NAND FLASH 小文件也至少占用一个BLOCK吗? [问题点数:50分]

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编程器烧写NAND flash的一些说明
注意事项: 1.大小端模式,也即在使用编程器时需不需要做字节反序 2.Spare area处理方式,需要还是不需要,是否含有私有ECC算法。 3.坏块处理方式。 摘要一段说明如下:(虽然针对西尔特SUPERPRO/9000U的文章,但也对许多其他的适用) 2.关于NAND FLASH技术以及烧录模式使用说明 2. How Nand Devices are programmed on
nandflash读写是以page为单位的测试
我用的nad<em>flash</em>1个page时2k,也就是0x800 下面对<em>flash</em>读取,看一下到底读10个字节和1个字节有啥区别 [root@EmbedSky arm-linux]# ./<em>nand</em>dump -s 0x100800 -l 10 -f 10.txt /dev/mtd0 ECC failed: 0 ECC corrected: 0 Number of bad <em>block</em>s: 0 Num
[转]NandFlash的分区实现
NandFlash的分区实现提到分区就需要知道MBR,了解分区表。什么是MBR     硬盘的0柱面、0磁头、1扇区称为主引导扇区,NANDFLASH由BLOCK和Sector组成,所以NANDFLASH的第0 BLOCK,第1 Sector为主引导扇区,FDISK程序写到该扇区的内容称为主引导记录(MBR)。该记录<em>占用</em>512个字节,它用于硬盘启动时将系统控制权交给用户指定的,并在分区表中登记了的某个操作系统区。 MBR的组成<em>一个</em>扇区的硬盘主引导记录MBR由如图6-15所示的4个部分组成。主引导程序(偏移地
NAND FLASH大页和小页
1. 硬件特性: 【Flash的硬件实现机制】 Flash全名叫做Flash Memory,属于非易失性存储设备(Non-volatile Memory Device),与此相对应的是易失性存储设备(Volatile Memory Device)。这类设备,除了Flash,还有其他比较常见的如硬盘,ROM等, 与此相对的,易失性就是断电了,数据就丢失了,比如大家常用的内存
nandflash详解(不错)
http://www.crifan.com/files/doc/docbook/<em>nand</em>_get_type/release/html/<em>nand</em>_get_type.html Linux MTD下获取Nand <em>flash</em>各个参数的过程的详细解析 版本:v1.1 Crifan Li 摘要 本文主要介绍了Nand Flash
深入理解nandflash之基本特性
<em>nand</em><em>flash</em>作为嵌入式中的”磁盘”, 被广泛的应用, 以(K9F2G08U0B)为例,其他型号都差不多 <em>nand</em><em>flash</em>的结构 <em>nand</em><em>flash</em>的结构有页(page), <em>block</em>(块)的概念,其中页是真实概念,而块儿是虚拟概念(目的是为了更好的管理存储空间) page: <em>一个</em>page大小为2K + 64bytes, 如上图所示,其中的64bytes是所在页的infomation,
SLC NAND FLASH的物理结构
网上有太多的文章介绍这部分知识,这里就简单的摘一部分SLC和MLC的介绍: 什么是SLC?  SLC英文全称(Single Level Cell——SLC)即单层式储存 。主要由三星、海力士、美光、东芝等使用。    SLC技术特点是在浮置闸极与源极之中的氧化薄膜更薄,在写入数据时通过对浮置闸极的电荷加电压,然后透过源极,即可将所储存的电荷消除,通过这样的方式,便可储存1个信息单元,
基于nand flash的文件系统的整理
一、            Nand<em>flash</em>简介 基本概念:<em>flash</em>芯片、<em>block</em>、page、附加页 1.1结构 Flash芯片的擦除以块为单位,写以页为单位。在每个<em>flash</em>芯片中包括非常多的块,同款芯片上每个块的大小相同(2MB、4MB..),在每个块上包含多个页,每个页大小相同。在每个页面后都跟随着<em>一个</em>附加页,用来对对应页面进行标记或者对页上的数据进行校验,页面通常的大小为2Kb
Nand Flash的物理存储单元的阵列组织结构
Nand <em>flash</em>的内部组织结构,此处还是用图来解释,比较容易理解: 图2.Nand Flash物理存储单元的阵列组织结构 上图是AFND1G08U3的datasheet中的描述。 简单解释就是: 1.<em>一个</em><em>nand</em> <em>flash</em>由很多个块(Block)组成, 块的大小一般是 -&amp;gt; 128KB, -&amp;gt; 256KB, -&amp;gt; 512KB 此处是128KB。 2....
关于块设备与nand flash的初步小结
块设备的读写实现的过程基本是对文件的读写转换成对磁盘等硬件设备的读写,而函数ll_rw_<em>block</em> 会把文件系统的读写转换成对扇区的读写,实际上字符设备也完全可以使用早呢样的接口完成对磁盘读写,而我们完成的块设备驱动部分的框架很简单,这个框架的主要功能是用来“优化”,关于电梯算法。 如何写块设备驱动程序: 分配最主要的:gendisk,使用函数alloc_disk 分配/设置队列,使
闪存基础
目前绝大多数SSD都是以NAND FLASH为存储介质的。SSD工作原理很多都是基于NAND FLASH特性的。比如,NAND FLASH在写之前必须先擦除,而不能覆盖写,于是SSD 才需要垃圾回收(Garbage Collection,或者叫 Recycle);NAND FLASH 每个块(Block)擦写次数达到一定值,这个块就不能用了(数据丢失,或者写入不了),所以SSD 固件必须做 Wear
杂谈FTL
NAND <em>flash</em>的组成<em>一个</em>典型的Flash芯片由Package, die, plane, <em>block</em>和page组成,如下图:Package: 也就是chip即Flash芯片,就是我们经常在M.2的SSD上看到的NAND <em>flash</em>颗粒:Die: <em>一个</em>NAND颗粒是由一颗或者多颗Die封装在一起而成,这种封装可是平排的,也可以是层叠的。die内部可以通过3D 堆叠技术扩展容量,譬如三星的V-NA...
