求助,这个漏电流是什么原理,分别是高电压导通一个三极管q1,低电压导通q2 [问题点数:50分]

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NPN三极管导通数据总结
由上图和数据可知,<em>三极管</em>相当于是用小电流(Ib)控制大电流(Ic), 截止区就是Ube 放大区:Ube>0.5开始,注意并不是要大于0.7V,0.7V是二极管的<em>导通</em>电压,在放大区里,Ube一般是大于0.5V,小于0.65V,此时Ic是Ib的线性放大倍数。 饱和区:随着Ube大于0.65以上,Ic基本上不会再增大,此时Uce会很快降低,而且会迫使Ubc正偏,这些数学关系,可以通过简单的欧姆
三极管导通条件总结
对<em>三极管</em>放大作用的理解,切记一点:能量不会无缘无故的产生,所以,<em>三极管</em>一定不会产生能量。 但<em>三极管</em>厉害的地方在于:它可以通过小电流去控制大电流。 放大的<em>原理</em>就在于:通过小的交流输入,控制大的静态直流。 假设<em>三极管</em>是个大坝,<em>这个</em>大坝奇怪的地方是,有两个阀门,<em>一个</em>大阀门,<em>一个</em>小阀门。小阀门可以用人力打开,大阀门很重,人力是打不开的,只能通过小阀门的水力打开。 所以,平常的工作流程便是,每当放水
PNP三极管和NPN三极管的开关电路
一、<em>三极管</em>开关电路设计的可行性及必要性 可行性:用过<em>三极管</em>的人都清楚,<em>三极管</em>有<em>一个</em>特性,就是有饱和状态与截止状态,正是因为有了这两种状态,使其应用于开关电路成为可能。 必要性:假设我们在设计<em>一个</em>系统电路中,有些电压、信号等等需要在系统运行过程中进行切断,但是又不能通过机械式的方式切断,此时就只能通过软件方式处理,这就需要有<em>三极管</em>开关电路作为基础了。 二、NPN<em>三极管</em>基本开关电路概述    
三极管导通条件与电位关系
npn管<em>导通</em>条件: Ub > Ue,通常e极接地,即Ue为0V。饱和<em>导通</em>是Ub > Ue(锗0.2V/硅0.7V) pnp管<em>导通</em>条件: Ub < Ue,通常e极接电源,即Ue>0V。饱和<em>导通</em>是Ub < Ue(锗0.2V/硅0.7V)。通常饱和<em>导通</em>直接使b极接地
开关二极管的导通和截止条件
<em>三极管</em>在我们数字电路和模拟电路中都有大量的应用,在我们开发板上也用了多个<em>三极管</em>。在我们板子上的 LED 小灯部分,就有<em>这个</em><em>三极管</em>的应用了,图 3-5 的 LED 电路中的 Q16就是<em>一个</em> PNP 型的<em>三极管</em>。 图 3-5  LED 电路 <em>三极管</em>的初步认识 <em>三极管</em>是一种很常用的控制和驱动器件,常用的<em>三极管</em>根据材料分有硅管和锗管两种,<em>原理</em>相同,压降略有不同,硅管用的较普遍,而锗管
模电中NPN和PNP导通条件
PNP低电平<em>导通</em>,箭头向里。 NPN高电平<em>导通</em>,箭头向外。 NPN和PNP的E极带箭头。
T1078 求分数序列和(#Ⅰ- 4 - 1)
【题目描述】有有<em>一个</em>分数序列<em>q1</em>/p1,<em>q2</em>/p2,q3/p3,q4/p4,q5/p5,.... ,其中q(i+1)=qi+pi,p(i+1)=qi,p1=1,<em>q1</em>=2。比如<em>这个</em>序列前6项分<em>别是</em>21,32,53,85,138,211321,32,53,85,138,2113。求<em>这个</em>分数序列的前n项之和。21,32【输入】输入有一行,包含<em>一个</em>正整数n(n ≤ 30)。【输出】输出有一行,包含<em>一个</em>浮点...
PNP三极管工作原理,在起开关作用时的工作原理及工作电压电流分别是什么
1.PNP管放大<em>原理</em>: 当PNP管的VCVB,且VE>VB时,集电结和发射结都正偏,管子工作于饱和
32:求分数序列和
原题链接 总时间限制: 1000ms 内存限制: 65536kB 描述 有<em>一个</em>分数序列 <em>q1</em>/p1,<em>q2</em>/p2,q3/p3,q4/p4,q5/p5,.... ,其中qi+1= qi+ pi, pi+1=qi, p1= 1, <em>q1</em>= 2。比如<em>这个</em>序列前6项分<em>别是</em>2/1,3/2,5/3,8/5,13/8,21/13。求<em>这个</em>分数序列的前n项之和。 输入输入有一行,
cmos 导通的电压关系
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三极管工作原理分析!精辟、透彻
随着科学技的发展,电子技术的应用几乎渗透到了人们生产生活的方方面面。晶体<em>三极管</em>作为电子技术中<em>一个</em>最为基本的常用器件,其<em>原理</em>对于学习电子技术的人自然应该是<em>一个</em>重点。<em>三极管</em><em>原理</em>的关键是要说明以下三点: 1、集电结为何会发生反偏<em>导通</em>并产生Ic,这看起来与二极管<em>原理</em>强调的PN结单向导电性相矛盾。 2、放大状态下集电极电流Ic为什么会只受控于电流Ib而与电压无关;即:Ic与Ib之间为什么存在着一
BTN7970在直流电机驱动系统中的应用
摘要:Infineon公司的大功率H半桥集成芯片BTN7970内部集成了驱动电路,故可以直接和MCU接口,同时具有电流检测,以及过温、过压、欠压、过流和短路保护等诊断功能。本文介绍了BTN7970在直流电机控制驱动系统中的典型应用,给出了电机控制驱动电路以及软件设计。   引言   微电机在嵌入式系统领域的应用日益广泛,采用驱动电路和MOSFET管的传统设计方法不仅电路设计复杂,而且不容易控制...
