求助,这个漏电流是什么原理,分别是高电压导通一个三极管q1,低电压导通q2 [问题点数:50分]

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三极管导通条件总结
对<em>三极管</em>放大作用的理解,切记一点:能量不会无缘无故的产生,所以,<em>三极管</em>一定不会产生能量。 但<em>三极管</em>厉害的地方在于:它可以通过小电流去控制大电流。 放大的<em>原理</em>就在于:通过小的交流输入,控制大的静态直流。 假设<em>三极管</em>是个大坝,<em>这个</em>大坝奇怪的地方是,有两个阀门,<em>一个</em>大阀门,<em>一个</em>小阀门。小阀门可以用人力打开,大阀门很重,人力是打不开的,只能通过小阀门的水力打开。 所以,平常的工作流程便是,每当放水
NMOS管导通原理
<em>这个</em>其实是NPN<em>三极管</em>的<em>原理</em>图,但是将电流改成电压之后也能通俗地解释NMOS的工作<em>原理</em>:B级和E级之间的电压超过<em>导通</em>电压之后C级和E级<em>导通</em>,<em>导通</em>电阻根据不同的NMOS管型号而变。<em>导通</em>之后C级和E级之间会有电流,如果负载放在E级下面会导致E级的电压升高可能会导致B级和E级的压差降低到<em>导通</em>电压一下,所以负载最好放在C级上面。(注意B、C、E都是<em>三极管</em>上的,MOS管上分<em>别是</em>G、D、S)
通俗易懂的三极管饱和导通解析
通俗易懂的<em>三极管</em>饱和<em>导通</em>解析,通过这篇文当,可以快速的理解<em>三极管</em>的饱和<em>导通</em><em>原理</em>
低电压控制高电压
行业规定 安全电压为不高于36V,持续接触安全电压为24V,安全电流为10mA,所以在各种电子产品中都有隔离控制部;另一方面是方式控制芯片受到<em>高电压</em>的干扰也加了电压隔离控制。 经过工作半年遇见的各种产品电路,我也有了点小小的经验在这里写这篇我的处女博文给大家分享一下。先声明我是菜鸟,有什么地方写的不好的情多多见谅。 1.  使用继电器与<em>三极管</em>控制220v交流电压 CON_IN输入引脚
【基础】PNP三极管导通条件____很具代表性
原文地址::http://www.php230.com/wtoutiao/1175881.html 工作好几年,<em>三极管</em>用的最多的,其实是开关电路。下面分别介绍PNP型和NPN型的<em>三极管</em>。先说PNP型的<em>三极管</em>,常用的型号有9012,8550等等。如何使用呢,如下图: FM是<em>一个</em>蜂鸣器,8550是<em>一个</em>PNP型的<em>三极管</em>,C端接地,B端由单片机控制,E端通过FM接VCC。根
开关二极管的导通和截止条件
<em>三极管</em>在我们数字电路和模拟电路中都有大量的应用,在我们开发板上也用了多个<em>三极管</em>。在我们板子上的 LED 小灯部分,就有<em>这个</em><em>三极管</em>的应用了,图 3-5 的 LED 电路中的 Q16就是<em>一个</em> PNP 型的<em>三极管</em>。 图 3-5  LED 电路 <em>三极管</em>的初步认识 <em>三极管</em>是一种很常用的控制和驱动器件,常用的<em>三极管</em>根据材料分有硅管和锗管两种,<em>原理</em>相同,压降略有不同,硅管用的较普遍,而锗管
开关三极管导通和截止条件
转自:https://blog.csdn.net/ruanjianruanjianruan/article/details/38523973<em>三极管</em>在我们数字电路和模拟电路中都有大量的应用,在我们开发板上也用了多个<em>三极管</em>。在我们板子上的 LED 小灯部分,就有<em>这个</em><em>三极管</em>的应用了,图 3-5 的 LED 电路中的 Q16就是<em>一个</em> PNP 型的<em>三极管</em>。图 3-5  LED 电路<em>三极管</em>的初步认识<em>三极管</em>是一...