nand的坏块管理机制以及BBT相关知识(持续更新)
NAND Flash是一种高密度低成本的存储体,在各种设备中被广泛使用。U盘等USB存储设备、SD卡、手机、固态硬盘等各种设备中使用的都是NAND芯片。其内部结构是按照块/页进行组织的,<em>一个</em>NAND芯片包含若干个块,块内有页组成。每个页也包含data区和spare区。由于制作工艺和成本的原因, 在出厂的时候,NAND的spare区会存在坏块。那么如何对坏块进行管理呢?       总体上来讲
使用NandFlash、ubi文件系统时需要的问题
使用<em>nand</em><em>flash</em>、ubi文件系统,有时候会出现下面的情况,用uboot命令行烧写ubi文件系统后,第一次启动没有问题, 但之后的启动就都会出问题,一般是因为多检测到了几个坏块导致的启动不了。 可能的原因是写<em>nand</em><em>flash</em>时没有跳过空页,也就是说在写某页数据之前,没有判断该页数据是否全是0xff。 可以在uboot(版本1.1.6)中做如下修改: 在drivers/<em>nand</em>/n
NAND FLASH 内存详解与读写寻址方式
一、内存详解NAND闪存阵列分为一系列128kB的区块(<em>block</em>),这些区块是NAND器件中最小的可擦除实体。擦除<em>一个</em>区块就是把所有的位(bit)设置为"1"(而所有字节(byte)设置为FFh)。有必要通过编程,将已擦除的位从"1"变为"0"。最小的编程实体是字节(byte)。一些NOR闪存能同时执行读写操作(见下图1)。虽然NAND不能同时执行读写操作,它可以采用
AM3352 uboot中对NandFlash坏块的处理
本文用于学习uboot中对NandFlash坏块的处理,适用于AM3352,u-boot-2011.09,H27_2G8 NandFlash。1.1.1    出厂时的坏块标记依据datasheet中的说明,每2Gb中最多有40个坏块(5MB),且出厂时的第<em>一个</em>块保证不是坏块。(*) Each 2Gb hasmaximum 40 bad <em>block</em>sNOTE: The 1st<em>block</em> is qu
嵌入式 hi3518a裸板在nandflash上烧写uboot以及kernel以及文件系统
1、首先还是使用axd以及jlink完成内存初始化。 2、进行烧写uboot laodbin f:
arm端擦除nandflash的工具flash_erase
arm端擦除<em>nand</em><em>flash</em>的工具<em>flash</em>_erase,用于写<em>nand</em>之前的擦除。
MTD(4)---nand flash的bbt坏块表的建立函数代码分析
其实现在Linux kernel的bbt做的也比较简单,就是把整个<em>flash</em>的<em>block</em>在内存里面用2bit位图来标识good/bad,这样,在上层判断<em>一个</em><em>block</em>是否good时就不需要再去读取<em>flash</em>的oob里面的坏块标记了,只需要读取内存里面的bbt就可以了,这是<em>一个</em>比较重要的优化。 但,我想这只是<em>一个</em>开始,希望将来能够把BBM加入到kernel里面来,让上层不再操心<em>nand</em> <em>flash</em>
NAND Flash的基本操作——读、写、擦除
转载地址:http://blog.sina.com.cn/s/blog_5c401a150101d7hi.html 基本操作 这里将会简要介绍一下NAND Flash的基本操作在NAND Flash内部是如何进行的,基本操作包括:读、写和擦除。   读:     当我们读取<em>一个</em>存储单元中的数据时(如图2.4),是使用<em>一个</em>门电压Vread(0V)作用于gate端,而没有被读取的存储单元的g...