三极管原理与应用
<em>三极管</em>的三种状态也叫三个工作区域,即:截止区、放大区和饱和区。 (1)、截止区:<em>三极管</em>工作在截止状态,当发射结电压Ube小于0.6—0.7V的<em>导通</em>电压,发射结没有<em>导通</em>集电结处于反向偏置,没有放大作用。 (2)、放大区:<em>三极管</em>的发射极加正向电压(锗管约为0.3V,硅管约为0.7V),集电极加反向电压<em>导通</em>后,Ib控制Ic,Ic与Ib近似于线性关系,在基极加上<em>一个</em>小信号电流,引起集电极大的信
MOSFET 导通条件(转)
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NMOS管导通原理
<em>这个</em>其实是NPN<em>三极管</em>的<em>原理</em>图,但是将电流改成电压之后也能通俗地解释NMOS的工作<em>原理</em>:B级和E级之间的电压超过<em>导通</em>电压之后C级和E级<em>导通</em>,<em>导通</em>电阻根据不同的NMOS管型号而变。<em>导通</em>之后C级和E级之间会有电流,如果负载放在E级下面会导致E级的电压升高可能会导致B级和E级的压差降低到<em>导通</em>电压一下,所以负载最好放在C级上面。(注意B、C、E都是<em>三极管</em>上的,MOS管上分<em>别是</em>G、D、S)
开关三极管(数电中 三极管工作在截止区和导通区,模电中工作在放大区)
开关<em>三极管</em>的外形与普通<em>三极管</em>外形相同,主要用于电路的关与通的转换。由于它具有完成断路或接通的作用,被广泛用于开关电路,且具有开关速度快、寿命长等特点,而且普遍用于电源|稳压器电路、驱动电路、振荡电路、功率放大电路、脉冲放大电路及行输出电路等。 开关<em>三极管</em>电路图 开关<em>三极管</em>因功率的不同可分为小功率开关管和大功率开关管。 ,8550等 常用的高反压、大功率开关管有:2S
增强型N沟道mos管(如si2300)开关条件
增强型N沟道mos管(如si2300)开关条件 增强型N沟道mos管的S(source源极) 和 D(drain漏极)<em>导通</em>条件取决与Vgs,即漏极和源极间的电压压差。 只有当 Vgs > 2.5V ,也就是 Vg(G极电压) — Vs(S极电压) > 2.5V,D极和 S极之间<em>导通</em>。 例如:        G极为3.3V, S极为0.1V, Vgs = 3.3 - 0.
真正的学懂三极管入门篇(经典)
______________________________________________________________________________________________________________________________________ 不要让温床称为埋葬你的坟墓! 要有危机意识,忧患意识,要为明天考虑! 禁忌:安于现状,不求上进,不懂得学习,不能恰当
三级管
一、概念 <em>三极管</em>有两种类型,分<em>别是</em>PNP和NPN,中间有<em>一个</em>箭头<em>一个</em>连基极(b)<em>一个</em>连发射极(e),还有<em>一个</em>引脚是集电极(c)。 箭头朝内的PNP,箭头朝外的NPN,<em>导通</em>电电压顺箭头过,电压<em>导通</em>。 <em>三极管</em>有截止、放大、饱和三种状态。 二、电流控制关键点是基极和发射极之间的电压情况,总之是箭头的始端比末端高0.7V即<em>导通</em>。 对于PNP而言发射极比基极高0.7v(这是硅<em>三极管</em>的<em>导通</em>电压,锗<em>三极管</em>是0.3
三极管之——PNP与NPN
一.PNP与NPN  晶体管的检测方法   NPN和PNP主要就是电流方向和电压正负不同,说得“专业”一点,就是“极性”问题。   方法一:  鉴别基极B   将数字万用表拨至二极管档,红表笔固定任接某个引脚,用黑表笔依次接触另外两个引脚,如果两次显示值均小于1V或都显示溢出符号“1”,则红表笔所接的引脚就是基极B。如果在两次测试中,一次显示值小于1
PNP三极管电路简单分析
如上图所示,其放大条件仍然与NPN的一样:发射结正偏,集电结反偏。图中的电流方向如标记所示,由E到B,由E到C。 PNP作为开关使用时,其实与NPN的<em>导通</em>条件正好相反,Ub为0时,<em>三极管</em>反而<em>导通</em>,Ub为1时,<em>三极管</em>截止。
9012,9013三极管总结
一、<em>三极管</em>9012      9012是非常常见的晶体<em>三极管</em>,在收音机以及各种放大电路中经常看到它,应用范围很广,它是PNP型小功率<em>三极管</em>。 1 PNP9012<em>三极管</em> 1.1  9012<em>三极管</em>(TO-92封装)管脚图     1、发射极 2、基极 3、集电极 1.2  9012<em>三极管</em>(SOT-23封装)管脚图     1、基极 2、发射极 3、集电极
A1SHB三极管-PL2301
印章: A1SHB 特点: 1、开关速度快; 2、<em>导通</em>电阻低
光敏三极管的应用
敏<em>三极管</em>相当于在基极和集电极之间接有光敏二极管的普通<em>三极管</em>。其优点是灵敏度比光敏二极管高β倍,缺点是暗电流和集电结电容较大。光敏场效应管可看作是光敏二极管与场效应管的有机组合,它具有灵敏度高、线性范围大、光谱响应宽、输出阻抗低和体积小等优点,因此在微弱光信号和紫外光的检测中得到了广泛的应用。      1、光控报警器      下图是用晶闸管作驱动器的光控报警器。在有光照时,光敏<em>三极管</em><em>导通</em>,晶闸管...
