　MOS管导通特性 　　 　　导通的意思是作为<em>开关</em>，相当于<em>开关</em>闭合。 　　 　　NMOS管的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况(低端驱动)，只要栅极电压达到一定电压（如4V或10V, 其他电压，看手...

MOS管的工作原理浅显易懂

学过模拟电路，但都忘得差不多了。重新学习MOS管相关知识，大多数是整理得来并非原创。如有错误还请多多指点！   先上一张图     一、 一句话MOS管工作原理      NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况(低端驱动)，只要栅极电压达到一定电压（如4V或10V, 其他电压，看手册）就可以了。           PMO

RTL8153的datasheet

USB3.0 千兆网卡，RTL8153的<em>datasheet</em>

MOS管开关电路设计

问题描述： 控制MOS管的Vgs可以实现<em>开关</em>的作用，但是当Vg小于Vd（NMOS）或者Vg小于Vd（PMOS）时，MOS管在电路起不到一个理想<em>开关</em>的作用，举例电路如图1。 图1 图1中VCC小于V1，这样的电路中，当VCC=5V时，PMOS并没有断开，所以无法实现<em>开关</em>的作用。 解决方法： 设计这样的电路时，需要再加一个控制器来作为PMOS的控制信号。具体电路如图2 。

教你如何选择最佳的开关式DC/DC转换器

利用电容、电感的储能的特性，<em>通过</em>可控<em>开关</em>（MOSFET等）进行高频<em>开关</em>的动作，将输入的电能储存在电容（感）里，当<em>开关</em>断开时，电能再释放给负载，提供能量就是<em>开关</em>电源。其输出的功率或电压的能力与占空比（由<em>开关</em>导通时间与整个<em>开关</em>的周期的比值）有关。<em>开关</em>电源可以用于升压和降压。 　　DC/DC转换器是利用MOSFET<em>开关</em>闭合时在电感器中储能，并产生电流。当<em>开关</em>断开时，贮存的电感器能量<em>通过</em>二极管输出给负载

multisim开关电源仿真

利用multisim仿真<em>开关</em>电源论文，在Multisim中创建电压型PWM芯片的模型。小功率<em>开关</em>电源的Multisim仿真设计

三级管的饱和区和MOS管的饱和区

三级管的饱和区和MOS管的饱和区 mos：iDs不随Vds增加而增加； bjt:iC不随iB的增加而增加；

Pspice元件库说明

1.1_SHOT              : 10个杂项器件,其中有54，74，CD的 2.7400~74S            : 74系列的器件 3.AA_IGBT             : IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET 4.AA_MISC             : 杂项DIODE MOSFET 5.ABM                 :

MOS管应用的一些注意事项

MOS管做为电压驱动大电流型器件，在电路尤其是动力系统中大量应用，MOS管有一些特性在实际应用中是我们应该特别注意的1、 MOS管体二极管，又称寄生二极管，在单个MOS管器件中和，在集成电路光刻中没有，这个二极管在大电流驱动中和感性负载时可以起到反向保护和续流的作用，一般正向导通压降在0.7-1V左右，因为这个二极管的存在，MOS器件在电路中不能简单地看到一个<em>开关</em>的作用，比如充电电路中，充电完成，...

诚心学习，诚心求教

几年之前就开始学习java和c++，就来过这个网站。那是心浮躁的很，没怎么认真学。现在工作了，既然要用的编程，真是造化弄人啊。又要重新学习了。论坛的牛人比较多，希望牛人能指点指点，关照关照！still hungry，still foolish！ 

N沟道增强型MOS管双向低频开关电路

【电路】 MOS-N 场效应管 双向电平转换电路 -- 适用于低频信号电平转换的简单应用 (原文件名:MOS-N 场效应管 双向电平转换电路.jpg) 如上图所示，是 MOS-N 场效应管 双向电平转换电路。 双向传输原理： 为了方便讲述，定义 3.3V 为 A 端，5.0V 为 B 端。 A端输出低电平时（0V） ，MOS管导通，B端输出是低电平（0V） A端输出

如何确定直流电机驱动的PWM频率

详细的讲述了直流电机驱动时的pwm<em>频率</em>应该<em>如何</em><em>确定</em>

MOS管图形及用法，由浅入深

https://wenku.baidu.com/view/fc0a7d2eccbff121dd3683b2.html

为什么用于开关电源的开关管一般用MOS管而不是三极管

区别： 1.MOS管损耗比三极管小，导通后压降理论上为0。 2.MOS管为电压驱动型，只需要给电压即可，意思是即便串入一个100K的电阻，只要电压够，MOS管还是能够导通。 3.MOS管的温度特性要比三极管好。 MOS管比三极管最大的有点是所需的驱动功率小，用MOS管做电源驱动时，只需要一个驱动电压信号即可，就可以控制很大的电源电流了（几安培到几十安培），控制很方便，如果用三极管，

saber实用实例：基于理想开关的BUCK开环仿真

仿真之前，先做简单的设定和计算： 输入电压20V，输出电压10V，那么稳态占空比是0.5。 输出电流10A，那么负载电阻是1Ω。 设定电流纹波系数为0.4，纹波电流峰峰值为10A*0.4=4A。 设定<em>开关</em><em>频率</em>为100kHz，<em>开关</em>周期为10us，那么电感量为： L=（20V-10V）*（10us*0.5）/4A=12.5uH。 电容根据经验值取100uF，电容的大

照着DATAsheet写程序的一点体会！

今天在实验室，照着74HC595的数据手册，写了一段代码，到底是没有经验的新手（以前都是拿别人的代码来改的），在写代码的时候出现了很大的问题，但是我感觉收获很多，所以现在总结下了。   首先，我现在体会到了Source Insight这个软件的优越性，写代码很方便的啊，推荐下吧。   我在21ic上下载了74HC595的DATASHEET，然后读了第一页的简介，再看看引脚图，功能表，波形图

JSONObject所需要的6个jar包下载

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Eclipse快捷大全下载

Eclipse快捷大全 Ctrl+1 快速修复(最经典的快捷键,就不用多说了) Ctrl+D: 删除当前行 Ctrl+Alt+↓ 复制当前行到下一行(复制增加) Ctrl+Alt+↑ 复制当前行到上一行(复制增加) Alt+↓ 当前行和下面一行交互位置(特别实用,可以省去先剪切,再粘贴了) 相关下载链接：[url=//download.csdn.net/download/liuguolong/2044336?utm_source=bbsseo]//download.csdn.net/download/liuguolong/2044336?utm_source=bbsseo[/url]

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