S3C2440 flash 分区 nor nand FLASH区别(开发板启动时) 及 结构
<em>nand</em><em>flash</em> 的分区表 对应于内核arch/arm/mach-s3c2440/mach-mini2440.c中(友善官网提供的2.6.32.2的移植内核) <em>flash</em> 分区 nor <em>nand</em> FLASH区别(开发板启动时) 及 结构" title="S3C2440 <em>flash</em> 分区 nor <em>nand</em> FLASH区别(开发板启动时) 及 结构" style="margin:0px; padd
linux nand flash 驱动简单介绍
linux中为<em>nand</em> <em>flash</em>驱动提供了很多操作接口,开发只需要填充相应的接口即可。
深层解决cramfs文件系统不支持nandflash坏块的解决办法
今日在对公司的产品调试时,发现如果<em>nand</em><em>flash</em>有坏块在cramfs文件系统分区,那么linux系统无法启动,提示如下信息: uncorrectable error : uncorrectable error : end_request: I/O error, dev mtd<em>block</em>0, sector 512 Buffer I/O error on device mtd<em>block</em>0
嵌入式 NAND Flash的坏块管理设计
NAND Flash的坏块管理设计  摘要:主要介绍了基于嵌入式Linux的NAND Flash坏块管理设计和实现方案,详细阐述了坏块映射表的建立、维护及其相关算法,同时分析了此坏块算法在Linux内核及Bootloader中的具体应用。测试结果表明该算法能够处理NANDFlash的相关坏块问题,具有较高的稳定性。 关键词:NAND Flash;嵌入式IAnux;映射表;坏块管理
NandFlash驱动源码详细分析
看了>后对以MTD的分层结构以及各层的分工情况有了大致的了解,然而各层之间是如何进行对话的呢,对于这个问题,>上没有详细的去说明。 小弟抽空研究了一下,打算从下到上,在从上到下,分两条主线来研究一下MTD原始设备与FLASH硬件驱动的对话(MTD原始设备与更上层的对话留待以后再研究)。 以下是第一部分,从下到上的介绍FLASH硬件驱动与MTD原始设备是如何建立联系的。 1、首先从
5-OMAPL138开发板Linux系统固化到NAND FLASH步骤
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嵌入式 NAND flash文件系统JFFS2和YAFFS比较
JFFS是由瑞典的Axis Communications Ab公司开发的(1999,以GNU发布),针对<em>flash</em>设备的特性为嵌入式设备开发的 JFFS1和JFFS2的设计中都考虑到了FLASH的特性特别是满足了上述3个条件,包括了垃圾回收,坏块管理等功能. 这两种文件系统属于LFS(Log-structured File System).这种文件系统的特点是一旦数据出错,容易恢复,但是系统
HDFS block的若干问题
<em>小文件</em>BLOCK<em>占用</em> 小于<em>block</em>大小的<em>小文件</em>不会<em>占用</em>整个HDFS <em>block</em>空间,但是较多的<em>小文件</em>会<em>占用</em>更多的NAMENODE的内存(记录了文件的位置等信息);再者,在文件处理时,可能会有较大的网络开销。 <em>一个</em>常被问到的<em>一个</em>问题是: 如果<em>一个</em>HDFS上的文件大小(file size) 小于块大小(<em>block</em> size) ,那么HDFS会实际<em>占用</em>Linux file system的多大空间?...
nand flash 个人觉得写得比较好的文章
【详解】如何编写Linux下Nand Flash驱动 版本:v2.2.1   Crifan Li 摘要 本文先解释了Nand Flash相关的一些名词,再从Flash硬件机制开始,介绍到Nand Flash的常见的物理特性,且深入介绍了Nand Flash的一些高级功能,然后开始介绍Linux下面和Nand Flash相关的软件架构MTD的相关知识,最后介绍了在Linux的MTD驱动框架...
NAND FLASH学习笔记之MTD下nand flash驱动(三)
三、MTD创建设备节点 MTD子系统下如何创建设备节点? 第一步:MTD设备层。(MTD子系统)   register_chrdev注册字符型mtd设备,并添加该设备到内核,主设备号为90。但是此时还未在/dev下形成mtd设备节点。 第二步:MTD原始设备层。(MTD子系统)   class_register注册<em>一个</em>mtd类mtd_class,后面再注册mtd设备时
如何计算Nand Flash要传入的行地址和列地址
转载自:http://www.cnblogs.com/geneil/archive/2011/12/17/2291441.html 在介绍具体读取数据的详细流程之前,还要做一件事,那就是,先要搞懂我们要访问的地址,以及这些地址,如何分解后,一点点传入进去,使得硬件能识别才行。 此处还是以 K9F8G08U0A 为例,此 Nand Flash,一共有 8192 个块,每个块内
SD卡以及nand flash相关知识整理
做了那么久的storage相关的东西,一直也没有好好整理,趁现在阳光正好,微风不燥,趁现在花还未开到荼蘼,将这部分知识整理归纳。 NAND FLASH为什么不能够XIP SD卡的启动时序
[初级知识]如何正确nandflash的块地址和页地址
如何正确解析<em>nand</em><em>flash</em>的块地址跟页地址
一篇写的相当不错的nandflash芯片编程介绍
 转自:http://www.cnblogs.com/sankye/articles/1638852.html 想念东北的下雪的冬天 1. 硬件特性: 【Flash的硬件实现机制】 Flash全名叫做Flash Memory,属于非易失性存储设备(Non-volatile Memory Device),与此相对应的是易失性存储设备(Volatile Memo
Nandflash希尔特编程器烧录带来的一些点知识信息
1.NAND FLASH的特殊性 1) 存在坏块。NAND FLASH由于其生产工艺的原因,出厂芯片中会随机包含坏块。坏块在出厂时已经被初始化,并在特定区域中存在标记,如果在使用过程中出现坏块,也需要进行标记。 2) 易出现位反转。NAND FLASH易出现位反转的现象,如果位反转出现在关键位置上,则会导致系统挂机。所以在使用NAND FLASH的同时,建议使用ECC以
Flash 扇区基本介绍
一、扇区基本介绍 1、扇区(磁盘上划分的区域)                                      磁盘上的每个磁道被等分为若干个弧段,这些弧段便是磁盘的扇区。硬盘的读写以扇区为基本单位。 磁盘的每一面被分为很多条磁道,即表面上的一些同心圆,越接近中心,圆就越小。而每<em>一个</em>磁道又按512个字节为单位划分为等分,叫做扇区,在一些硬盘的参数列表上你可以看到描述每个磁道的扇...
NAND Flash是如何生产出来的?