电路设计_MOS管导通条件
本文分享了MOS管<em>导通</em>条件的知识,作为备忘。
三极管和mos管做开关用时候有什么区别
http://blog.21ic.com/user1/349/archives/2008/49295.html 工作性质:<em>三极管</em>用电流控制,MOS管属于电压控制, 2、成本问题:<em>三极管</em>便宜,mos管贵。 3、功耗问题:<em>三极管</em>损耗大。 4、驱动能力:mos管常用来电源开关,以及大电流地方开关电路。 实际上就是<em>三极管</em>比较便宜,用起来方便,常用在数字电路开关控制。 MOS管用于高频高速电
三极管基极偏置电阻
注意:“输入5V,那么分压点Vb电压是3.4V”的前提是两个电阻分压,但没有晶体管的情况下。一旦接入晶体管,be结必会<em>导通</em>,Vb的电压就被箝位在0.65V上,就不再是两个电阻分压了。应该理解成“4.7K电阻串联了<em>一个</em>正向连接的二极管到地”,而那个10K电阻只不过是并在二极管上而已。 至于10K电阻的作用,是为了在没有输入电压(或输入端悬空)时,保证晶体管可靠截止。 <em>这个</em>电阻的作用是提
求各位帮我设计一个三极管开关电路(以SS8050)为例,具体要求看问题补充.多谢
原文地址::https://zhidao.baidu.com/question/623959913806199204.html 最大开关频率≧10KHz(不加输出负载) 其输出用以控制继电器的通断(输入信号1Hz) 有效输入控制电压Vin≦0.7V或Vin≧4.3V 设计两种开关电路:高电平饱和<em>导通</em>、低电平饱和<em>导通</em> 儒雅的yangqian | 浏览
三极管基极下拉电阻作用
1) 防止<em>三极管</em>受噪声信号的影响而产生误动作,使晶体管截止更可靠!<em>三极管</em>的基极不能出现悬空,当输入信号不确定时(如输入信号为高阻态时),加下拉电阻,就能使有效接地。 特<em>别是</em>GPIO连接此基极的时候,一般在GPIO所在IC刚刚上电初始化的时候,此GPIO的内部也处于一种上电状态,很不稳定,容易产生噪声,引起误动作!加此电阻,可消除此影响(如果出现一尖脉冲电平,由于时间比较短,所以<em>这个</em>
三极管NPN和PNP一点小知识
<em>三极管</em>NPN与PNP都有EBC三个极(E射极、B基极、C集电极),不同的是控制电流流动的方向是相反的,所以<em>三极管</em>的三个极与电流正负极没关系,只与<em>三极管</em>的制造结构有关。   EB之间电流的<em>导通</em>与EC之间电流的<em>导通</em>成正比,EB小电流<em>导通</em>控制着EC大电流的<em>导通</em>,EB小电流的限制也同比例限制EC大电流的通过。如下图,箭头是指EB小控制电流的方向。   NPN:当小电流从B(
三极管的三种工作状态究竟该怎么理解?
一、从基极偏置电压角度分析 1、截止状态:即<em>三极管</em>B极偏置电压不足,<em>三极管</em>C、E极没电流(或只有微弱漏电电流)通过。 2、放大状态:<em>三极管</em>B极加有合适的偏置电压,C、E极呈半<em>导通</em>状态,这时电流根据B极电流及放大倍数变化而呈倍数变化变化。例如<em>三极管</em>为30倍放大,B极电流10mA即CE电流300mA,当然<em>三极管</em>并非线性的,会根据实际电路结构或<em>三极管</em>的特性不同而不同。 3、饱和<em>导通</em>状态,<em>三极管</em>B极
如何将高电压低电压结合在一起设计?
       虽然在降低功率的时候往往会强调<em>低电压</em>,但设计者通常需要在相同的设计中加入<em>低电压</em>和<em>高电压</em>。这就提出了三个挑战:开发<em>高电压</em>直流轨;提供更高的电压模拟放大器/驱动程序功能;并满足更<em>高电压</em>系统的相关安全和监管要求。  <em>低电压</em>、次5伏操作的优点很多,包括低功耗、低功耗、高集成电路功能密度、延长运行时间和寿命。但是有许多应用需要更高的电压,达到几百伏特以上。诸如压电马达、触觉装置、打印头驱动、专...
2018年Q1和Q2工作生活情况
[呲牙[呲牙]潜伏<em>一个</em>月,和大家汇报下最近的工作,分享下最近的心得。按照既定计划,2018年Q1,至少,完成了如下3项重要工作:1.换了个部门,继续从事Java服务端开发。系统主要服务小b,业务以虚拟商品交易为主,技术的难度有一定提升,种类有所提升,工作强度和专注度有所提升。2.进一步学习了互联网标准技术。涉及到并发多线程,数据库优化,分布式锁和事务等。其中,转载阅读过的文章10多篇,尝试学习并解...
