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W25Q128读写问题
jason__yu
2018-05-30 08:43:50
用430加该芯片储存数据,正常操作读写没有问题,每次存储的数据在被读出后,新一次实验前都会擦除整片数据,不存在覆盖问题,但是偶尔会出现做完一次实验后单片机休眠几个小时后再次存入数据可能会出现数据错误。错误数据的形式跟芯片没有擦除覆盖后的数据很像。请问该芯片的整片芯片的擦除指令是否会有遗漏的情况,或者是别的其他问题
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W25Q128读写问题
用430加该芯片储存数据,正常操作读写没有问题,每次存储的数据在被读出后,新一次实验前都会擦除整片数据,不存在覆盖问题,但是偶尔会出现做完一次实验后单片机休眠几个小时后再次存入数据可能会出现数据错误。错误数据的形式跟芯片没有擦除覆盖后的数据很像。请问该芯片的整片芯片的擦除指令是否会有遗漏的情况,或者是别的其他问题
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qq_43843703
2019-05-10
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这么好的东西,不错不错好东西。。。。。
btchengzi0
2018-08-14
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发送擦除指令后,要读状态寄存器,直到busy位变为0才开始写。
将W25Q256换成
W25Q128
QSPI出现读ID正常,但
读写
数据失败
问题
解决
W25Q256更换为
W25Q128
时出现
读写
失败
问题
,解决方法包括:1. 修改Flash尺寸参数为16MB(0X1000000);2. 调整地址位宽参数,将(3 << 4)改为(2 << 4);3. 在初始化函数中增加100ms延时(HAL_Delay(100))确保稳定。这些改动涉及QSPI配置调整,解决了读ID正常但
读写
数据失败的
问题
。
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以及W25Q64有什么区别?
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