NAND Flash是一种非易失性随机访问存储介质,基于浮栅(Floating Gate)晶体管设计,通过浮栅来锁存电荷,电荷被储存在浮栅中,它们在无电源供应的情况下仍然可以保持。关于NAND Flash技术基本原理之前有过讲解,大家可以参考文章闪存技术最全面解析。今天主要讨论下NAND Flash生产过程、架构和关键指标。      NAND Flash是从原始的硅材料加工出来的,硅材料被加工成
扇区 物理块 逻辑块 flash 基础概念
    sector:硬件(磁盘)上的最小的操作单位,是操作系统和块设备(硬件、磁盘)之间传送数据的单位<em>block</em>由<em>一个</em>或多个sector组成,是软件(OS、文件系统)中最小的操作单位;操作系统的虚拟文件系统从硬件设备上读取<em>一个</em><em>block</em>,实际为从硬件设备读取<em>一个</em>或多个sector.对于文件管理来说,每个文件对应的多个<em>block</em>可能是不连续的;<em>block</em>最终要映射到sector上,所以<em>block</em>的...
SPI Flash的擦写注意事项
从规格书上看,SPI <em>flash</em>一般支持3种擦写方式:按sector擦写,按<em>block</em>擦写,整片chip擦写。以KH25L3255E为例,•      Serial Peripheral Interface compatible -- Mode 0 and Mode 3•      33,554,432 x 1 bit structure or 16,777,216 x 2 bits (two I...
nandflash详解
【为何需要ALE和CLE】 突然想明白了,Nand Flash中,为何设计这么多的命令,把整个系统搞这么复杂的原因了: 比如命令锁存使能(Command Latch Enable,CLE)和地址锁存使能(Address Latch Enable,ALE),那是因为,Nand Flash就8个I/O,而且是复用的,也就是,可以传数据,也可以传地址,也可以传命令,为了区分你当前传入的到底是啥,
不能从nandflash启动原因之一
我在调试是怎么也不能从<em>nand</em><em>flash</em>启动,但是能从nor<em>flash</em>和SDRAM中启动,同时读写<em>nand</em><em>flash</em>的功能也能实现,于是我就将<em>nand</em><em>flash</em>全部搬到SDRAM中,结果发现<em>nand</em><em>flash</em>中竟然只有0x40000大小的内容,我太高兴了,终于找到原因了,原因就是只有0x40000的内容被放进了<em>nand</em><em>flash</em>,我大概知道原因所在了,我记得设置<em>一个</em>宏时是设置0x40000的。同时
(转)MTK之Flash篇一
Flash的型号定义在custom/system/ CUSTOMER_bb/Custom_memorydevice.h 例如: #define MEMORY_DEVICE_TYPE    NOR_RAM_MCP #define CS0_PART_NUMBER       K5L6331CAA #define CS1_PART_NUMBER       K5L6331CAA 注意需要将ma
NandFlash读写过程
一、结构分析 S3C2410处理器集成了8位NandFlash控制器。目前市场上常见的8位NandFlash有三星公司的k9f1208、k9f1g08、k9f2g08等。k9f1208、k9f1g08、k9f2g08的数据页大小分别为512Byte、2kByte、2kByte
Nand Flash基础知识与坏块管理机制的研究(写得好)
Nand Flash基础知识与坏块管理机制的研究 时间 2014-04-13 23:07:19  CSDN博客原文  http://blog.csdn.net/luopingfeng/article/details/23621229 概述 Flash名称的由来,Flash的擦除操作是以<em>block</em>块为单位的,与此相对应的是其他很多存储设备,是以bit位为最小读取/写入的
spi nand 硬件组成介绍
    以W25N01GV型号进行举例介绍; 封装     一般常见的有WSON和BGA封装; 协议     走SPI协议,一般是4线模式(标准模式):片选、时钟、数据写、数据读;还有其他两种模式:Dual/Quad SPI;     1、/CS;片选信号,低电平有效,在进行读写操作时需要把片选信号拉低;     2、DI, DO and IO0, IO1, IO2, IO3;...
Nand Flash Yaffs系统大量写入数据失败问题的解决方法。
<em>一个</em>朋友的问题,我们共同分析后搞定。其实以前也遇到过同样问题,时间长了,没总结。   事发:在Nand Flash上使用2.6.14的linux kernel,三星2440的板子,连续写入文件,到一定大小限制就删除,文件写入没有超过<em>flash</em>保留10%的空闲,应该说还差很多。   第一步,不适用syslog写,换做自己写代码写入,出现几率降低; 第二步,fwrite换成write,几率增
vxworks下格式化flash
系统启动时慢是因为<em>nand</em> <em>flash</em>没格式化,然后系统初始化检查盘卷等信息 format_<em>flash</em> 0 格式化nor <em>flash</em> format_<em>flash</em> 1 格式化<em>nand</em> <em>flash</em> 8377main快是因为没有<em>nand</em> <em>flash</em>。
NAND闪存与NOR闪存的工作原理详解
经典物理学认为 物体越过势垒,有一阈值能量;粒子能量小于此能量则不能越过,大于此能量则可以越过。例如骑自行车过小坡,先用力骑,如果坡很低,不蹬自行车也能靠惯性过去。如果坡很高,不蹬自行车,车到一半就停住,然后退回去。 量子力学则认为 即使粒子能量小于阈值能量,很多粒子冲向势垒,一部分粒子反弹,还会有一些粒子能过去,好象有<em>一个</em>隧道,称作“量子隧道(quantum tunneling)”。可
怎样区分一个flash是NOR型flash还是NAND型flash
1)闪存芯片读写的基本单位不同    应用程序对NOR芯片操作以“字”为基本单位。为了方便对大容量NOR闪存的管理,通常将NOR闪存分成大小为128KB或者64KB的逻辑块,有时候块内还分成扇区。读写时需要同时指定逻辑块号和块内偏移。应用程序对NAND芯片操作是以“块”为基本单位。NAND闪存的块比较小,一般是8KB,然后每块又分成页,页的大小一般是512字节。要修改NAND芯片中<em>一个</em>字节,
关于从NAND Flash启动的问题,2440 启动问题 , 拷贝4k程序 ,启动代码分析