Y2 三级管电路工作原理及详解
三级管电路工作<em>原理</em>及详解目录三级管电路工作<em>原理</em>及详解目录 <em>三极管</em>辨认 辨认bce边 <em>三极管</em>工作状态 <em>三极管</em>作为开关管<em>三极管</em>辨认辨认bce边e级:有箭头 b级:不解释 c级:没箭头 <em>三极管</em>发射极的箭头方向,代表<em>三极管</em>放大·饱和时,发射极电流的流向。<em>三极管</em>工作状态 放大状态 截止状态 饱和状态 <em>三极管</em>作为开关管<em>三极管</em>作为开关使用时,仍是处于下列两种状态下工作。 截止(cuto
关于TLP521-1的光耦的导通的试验报告
3.5v~24v 认为是高电平,0v~1.5v认为是低电平 1、0v~1.5v认为是低电平,利用串接<em>一个</em>二极管1N4001的压降0.7V+光耦的LED的压降,吃掉1.4V左右; 2、24V是最<em>高电压</em>,不能在最<em>高电压</em>的时候,光耦通过的电流太大;所以选用2K的电阻;光耦工作在大概10mA的电流,可以保证稳定可靠工作n年以上; 3、3.5V以上是高电平,为了尽快进入光敏<em>三极管</em>的饱和区,要把光耦的光
数字电路中的三极管
单片机软件开发,离不开基本的硬件电路知识,而<em>三极管</em>在其中占据关键地位,不论是在数字电路,还是模拟电路,它的应用十分普遍。在模拟电路中,<em>三极管</em>的主要作用是放大信号,在数字电路中只要是利用其开关特性来控制、驱动其他器件。对于单片机软件开发者来说,主要是要熟悉<em>三极管</em>在数字电路中的应用。<em>三极管</em>电路符号如图: <em>三极管</em>分为NPN型和PNP型,它有3个极:基极(base)、集电极(collector)和发射极(
如何使得三极管输出波形的边沿变得陡峭(加速电容)
原帖地址: http://www.amobbs.com/forum.php?mod=viewthread&tid=3552601&highlight=%E9%9D%A2%E8%AF%95 有些比较好的回复讨论很不错. 虽然听不多大明白, 但是学习了!!!! =====================================================================
数字电路1 -三极管开关
前面发表的博文写的乱七八糟的,整理一下。 1. 上图是<em>三极管</em>典型开关电路。有两点需要注意, 一: R47和R48分<em>别是</em>上拉和下拉电阻,作用是在输入悬空的时候,使<em>三极管</em>可靠地截止。 二:无论是PNP还是NPN,简单来讲,只要发射机正偏,<em>三极管</em>就<em>导通</em>了,即那个箭头是正电压即可。而它是否饱和<em>导通</em>,则是由Vc,Vb和Rc,Rb共同决定的。在给定的Vc,Rc下,查询datasheet得到放大
PNP三极管工作原理
模电课本上主要以npn型管介绍的放大电路,这里将pnp型管的<em>原理</em>简单介绍一下 1.PNP管放大<em>原理</em>: 当PNP管的VC 2.开关作用<em>原理</em>: 当管子的VC>VB,且VE>VB时,集电结和发射结都正偏,管子工作于饱和状态,此时管子的管压降约为0.1-0.3V。IC=VCC/RC ,即,集电极电流基本取决于集电极电源和集电极电阻,与IB无关,相当于<em>一个</em>闭合的开关。 当VC
稳压二极管原理及使用
要理解稳压二极管的工作<em>原理</em>,只要了解二极管的反向特性就行了。所有的晶体二极管,其基本特性是单向<em>导通</em>。就是说,正向加压<em>导通</em>,反向加压不通。这里有个条件就是反向加压不超过管子的反向耐压值。那么超过耐压值后<em>是什么</em>结果呢?<em>一个</em>简单的答案就是管子烧毁。但这不是全部答案。试验发现,只要限制反向电流值(例如,在管子与电源之间串联<em>一个</em>电阻),管子虽然被击穿却不会烧毁。而且还发现,管子反向击穿后,电流从大往小变,电
ULN2003的工作原理
1;这里图2步进电机的A端流入+5V ,如果图1输入的是高电平的话。两个<em>三极管</em><em>导通</em>,于是步进电机的那一相就<em>导通</em>了。低电平,就断开了。 2;这里如果电机突然停止产生很大的电流;这时由于COM端接了二极管则限制在+5.7V左右 具体请看http://bbs.21ic.com/
MOS管导通条件
PMOS增强型管:uG-uS&amp;amp;lt;0 , 且 |uG-uS|&amp;amp;gt;|uGS(th)| , uGS|th|是开启电压; NMOS增强型管:uG-uS&amp;amp;gt;0,且 |uG-uS|&amp;amp;gt;|uGS(th)| ,uGS|th|是开启电压; PMOS<em>导通</em>是在G和S之间加G负S正电压。NMOS相反。 比如AOD409是一款P型MOS管,详细资料可以在alldatasheet里下载芯片资料。其中uGS=...
PMOS 和 NMOS使用总结
PMOS:   NMOS:   NMOS是栅极高电平(|VGS| &amp;gt; Vt)<em>导通</em>,低电平断开,可用来控制与地之间的<em>导通</em>。 PMOS是栅极低电平(|VGS| &amp;gt; Vt)<em>导通</em>,高电平断开,可用来控制与电源之间的<em>导通</em>。 NMOS因Source端一般接地(低电位),所以要让|VGS| &amp;gt; Vt, 则Gate端一般要接正电压,这样管子才能<em>导通</em>; PMOS因Source端...
mos管的导通电阻和耐压有啥关系?
同种工艺相同面积下,耐压越高内阻越大
三极管原理---动图解释
<em>三极管</em>的电流放大作用应该算是模拟电路里面的<em>一个</em>难点内容,我想用这几个动画简单的解释下为什么小电流Ib能控制大电流Ic的大小,以及放大电路的<em>原理</em>。 我这里的<em>三极管</em>也叫双极型晶体管,模电的放大电路和数电的简单逻辑电路里面都会用到。有集电极c、基极b、发射极e、以及两个PN结:集电结和发射结。集电极面积比较大,基极厚度薄而且载流子浓度比较低。下图是个NPN型的<em>三极管</em>: 当发射结正偏时,电荷分布会...
