STM32F4和STM32F1内部FLASH访问差别

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以前用STM32F1内部FLASH主存储器区按页分，读写也是按页，现在看STM32F4的内部FLASH主存储器区按照扇区分了，请教一下是F4是只能按扇区读写、擦除了吗？不能也按页吗？

STM32F40xx/41xx的Flash模块组织结构图如图所示
①主存储器。该部分用来存放代码和数据常数（如const类型的数
据）。
②系统存储器。这个主要用来存放STM32F4 的 bootloader 代码。
③OTP区域。即一次性可编程区域，共 528 字节，被分成两个部分，前
面512 字节（ 32 字节为 1 块，分成 16 块），可以用来存储一些用
户数据（一次性的，写完一次，永远不可以擦除），后面16 字节，用
于锁定对应块。
④选项字节。用于配置读保护、BOR 级别、软件/硬件看门狗以及器件
处于待机或停止模式下的复位。

STM32F1如图2所示主存储器，该部分用来存放代码和数据常数（如 const 类型的数据）。对于大容量产品，其
被划分为 256 页，每页 2K 字节。注意，小容量和中容量产品则每页只有 1K 字节。从上图可以
看出主存储器的起始地址就是 0X08000000， B0、 B1 都接 GND 的时候，就是从 0X08000000
开始运行代码的。
信息块，该部分分为 2 个小部分，其中启动程序代码，是用来存储 ST 自带的启动程序，
用于串口下载代码，当 B0 接 V3.3， B1 接 GND 的时候，运行的就是这部分代码。用户选择字
节，则一般用于配置写保护、读保护等功能，本章不作介绍。
闪存存储器接口寄存器，该部分用于控制闪存读写等，是整个闪存模块的控制机构。

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的确只能扇区擦。

无论页还是扇区，实际上都是擦除单位，有大小不同而名称各异而已。

读写应该不受扇区大小限制。当然，写入区应该是擦过的。

看 Datasheet 就都明白了。