本文来自:http://blog.chinaunix.net/u2/69674/showart_1212448.html 用的是S3C2410.见附件start.s 其中关于<em>nand</em> <em>flash</em>启动的那一段一直百思不得其解,按说从NANDFLASH启动时,应该是前4KB映射到NGCS0,其中的代码将NAND中存放的程序拷贝到RAM中,但该文件提供的程序好象是先从NAND拷贝128K
Nand Flash数据存储规则与数据读写方法(一)
NAND Flash 的数据是以bit 的方式保存在memory cell,一般来说,<em>一个</em>cell 中只能存储<em>一个</em>bit。这些cell 以8 个或者16 个为单位,连成bit line,形成所谓的byte(x8)/word(x16),这就是NAND Device 的位宽。这些Line 会再组成Page,(Nand Flash 有多种结构,我使用的Nand Flash 是K9F1208,下面内容针对
RAM与Nand/Nor flash之间的区别
RAM与Nand/Nor <em>flash</em>之间的区别   主要讲RAM与<em>flash</em>,以及NAND <em>flash</em>与NOR <em>flash</em>的区别。 一、RAM和<em>flash</em>的区别     RAM有两大类,一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲cache。另一种
Nand flash详细分析
NAND技术在设计之初是为了数据存储应用,<em>nand</em>的写回速度比较快,芯片面积小,特别容量大有很大的优势 NAND的地址分为三部分:块号,块内页号,页内字节号;正因为如此,NAND的一次数据访问,要经过3次寻址,先后确定块号,块内页号,页内字节号,<em>至少</em><em>占用</em>了三个时间周期。因此:NAND FLASH的<em>一个</em>劣势出来了:随机字节读写速度慢。但是<em>nand</em> <em>flash</em>平均每MB成本比nor
Linux内核---24.yaffs2中chunk的分配与释放
Linux内核---24.yaffs2中chunk的分配与释放
NAND flash 文件系统制作
BeagleBoardNAND Software 以下的部分软件可以存储和从NAND启动/运行: X-Loader U-Boot (+ environment/configuration data) Linux kernel Linux file system 这些
linux ubuntu中关于Nand Flash用法和解析
原文出处https://blog.csdn.net/xiaoxiaozhu2010/article/details/18087197 最近在写<em>一个</em>测试脚本实现擦除NandFlash重新写入用md5sum重新验证的功能,网上看到<em>一个</em>博主的关于NandFlash的解析,很全面,不能转载,所以复制过来借鉴一下,以示提醒. 使用命令前用cat /proc/mtd 查看一下mtdchar字符设备;或者用...
nand flash读写出现好多错误
在u-boot下输入命令: <em>nand</em> read 0x800000 0 0x800 结果出来好多信息 查了一些信息,是没有<em>nand</em> <em>flash</em>标志位 标志位用来表示<em>nand</em> <em>flash</em>是大页还是小页 CFG_NAND_OR_PRELIM 的宏添加 OR_FCM_PGS 即可
内核kernel以及根文件系统rootfs是如何映射到对应的nand flash
初始化代码读取uboot到内存里面,然后跳转到uboot那里去执行uboot,uboot初始化必要的硬件,加载一些驱动,其中包括<em>nand</em> <em>flash</em>的驱动,然后根据uboot里面设置的<em>一个</em>启动命令   【系统启动过程简介】 初始化代码读取uboot到内存里面,然后跳转到uboot那里去执行uboot,uboot初始化必要的硬件,加载一些驱动,其中包括<em>nand</em> <em>flash</em>的驱动,然后根据ubo
NAND芯片的读写及ECC检验软硬件实现
第一节概论 <em>nand</em><em>flash</em>在对大容量的数据存储中发挥着重要的作用。相对于nor<em>flash</em>,它具有一些优势,但它的<em>一个</em>劣势是很容易产生坏块,因此在使用<em>nand</em><em>flash</em>时,往往要利用校验算法发现坏块并标注出来,以便以后不再使用该坏块。<em>nand</em><em>flash</em>没有地址或数据总线,如果是8位<em>nand</em><em>flash</em>,那么它只有8个IO口,这8个IO口用于传输命令、地址和数据。<em>nand</em><em>flash</em>主要以pag
Nand Flash均衡算法
Nand Flash由于有擦除次数的限制,因此在对其进行写操作时需要使用写均衡算法使得<em>nand</em> <em>flash</em>上各块的擦写次数均衡,从而提高<em>nand</em> <em>flash</em>的使用寿命。2         FTL实现方案2.1        FTL整体框架图2-1 FTL整体框架图2-1所示为FTL的整体框架示意图,途中的虚线框中模块即为FTL模块。从图中可知,FTL模块是Nand Flash应用层与Nand Fl...
NandFlash---地址与区、块、页的关系-以MX30LF1G08AA为例
下面的<em>nand</em><em>flash</em>都是以MX30LF1G08AA为例再说; 该<em>nand</em><em>flash</em>共有 1个 Zone; 每个Zone有1024个Block; 每个Block有64 个Page; 每个page有2048+64bytes; 写入地址格式如下: 其中A0-A11位共12位来表示列地址;其实也就是每页2048+64Bytes的地址,该地址大小为0-2111; 每个<em>block</em>有
NAND flash替换问题
原<em>flash</em>: SAMSUNG K9K8G08U0B 新<em>flash</em>:SPANSION  S32ML08G201TF100 简单介绍: K9K8G08U0B与 S32ML08G201TF100很相似,都是8Gbits,页大小都是2048bytes 但K9K8G08U0B的SPARE AREA为每页64B,S32ML08G201TF100为128B 问题是这样的: 1.生产了50块板,这些
擦除失败之后就能确认nandflash 的这个块是坏的吗?