NPN和PNP三极管基本概念
1、正向偏置:P区接正极,N区接负极。即Vp > Vn 2、反向偏置:N区接正极,P区接负极。即Vn >Vp 3、<em>三极管</em><em>导通</em>条件:发射结正偏,集电结反偏。NPN和PNP都遵循<em>这个</em><em>原理</em>。 4、辨识技巧:NPN和PNP箭头可以当成二极管来看,二极管电压正偏<em>导通</em>则<em>三极管</em>即为<em>导通</em>。 5、
常用半导体器件之三极管(BJT 电流控制元件)
1.晶体管的结构及类型2.晶体管的共射特性曲线
单片机上拉电阻作用
单片机上拉电阻作用 1. 场效应管的漏极开路门电路如下:   图中上拉电阻作用分析如下:         管子<em>导通</em>或截止可以理解为单片机的软件时端口置1或0. (1)如果没有上拉电阻(10k),将5V电源直接与场效应管相连。         当管子<em>导通</em>时,  管子等效一电阻,大小为1k左右,因此5v电压全部加在此等效电阻上,输出端Vout=5v。         当管子截止时,管
MOS管的导通特性
td(on)(turn on delay time):是Vgs从0到达Vgs(th)所用的时间。这段时间是给输入电容Cgs+Cgd充电,使 Vgs到达Vgs(th)。tr(rise time):是Vds从Vdd开始下降到MOS完全<em>导通</em> 时的Vds(on)所用的时间。此阶段中,Vds下降时的 Vgs和Id保持恒定。由于存在大电流和大电压,所以会产 生很大的功耗。所以应该通过减小gate端的串
NPN和PNP的使用总结
1、区别 NPN 是用 B→E 的电流(IB)控制 C→E 的电流(IC),E极电位最低,且正常放大时通常C极电位最高,即 VC > VB > VE PNP 是用 E→B 的电流(IB)控制 E→C 的电流(IC),E极电位最高,且正常放大时通常C极电位最低,即 VC 如今流行的电路图画法,"阳上阴下”,也就是“正电源在上负电源在下”。那NPN电路中,E 最终都是接到地板(直接或间接)
三极管概念工作原理及其应用
<em>三极管</em>在我们数字电路和模拟电路中都有大量的应用,在我们开发板上也用了多个<em>三极管</em>。在我们板子上的 LED 小灯部分,就有<em>这个</em><em>三极管</em>的应用了,图 3-5 的 LED 电路中的 Q16就是<em>一个</em> PNP 型的<em>三极管</em>。 图 3-5  LED 电路 <em>三极管</em>的初步认识 <em>三极管</em>是一种很常用的控制和驱动器件,常用的<em>三极管</em>根据材料分有硅管和锗管两种,<em>原理</em>相同,压降略有不同,硅管用的较普遍,而锗管
图中PNP型三极管发射极和基极为什么要加个100K(R21)的电阻?
那是<em>一个</em>上拉电阻,确保COM1没有输出时(比如高阻)8550会可靠截止。COM1输出为低时8550<em>导通</em>
三极管原理--我见过最通俗讲法
对<em>三极管</em>放大作用的理解,切记一点:能量不会无缘无故的产生,所以,<em>三极管</em>一定不会产生能量。 但<em>三极管</em>厉害的地方在于:它可以通过小电流控制大电流。 放大的<em>原理</em>就在于:通过小的交流输入,控制大的静态直流。 假设<em>三极管</em>是个大坝,<em>这个</em>大坝奇怪的地方是,有两个阀门,<em>一个</em>大阀门,<em>一个</em>小阀门。小阀门可以用人力打开,大阀门很重,人力是打不开的,只能通过小阀门的水力打开。 所以,平常的工作流程便是,每当放
1N4148的导通电压
3. 如果25°C温度条件不变,1N4148的<em>导通</em>电压应该是多少? 答:近似0.65V。基本不变,不过,通过二极管正向电流增加,<em>导通</em>电压会有一点增加,会大于0.65V,反之,电流减小,<em>导通</em>电压也会减小,会小于0.65V。
PNP三极管作为开关管如何使用(集电极接 负载)
这样子 向左转|向右转
三极管:NPN和PNP
一,<em>三极管</em>的类型:NPN 和 PNP 二,NPN和PNP图示:三,NPN1,特征:9013型号、SOT-23封装、小功率、用途(开关) 2,电路:E终将直接或间接地连接到GND,C终将直接或间接地连接到VCC。 3,做开关时 (1)NPN适合放在电路的接地端GND。 (2)基极不加偏置电压(Vbe<0.7V)或是反向偏置电压(反向击穿),Vbe截止,Ic=Ib=0,ce极断路,负载无电流,此
三极管的使用方法,放大,截止,饱和
1.首先认识清楚<em>三极管</em>的管脚                            参考资料万用表区分mos管引脚 2.知道管脚我们也就知道NPN和PNP了,箭头朝内 PNP,<em>导通</em>电压顺箭头过,电压<em>导通</em>,电流控制。那箭头朝外的自然就是 NPN 了! NPN管工作在放大区的时候: 集电极电压&amp;gt;基极电压&amp;gt;发射极电压 也就是:Vc&amp;gt;Vb&amp;gt;Ve  ...
复制学习
不知道下面这些知识点的也别说你学好了模电。 1.在常温下,硅二极管的门槛电压约为0.5V,<em>导通</em>后在较大电流下的正向压降约为0.7V;锗二极管的门槛电压约为0.1V,<em>导通</em>后在较大电流下的正向压降约为0.2V。 2、二极管的正向电阻小;反向电阻大。 3、二极管的最主要特性是单向导电性。PN结外加正向电压时,扩散电流大于漂移电流,耗尽层变窄。 4、二极管最主要的电特性是单向导电性
三极管做开关管的总结(理解三极管
        大学时,老师就告诉模电重要,确实重要,可是如何学好模电那,我觉得<em>三极管</em>很重要,<em>三极管</em>学会了,再不深究的情况下,mos管我们也能运用自如。我们不要想着去学,要想着去用,为什么要学<em>三极管</em>,是因为我们设计电路时要去用<em>三极管</em>我一直在想<em>一个</em>软件工程师和<em>一个</em>硬件工程师对电路的理解差别<em>是什么</em>。那就是软件工程师只在意电压,我们会经常发现嵌入式软件工程师会总说多少伏多少伏的。而<em>一个</em>硬件工程师我
P-MOS管做开关管用
用的P-MOS管子为AOD403/AOI403。当VgsVg,管子<em>导通</em>。S点的电压会传到D点。 (1)若Vs=0,Vg=Vd=12V。烧管子。当时我们想,当Vg点的电压大于Vs点的电压,管子就会关掉。但是实际情况是,当g点给12V,s点给0v,管子会关掉,但是当d点电压为12v时,由于管子内部电阻很小,管子就烧坏了。 (2)若Vg=0v,Vs点加的电压由3.3v降到0v,Vd点的电压也
使用队列的程序举例(2)
.h文件:/*循环队列的链式存储*///初始化void InitQueue(LinkQueue &amp;amp;HQ){ HQ.front = HQ.rear = NULL;}//清空队列void ClearQueue(LinkQueue &amp;amp;HQ){ LNode *p = HQ.front; while(p != NULL) { HQ.front = p-&amp;gt;next; delete p...