ECC很重要,SPARE区域在NAND FLASH架构定义之初就是主要用来存放ECC编码的,因为NAND FLASH数据出错概率高需要加ECC进行校验 1.<em>一个</em>页读/写失败了,那么是否要将其所在块标识成坏块? 一般应用NAND FLASH时都会同时使用ECC纠错,无论是硬件纠错还是软件实现。在有ECC的情况下如果写入<em>一个</em>Page失败是可以将其读出以判断出现的错误是否可以
查看NAND Flash空间大小
NAND Flash空间大小
nand flash defect block handling schemes
<em>nand</em> <em>flash</em> defect <em>block</em> handling schemes for embedded
Nand Bab block
Bad <em>block</em> management in NAND <em>flash</em> memories
OMAPL138/AM1808支持NAND及其ECC出现的问题回复
最近为改板的AM1808移植了u-boot,kernel,使用am1808开发低成本m2m设备,支持3G,Wifi, zigbee,gps,rtc,SD/microSD,目的第<em>一个</em>版本已发布。 NAND的ECC校验较上以版本有所改善,并使用ubifs作为新的文件系统,支持sd卡更新系统。 下面是一些整理的资料,有些来自TI,有些来自论坛 OMAP-L138 NAND_ECC_HW and U
hadoop小文件处理以及解决方案(压缩技术)
<em>小文件</em>太多的问题: hdfs上每个文件都要在namenode上建立索引,索引大小大约为150byte。所以大量<em>小文件</em>会产生很多索引,<em>占用</em>大量namenode内存,而且索引太多导致检索速度变慢。   <em>小文件</em>解决方案: 1、hadoop自身提供一些文件压缩方案 2、从系统层面改变现有hdfs存在的问题,其实还是<em>小文件</em>的合并,然后建立比较快速的索引   下面分别对这两种解决方案做一些解...
基于Nand Flash的UBIFS多任务读写错误
在Nand Flash上创建UBIFS格式的文件系统,用于存储系统的历史数据。 测试发现,在多任务操作Nand Flash的过程中,会有比较大的概率导致<em>nand</em> <em>flash</em>错误。 在Linux Kernel的menuconfig中,配置选项 Device Drivers-> Memory Technology Device (MTD) support -> NAND Device Support->Verify NAND page writes 用来配置在<em>nand</em> <em>flash</em>写入时,是否进行额外的校验.
NAND FLASH坏块说明
Nand Flash有坏块是它的天然缺点,无法避免。有的坏块多,有的少,纯属几率。 http://baike.baidu.com/link?url=Tw5ldEU9l3qtNwCpzC5NV2Ha_jPeunjFtxMaTy9yrrCmRvoxGs4CTVf7i_4kdLJaC_s_eRIn0Oo9zjlnvomvga Nand Flash专用的YAFFS文件系统可以识别、管理坏块, 可以避免坏块...
nand flash与烧录器
总结一下关于烧录器与<em>nand</em>的情缘
嵌入式 Nand 中oob、bbt、ecc含义小结
芯片内部存储布局及存储操作特点:      一片Nand<em>flash</em>为<em>一个</em>设备(device), 其数据存储分层为:     1 (Device) =4096 (Blocks)     1 (Block) -= 32   (Pages/Rows)页与行是相同的意思,叫法不一样     1(Page)   = 528 (Bytes) =数据块大小(512Bytes) + OOB 块大
nand flash外部引脚相关描述
1、先看一下<em>nand</em> <em>flash</em> 的外部引脚图 2、从功能作用方面看外部引脚 ( 1 )  从<em>nand</em> <em>flash</em>引脚图看 只有右边8个I/O口可传输命令、地址和数据,可知此8个I/O口用到了端口复用,同一时间只能传输命令或地址或数据。 (2)我们怎么知道I/O口某一时刻传输的是命令呢、是地址呢还是数据呢? 答:这由左边的某些引脚决定:  当ALE为高电平时传输的是地址  当CLE
NAND Flash控制器的一些小知识
NOR Flash存储器具有速度快、数据不易失等特点,在嵌入式系统中可作为存储并执行启动代码和应用程序的存储器。但是由于NOR Flash存储器的价格比较昂贵,而SDRAM和NAND Flash存储器的价格相对来说比较适中,这样就激发了一些用户产生了在不易失存储器NAND Flash中执行启动代码,在速度比较快的SDRAM中执行主要程序代码的想法。 S3C2410A能够实现这一...
关于nand flash的oob区与坏块
0.NAND的操作管理方式     NAND FLASH的管理方式:以三星FLASH为例,一片Nand <em>flash</em>为<em>一个</em>设备(device),1 (Device) = xxxx (Blocks),1 (Block) = xxxx (Pages),1(Page) =528 (Bytes) = 数据块大小(512Bytes) + OOB 块大小(16Bytes,除OOB第六字节外,通常<em>至少</em>把OOB的前...
内核kernel以及根文件系统rootfs是如何映射到对应的nand flash的地址的
我用的是ramdisk.image.gz,烧写在<em>flash</em>的0x10140000处 我不太明白内核在启动过程中式如何将这个文件映射成/目录及各子目录的? 如果ramdisk.image.gz在<em>flash</em>中的位置发生了变化,应该如何修改内核啊? 【解答】 没理解错的话,ramdisk.image.gz应该是你的内核的压缩镜像。 你的问题,要分2方面和你解释: 1.将这个文件映射成/目录及各子目...