二极管导通与截止的问题
二极管两端电压突然由+Vi 变为-Vr时,二极管不会立刻截止,电流不会立刻变为0,而是先变成<em>一个</em>反向电流,维持一段时间后,再慢慢降到<em>一个</em>很小的时,近似于二极管截止。 原因是由于电荷的储存效应造成的,<em>这个</em>反向恢复时间就是存储电荷消失所需要的时间。   这不<em>是什么</em>难点,不过容易忘记,写下来,加强下记忆,也许哪天调电路时会遇到!
NPN、PNP型三极管的常见问题
NPN: 通常有人会问这样<em>一个</em>问题:<em>一个</em>NPN型<em>三极管</em>的集电极接上电源正极,发射极接电源负极,基极不接电源的任何一端,并且加在集电极和基极的电压足够大的情况下,集电集和发射极是否有电流通过? 其实,“NPN型<em>三极管</em>的集电极接上电源正极,发射极接电源负极”<em>三极管</em>会有很小的电流通过,一般在微安级,由于制造及材料的原因它的大小会有些不同。这称为穿透电流,它是在规定的集射电压下测得的。
BJT三极管和FET场效应管的几个问题讨论
1 场效应管主要有两种类型,分<em>别是</em>JFET和MOSFET。 2 <em>三极管</em>的内部工作<em>原理</em>就是对基极和发射极之间的流过的电流进行不断地监视,并控制集电极-发射极之间的电流源,使基极-发射极 间电流的十至数百倍的电流在集电极和发射极之间流动。换言之,晶体管是用基极电流来控制集电极-发射极电流的器件。 3 晶体管有<em>一个</em>箭头方向,可以理解为在晶体管的基极-发射极间加入了<em>一个</em>二极管,而箭头
利用AO3401A实现电路电源防反接和电池充电管理功能
今天在工作中用到了mos管 AO3401,它的内部示意图如下,G(gate)栅极,D(drain)漏极,S(source)源极 1,mos常被用作为开关管,以下用作电池的防反接正是运用了mos管的<em>这个</em>特性。如图所示:当正常连接时,1接电池正极,2接电池负极,由于AO3401内部有有<em>一个</em>从左向右的二极管,使mos管2脚变高电平,满足mos<em>导通</em>条件,正常工作。如果1接电池负极,2接电池正极,不满
发光二极管压降, 也就是最小导通电压
导读:相信大家对发光二极管都很熟悉了,其实发光二极管是半导体二极管的一种,可以把电能转化成光能。下面就让小编为大家介绍一下发光二极管的压降问题,不懂的童鞋们快来看一下吧~~~ 本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/271108.htm 1.发光二极管压降--简介   发光二极管(Light-Emitting Diode)是一种能发光的半导体电子元件,简称
关于三极管处于临界饱和状态的分析
若发射结正偏,集电结零偏,则<em>三极管</em>工作在临界饱和状态;若发射结正偏,集电结也正偏,则<em>三极管</em>工作在饱和状态(也称过饱和) 临界饱和:Ube = Uce时,符合此条件还未变化的临界状态,因为Ubc可以看成是0,结两端电压的变化趋势是从反向偏置到临界,此时还没有让多子大规模扩散的外力介入,所以仍然处于放大状态而非饱和状态。需要注意的是,放大状态的条件是Uce大于等于Ube。可以理解为“Vce电压没有达...
MOSFET 导通条件
https://wenku.baidu.com/view/fc0a7d2eccbff121dd3683b2.html
关于达林顿管
简单的说达林顿管就是复合管。它将二只<em>三极管</em>适当的连接在一起,以组成一只等效的新的<em>三极管</em>。这等于效<em>三极管</em>的放大倍数是二者之积。在电子学电路设计中,达林顿接法常用于功率放大器和稳压电源中。 达林顿电路有四种接法:NPN+NPN,PNP+PNP,NPN+PNPPNP+NPN. 前二种是同极性接法,后二种是异极性接法。将前一级T1的输出接到下一级T2的基极,两级管子共同构成了复合管。另外,为避免后级T2管
三极管开关电路图原理及设计详解
转载自:http://www.dzsc.com/data/2017-5-9/112152.html 发射极接地开关电路 1.1 NPN型和PNP型基本开关<em>原理</em>图: 上面的基本电路离实际设计电路还有些距离:由于晶体管基极电荷存储积累效应使晶体管从<em>导通</em>到断开有<em>一个</em>过渡过程(当晶体管断开时,由于R1的存在,减慢了基极电荷的释放,所以Ic不会马上变为零)。也就是说发射极接地型
三极管开关电路工作原理解析及三极管的放大区、饱和区、截止区
图一所示是NPN<em>三极管</em>的 共射极电路,图二所示是它的特性曲线图,图中它有3 种工作区域:截止区(Cutoff Region)、线性区 (Active Region) 、饱和区(Saturation Region)。<em>三极管</em>是以B 极电流IB 作为输入,操控整个<em>三极管</em>的工作状态。若<em>三极管</em>是在截止区,IB 趋近于0 (VBE 亦趋近于0),C 极与E 极间约呈断路状态,IC = 0,VCE = VC
N MOSFET VGS(th)和管子导通的关系
如下图所示,为AOT290L/AOB290L( N MOSET )的部分参数。其中,VGS(th)的值为:Min,2.9V ;Typ,3.5V;Max,4.1V .1. 当VGS(th)≥4.1V时,所有的此规格的MOSFET均<em>导通</em> ; 2. 当2.9V≤VGS(th)&amp;lt;4.1V时,此规格的MOSFET有可能<em>导通</em>(也有可能不<em>导通</em>);   3. 当VGS(th)&amp;lt;2.9V时,所有此规...