NandFlash操作详解(二)
NandFlash读操作:          NandFlash的读取分为页读和随机读。页读每次读取<em>一个</em>page,从page的第<em>一个</em>数据开始读。其实也就是列号(偏移地址)为0,只提供页地址。 随机读能读取到<em>一个</em>page里面的某个存储单元,但是需要提供行地址和列地址。          页读和随机读的区别只是在于是否提供列号(偏移地址)。 打开NandFlash的芯片手册,找到读时序图:
NAND_Flash中文版资料(很全)
NAND_Flash中文版资料(很全) 简介 NAND Flash 结构最早是在 1989年由日本东芝公司引入。 如今, NAND Flash 和 NOR Flash 已经占据了 Flash市场的支配地位。 NAND Flash 是一种高密度, 低功耗, 低成本, 而且可升级的器件, 它是多媒体产品导入市场的理想选择。先进的在系统内设计也使得为降 低成本, 在传统的设计应用上采用 NAND Flash来替代 NOR Flash 成为可能。
NANDFLASH调试(二)
今天一上午测试了下<em>nand</em><em>flash</em>的各个管脚 发现wp引脚无法拉高,一直处于写保护状态,导致NANDFLASH id无法读取,直接将wp通过上拉电阻拉高不行 将控制WP的io隔断 分别上拉和下拉电阻才搞定,具体原因不明,接下来再分析吧!     <em>nand</em><em>flash</em> id读取正确了 但是驱动外部<em>flash</em>发现R/B引脚一直为高电平(由于NANDFLASH的r/b引脚为OD输出 所以已经外接上拉电阻4.7k上拉) 但是发现R/B引脚在操作的时候一直为高电平 我不停的读<em>nand</em><em>flash</em> ID发现R/B仍然是保
关于nand flash上实现jffs2文件系统的学习
最近在龙芯平台上弄<em>nand</em> <em>flash</em>的实现,由于以前类似的项目只是使用过NOR <em>flash</em>,想到来说没有这么多概念。而现在第一次接触<em>nand</em> <em>flash</em>,又牵扯到jffs2文件系统的概念和使用。所以需要学习的东西还是蛮多的! 关于这一块,需要掌握的东西大概列举<em>一个</em>list。 1、<em>nand</em> <em>flash</em> 是何物,阅读datasheet,了解<em>flash</em>中的概念。page、<em>block</em> 、oo
内存、ram、 rom、 norflashnandflash详细区别
1.什么是内存      什么是内存呢?在计算机的组成结构中,有<em>一个</em>很重要的部分,就是存储器。存储器是用来存储程序和数据的部件,对于计算机来说,有了存储器,才有记忆功能,才能保证正常工作。存储器的种类很多,按其用途可分为主存储器和辅助存储器,主存储器又称内存储器(简称内存),辅助存储器又称外存储器(简称外存)。外存通常是磁性介质或光盘,像硬盘,软盘,磁带,CD等,能长期保存信息,并且不依赖于电来
NAND的局限性和使用寿命
NAND因为其电气特性,读和写是按页来读取的,而擦除是按照块来擦除的。 通常,<em>一个</em>对NAND的写操作包括如下步骤: 1)    从NAND中读取<em>一个</em>页面,内容放入NAND<em>flash</em>的寄存器中。 2)  更新寄存器中的内容 3)  找<em>一个</em>空白页 4)  把寄存器中的内容写入空白页 5) 把先前的页面标记为无效页 最终,Garbage Collector会把无效页
五、2440裸机开发 nand flash 操作
五、<em>nand</em> <em>flash</em> 操作 于nor <em>flash</em>相比,<em>nand</em> <em>flash</em>的容量要大许多,<em>nand</em> 不同于nor ,其采用i/o接口只能采取顺序访问,s3c2440不仅具有<em>nand</em><em>flash</em>的接口,而且还可以利用某些机制实现直接从<em>nand</em><em>flash</em>启动并运行程序。相对于nor<em>flash</em>,它具有一些优势,但它的<em>一个</em>劣势是很容易产生坏块,因此在使用<em>nand</em><em>flash</em>时,往往要利用校验算法发现
STM32 + UCGUI+外扩NAND FLASH 中文字库支持方法
1、在需要程序支持全部中文字库时,CPU内部FLASH往往不够用,这时候需要采用外部存储空间来存放字库数据。可以选用的外部存储空间有 外部FLASH、EEPROM、SD卡等。 2、汉字的编码方式有很多种,常用的为GBK或者GB2312。GB2312支持了全部的简体汉字约6000个,兼容ASCII码、数学符号、罗马希腊的字母、日文的假名等,全部字体有7000多个,可以满足大部分情况下使用;GBK在
Linux3.4内核Nand Flash驱动的移植
作者:李老师,华清远见嵌入式学院讲师。 【实验目的】 Nand <em>flash</em> 是嵌入式系统最常用的内部存储设备,通过移植Nand <em>flash</em>驱动,了解Linux内核Nand Flash的实现。 说明:在本系统移植课程实验中命令行提示符“$”表示是在主机上执行,“#”表示在目标板执行。 【实验环境】 ● 主机:Ubuntu 10.10 (64bit); ● 目标机:FS_S5PC100平台
Nandflash 驱动移植
前段时间,研究了一下4G的Nand<em>flash</em>驱动。手头上只有飞凌6410BSP自带的Nand<em>flash</em>驱动,该驱动不支持K9GAG08U0D(2G)和K9LBG08U0D(4G)的Nand<em>flash</em>。所以就要先把这个Nand<em>flash</em>驱动搞成支持K9GAG08U0D(2G)的。 接下来要弄的就是支持K9LBG08U0D(4G)的Nand<em>flash</em>。由于TE6410板子用的是K9GAG08U0
Nand Flash 地址数据的确定
NAND Flash使用8位数据线,同时作为地址线,命令线,数据线复用。类似于平时使用的点阵液晶显示器的操作方式。这里作为学习的记录,说一下<em>nand</em> <em>flash</em> 的地址的确定方式。<em>nand</em> <em>flash</em> 的内部分为 Block(块)、Page(页). 其中 一块<em>nand</em> <em>flash</em> 包含若干 Block,每个Block里包含若干Page.页是<em>nand</em> 的最小操作单元。 一下图片显示的是三星16Gb
NAND Flash 和 eMMC 的简要区别
1、NAND Flash 是一种存储介质,要在上面读写数据,外部要加主控和电路设计。 2、eMMC是NAND <em>flash</em>+主控IC ,对外的接口协议与SD、TF卡一样;对厂家而言简化了电路设计,降低了成本。 3、使用emmc的好处是,除了得到大容量的空间(这一点,只用NAND FLASH多堆叠也可以做到),还有就是emmc可以管理NAND (坏块处理,ECC,FFS)等。
nand flash(进价)——通过串口写nand flash
#include "uart.h" #include void <em>nand</em>_read_test(void) {  int i;  char buf[100];  unsigned long addr;  unsigned long size;    printf("enter the start address: ");  scanf("%s", buf);  addr =
SDRAM和NAND Flash的几个注意点
这几天在研究ST2410开发板上的存储器控制部分,现结合自己在实验中碰到的问题和查找的相关资料,谈谈几个注意点。 1)S3C2410与SDRAM的连接问题 主要是地址线的连接(地址对齐)。查看开发板的原理图,如下图所示: 从图中可以发现,S3C2410的A2-A14依次与SDRAM(K4S561632D芯片)的A0-A12相连。那么为什么是从S3C2410的A2开始呢?通过查看数据手册知
nandflash与文件系统,oob区数据扫盲。后面还会补充实际生产烧录的心得体验,依据不同的文件系统
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Nand Flash介绍和Nand Flash控制器使用
一、Flash介绍     常用的<em>flash</em>类型有NOR Flash 和Nand Flash 两种;     (1)Nor Flash     1、Nor Flash的接口和RAM完全相同,可以随机访问任意地址的数据,在其上进行读操作的效率非常高,但是擦除和写操作的效率很低,另外,Nor Flash的容量一般比较小,通常,Nor Flash用于存储程序;     2、Nor Flash的块
低电压NAND flash介绍
低电压NAND <em>flash</em>介绍 随着便携式设备和穿戴式设备的兴起,产品对于功耗的要求也是越来越严格,基本这类设备对于待机时间,工作时间都有相应的要求。然而普通的NAND <em>flash</em>的供电电压是3.3V,这样就导致整个NAND <em>flash</em>在读和写的时候,功耗会比较大。如果系统要频繁从NAND <em>flash</em>中获取数据,这样对于整个NAND <em>flash</em>的功耗又会增加,据此原因,ATO针对这类应该开发出来...
jquery/js实现一个网页同时调用多个倒计时(最新的)
jquery/js实现<em>一个</em>网页同时调用多个倒计时(最新的) 最近需要网页添加多个倒计时. 查阅网络,基本上都是千遍一律的不好用. 自己按需写了个.希望对大家有用. 有用请赞<em>一个</em>哦! //js //js2 var plugJs={     stamp:0,     tid:1,     stampnow:Date.parse(new Date())/1000,//统一开始时间戳     ...
无忧隐藏9.29.最新版含破解补丁下载
《窗口、文件、进程隐藏工具——无忧隐藏》(HideWizard v9.29)最新版含破解补丁 破解:食肉大灰兔/hsluoyz/akisn0w 安装方法: 1)安装hidewizard_setup.exe 2)覆盖HideWizard.exe至安装目录同名文件 3)联网,随便输入Email和注册码即可激活 相关下载链接:[url=//download.csdn.net/download/hsluoyc/4270431?utm_source=bbsseo]//download.csdn.net/download/hsluoyc/4270431?utm_source=bbsseo[/url]
粒子群优化算法MATLAB程序包下载
粒子群优化(Particle Swarm Optimization - PSO) 算法是近年来发展起来的一种新的进化算法( Evolutionary Algorithm - EA) .PSO 算法属于进化算法的一种,和遗传算法相似,它也是从随机解出发,通过迭代寻找最优解,它也是通过适应度来评价解的品质. 但是它比遗传算法规则更为简单,它没有遗传算法的“交叉”(Crossover) 和“变异”(Mutation) 操作. 它通过追随当前搜索到的最优值来寻找全局最优 。 相关下载链接:[url=//download.csdn.net/download/hyy851026/2187957?utm_source=bbsseo]//download.csdn.net/download/hyy851026/2187957?utm_source=bbsseo[/url]
OPenGL MFC开发框架下载
基于MFC实现的OPenGL开发框架,是外国一位高人写的,非常实用,资源包里面有详细的教程设置 相关下载链接:[url=//download.csdn.net/download/zhiweiofli/2284454?utm_source=bbsseo]//download.csdn.net/download/zhiweiofli/2284454?utm_source=bbsseo[/url]
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