推挽电路
要介绍推挽电路,首先介绍功放的一些基本知识。从能量控制的观点看,功放电路和电压放大电路没有本质区别,但后者的要求是使负载得到不失真的电压信号,而前者的要求是获得一定的不失真的输出功率。在放大电路中,输入信号在整个周期内都有电流流过,称为甲类放大;如果只有大半个周期有电流流过,称为
三极管开关特性
<em>三极管</em>在我们数字电路和模拟电路中都有大量的应用,在我们开发板上也用了多个<em>三极管</em>。在我们板子上的 LED 小灯部分,就有<em>这个</em><em>三极管</em>的应用了,图 3-5 的 LED 电路中的 Q16就是<em>一个</em> PNP 型的<em>三极管</em>。图 3-5  LED 电路<em>三极管</em>的初步认识<em>三极管</em>是一种很常用的控制和驱动器件,常用的<em>三极管</em>根据材料分有硅管和锗管两种,<em>原理</em>相同,压降略有不同,硅管用的较普遍,而锗管应用较少,本课程就用硅管的参...
三极管何时工作在饱和状态
 <em>三极管</em>BE间偏置电阻的作用,<em>三极管</em>什么时候进入饱和状态,<em>三极管</em>深度饱和和什么影响 1.<em>三极管</em>BE间偏置电阻的作用 <em>三极管</em>B-E间电阻不是限流更不是分压,主要作用是给<em>三极管</em><em>一个</em>偏置,作为数字电路的输出驱动,<em>三极管</em>通常只是工作在截止或饱和<em>导通</em>状态的,饱和是好实现的,因为当 Ibe * β 远大于<em>三极管</em>的饱和电流时<em>三极管</em>自然处于饱和状态,但截止则是相对的,因为 b-e 间有<em>漏电流</em>,而
三极管大全
<em>三极管</em>参数大全 <em>三极管</em>参数大全1 型号耐压(V) 电流(A) 功率(W) 型 号 耐压(V) 电流(A) 功率(W) B857 70V 4A 40W BU2508A 1500V 8A 125W BU2508AF 1500V 8A 45WBU2508DF 1500V 8A 45W BU2520AF 1500V 10A 45WBU2520AX 1500V 10A 45W BU2520DF
PMOS和NMOS的区分及导通方式
NMOS:是栅极高电平(VGS &amp;gt; Vt)<em>导通</em>,低电平断开,可用来控制与地之间的<em>导通</em>。PMOS:是栅极低电平(VGS &amp;lt; Vt)<em>导通</em>,高电平断开,可用来控制与电源之间的<em>导通</em>。...
三极管的三种工作状态
<em>三极管</em>的三种工作状态(放大、截止、饱和); 放大电路的静态、动态;直流通路、交流通路; 截止状态:当加在<em>三极管</em>发射结的电压小于PN结的<em>导通</em>电压,基极电流为零,集电极电流和发射极电流都为零,<em>三极管</em>这时失去了电流放大作用,集电极和发射极之间相当于开关的断开状态,我们称<em>三极管</em>处于截止状态。一般将IB≤0的区域称为截止区, 在图中为IB=0的一条曲线的以下部分。此时IC也近似为零。由于各极
NMOS/PMOS原理基础
1.NMOS/PMOS<em>原理</em>图 2.<em>导通</em>性
关于单片机电路中NPN三极管与PNP三极管的接法问题
请问前辈,在单片机日常控制电路中,为什么上面两图就是正确的,而下面两图则是错误的?我看过你回答别的人问题,但是不是很详细,所以请教一下。 其实呢,上面四个电路都能工作,只是从<em>三极管</em>的理论分析上来看,上两图是合格的,<em>三极管</em>工作于开关饱和状态,功耗小,下两图虽然也可以工作,但是是工作于倒置、截止、放大与饱和的频繁转换状态,功耗相对要大些,如果你所有的负载是 1R的话,用下两图,<em>三极管</em>会出现烧毁的
什么是低电压处理器 笔记本CPU标准与低电压区别对比
一、什么是<em>低电压</em>处理器超<em>低电压</em>处理器,英文全称『Ultra Low Voltage』又称为ULV处理器,其结尾命名通常带有U结尾,比如i5-4200U。现在的<em>低电压</em>处理器主要有T系列,U系列,Y系列。U系列通常是笔记本<em>低电压</em>处理器,兼顾性能与低功耗兼,标准电压则为M结尾;T系列则是台式桌面电脑低功耗处理器;而Y系列是Intel功耗最低的<em>一个</em>系列,如微软Surface Pro 3平板、Acer P3就
场效应管导通条件
FET类型 符号 工作条件 开关状态 备注 N沟道结型 UGS=0 D、S<em>导通</em> UGS D、S断开 P沟道结型 UGS=0 D、S<em>导通</em> UGS>UGS(OFF)>0
集电结反偏不是截止状态吗,三极管怎么还能放大
见过多次这样的问题了,基本上都是问:放大时,发射结正偏、集电结反偏。但是,集电结反偏,这不是截止状态吗,<em>三极管</em>怎么还能放大?翻了几本书,确实,书上都没有仔细介绍反偏、截止的工作过程。下面,做而论道简单说说<em>这个</em>问题。---------------PN 结正偏时,P 区里面较多的正电荷(空穴),会扩散到 N 区,和 N 区大量的负电荷(自由电子)复合。当然,N 区电子,也会向 P 区扩散,在 P 区和
奇怪问题--二极管并联电阻分压
如图1所示的电路输入电压为220V交流电,我用示波器接地端连接GND,用探头打vin_p和vin_n的波形发现二者波形几乎一样类似50hz的正弦波,峰峰值大约5V左右。而将示波器接地端接A,探头接B其波形显示为峰峰值0.6V占空比50%的方波。理论上,R3到R6构成了对AB两端的分压,假设AB端电压为0.6V,那么测试得vin_p的值应该为0.6/4=0.15V才对,而实际测试发现其峰峰值达到5V
栈和队列练习—奇偶数输出
编写<em>一个</em>程序,任意输入n个100以内的数,将它们的奇数和偶数分别存入链队为Q1和Q2中,然后配对输出链队Q1、Q2中的值,直到任一队列为空为止。 #include&lt;iostream&gt; #include&lt;queue&gt; using namespace std; int main() { queue&lt;int&gt;Q1,Q2; i...
发光二极管(LED)的导通电压
发光二极管(LED)的<em>导通</em>电压   (2011-07-25 14:59:50) 转载▼ 标签:  杂谈 分类: 嵌入式 此处为插脚LED 黄:1.75—1.83V 20mA 红:1.75—1.83V 20mA 橙:2.0—2.13V 20mA 绿:2.0—2.13V 20mA 蓝:3.3
发光二极管的导通压降导通电流
文章属于转载:http://club.cntronics.com/space.php?uid=154027&do=blog&id=22130 下面列举的是常用发光二极管的<em>导通</em>电流跟<em>导通</em>压降 (1)直插超亮发光二极管压降           主要有三种颜色,然而三种发光二极管的压降都不相同,具体压降参考值如下:           红色发光二极管的压降为2.0--2.2V
三极管放大
1、没有直流偏置反馈,工作不稳定。 2、没有交流反馈,放大倍数不稳定。
BAV99作用
BAV99<em>这个</em>元件的设计是出于ESD的考虑,怕信号线易受到ESD的干扰或者放电损坏电路,因为这些接口都是互相对接的,怕接到的信号有大的静电。         当几KV的静电由输入端输入时,二极管被反向击穿,同时电荷被快速泻放到地或者电源。正的静电大部分泻放到电源,负的静电大部分泻放到地。达到ESD防护的目的。          当正的静电发生时, D2 工作但D1不工作,因此<em>这个</em>钳
分析MOS管导通电阻如何进行处理,这些方法你未必全都知晓
  MOS管<em>导通</em>电阻一般用于分压及尽快泄放拦击电荷,避免出现全桥短路的情况。而在使用过程中,高压MOS管的<em>导通</em>电阻都是决定耗散功率的重要参数,所以应用好MOS管<em>导通</em>作用能够提升设备效率。今天,为了大家能够更好的应用MOS管,飞虹小编分享一下该怎么降低高压MOS管的<em>导通</em>电阻。   降低高压MOS管<em>导通</em>电阻的<em>原理</em>与方法   1.不同耐压的MOS管的<em>导通</em>电阻分布。不同耐压...
PMOS 和 NMOS的区别
NMOS是栅极高电平<em>导通</em>,低电平断开,可用来控制与地之间的<em>导通</em>。 PMOS是栅极低电平<em>导通</em>,高电平断开,可用来控制与电源之间的<em>导通</em>, 缺点是价格贵、<em>导通</em>电阻大、发热大、效率低,优点是容易驱动,只要把栅极电压拉下来就可以了 本文来自:我爱研发网(52RD.com) - R&D大本营 详细出处:http://www.52rd.com/bbs/Archive_Thread.asp?SID=192
三级管的饱和区和MOS管的饱和区
三级管的饱和区和MOS管的饱和区 mos:iDs不随Vds增加而增加; bjt:iC不随iB的增加而增加;
单片机AT89C51产生2KHZ的方波,由其端口P3.2输出,当方波为为波峰时,是NPN型三极管导通,驱动喇叭发出声音,当其为波谷时,则三极管截止, 喇叭不发出声音
单片机AT89C51产生2KHZ的方波,由其端口P3.2输出,当方波为为波峰时,是NPN型<em>三极管</em><em>导通</em>,驱动喇叭发出声音,当其为波谷时,则<em>三极管</em>截止, 喇叭不发出声音
话说MOSFET的应用
在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的<em>导通</em>电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的。   下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结,其中参考了一些资料,非全部原创。包括MOS管的介绍,特性,驱动以及应用电路。   1、MOS管种类和结构   
MOS管入门----只谈应用,不谈原理
大学的时候看到电路中涉及到MOS管的使用,指定头大。前几天偶然看见一篇文档《MOS管<em>原理</em>,非常详细》,对MOS管的使用总结的很透彻,所以整理到这里。以下以增强型MOS管为例解释说明。 1. 三个极怎么判定 G极(gate)—栅极,不用说比较好认 S极(source)—源极,不论是P沟道还是N沟道,两根线相交的就是 D极(drain)—漏极,不论是P沟道还是N沟道,是单独引线的那边 ...
TortoiseSVN_1.7.2.22327_xp专用下载
svn(subversion)是近年来崛起的版本管理工具,是cvs的接班人。目前,绝大多数开源软件都使用svn作为代码版本管理软件。 相关下载链接:[url=//download.csdn.net/download/suzhentao/6628793?utm_source=bbsseo]//download.csdn.net/download/suzhentao/6628793?utm_source=bbsseo[/url]
gitbook-win.zip下载
gitbook方便编写文档,这个是支持win版本 相关下载链接:[url=//download.csdn.net/download/yeshenrenjin/8363783?utm_source=bbsseo]//download.csdn.net/download/yeshenrenjin/8363783?utm_source=bbsseo[/url]
北大青鸟Y2结业考试试题1下载
北大青鸟 Y2结业考试试题 是各界的考试试题!!!!!!! 相关下载链接:[url=//download.csdn.net/download/wuwushenbao/2133524?utm_source=bbsseo]//download.csdn.net/download/wuwushenbao/2133524?utm_source=bbsseo[/url]
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