三极管导通条件与电位关系
npn管<em>导通</em>条件: Ub > Ue,通常e极接地,即Ue为0V。饱和<em>导通</em>是Ub > Ue(锗0.2V/硅0.7V) pnp管<em>导通</em>条件: Ub < Ue,通常e极接电源,即Ue>0V。饱和<em>导通</em>是Ub < Ue(锗0.2V/硅0.7V)。通常饱和<em>导通</em>直接使b极接地
模电中NPN和PNP导通条件
PNP低电平<em>导通</em>,箭头向里。 NPN高电平<em>导通</em>,箭头向外。 NPN和PNP的E极带箭头。
真正的学懂三极管入门篇(经典)
______________________________________________________________________________________________________________________________________ 不要让温床称为埋葬你的坟墓! 要有危机意识,忧患意识,要为明天考虑! 禁忌:安于现状,不求上进,不懂得学习,不能恰当
T1078 求分数序列和(#Ⅰ- 4 - 1)
【题目描述】有有<em>一个</em>分数序列<em>q1</em>/p1,<em>q2</em>/p2,q3/p3,q4/p4,q5/p5,.... ,其中q(i+1)=qi+pi,p(i+1)=qi,p1=1,<em>q1</em>=2。比如<em>这个</em>序列前6项分<em>别是</em>21,32,53,85,138,211321,32,53,85,138,2113。求<em>这个</em>分数序列的前n项之和。21,32【输入】输入有一行,包含<em>一个</em>正整数n(n ≤ 30)。【输出】输出有一行,包含<em>一个</em>浮点...
32:求分数序列和
原题链接 总时间限制: 1000ms 内存限制: 65536kB 描述 有<em>一个</em>分数序列 <em>q1</em>/p1,<em>q2</em>/p2,q3/p3,q4/p4,q5/p5,.... ,其中qi+1= qi+ pi, pi+1=qi, p1= 1, <em>q1</em>= 2。比如<em>这个</em>序列前6项分<em>别是</em>2/1,3/2,5/3,8/5,13/8,21/13。求<em>这个</em>分数序列的前n项之和。 输入输入有一行,
三极管基极偏置电阻
注意:“输入5V,那么分压点Vb电压是3.4V”的前提是两个电阻分压,但没有晶体管的情况下。一旦接入晶体管,be结必会<em>导通</em>,Vb的电压就被箝位在0.65V上,就不再是两个电阻分压了。应该理解成“4.7K电阻串联了<em>一个</em>正向连接的二极管到地”,而那个10K电阻只不过是并在二极管上而已。 至于10K电阻的作用,是为了在没有输入电压(或输入端悬空)时,保证晶体管可靠截止。 <em>这个</em>电阻的作用是提
光敏三极管的应用
敏<em>三极管</em>相当于在基极和集电极之间接有光敏二极管的普通<em>三极管</em>。其优点是灵敏度比光敏二极管高β倍,缺点是暗电流和集电结电容较大。光敏场效应管可看作是光敏二极管与场效应管的有机组合,它具有灵敏度高、线性范围大、光谱响应宽、输出阻抗低和体积小等优点,因此在微弱光信号和紫外光的检测中得到了广泛的应用。      1、光控报警器      下图是用晶闸管作驱动器的光控报警器。在有光照时,光敏<em>三极管</em><em>导通</em>,晶闸管...
PNP三极管电路简单分析
如上图所示,其放大条件仍然与NPN的一样:发射结正偏,集电结反偏。图中的电流方向如标记所示,由E到B,由E到C。 PNP作为开关使用时,其实与NPN的<em>导通</em>条件正好相反,Ub为0时,<em>三极管</em>反而<em>导通</em>,Ub为1时,<em>三极管</em>截止。
三极管工作原理分析!精辟、透彻
随着科学技的发展,电子技术的应用几乎渗透到了人们生产生活的方方面面。晶体<em>三极管</em>作为电子技术中<em>一个</em>最为基本的常用器件,其<em>原理</em>对于学习电子技术的人自然应该是<em>一个</em>重点。<em>三极管</em><em>原理</em>的关键是要说明以下三点: 1、集电结为何会发生反偏<em>导通</em>并产生Ic,这看起来与二极管<em>原理</em>强调的PN结单向导电性相矛盾。 2、放大状态下集电极电流Ic为什么会只受控于电流Ib而与电压无关;即:Ic与Ib之间为什么存在着一
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不知道下面这些知识点的也别说你学好了模电。 1.在常温下,硅二极管的门槛电压约为0.5V,<em>导通</em>后在较大电流下的正向压降约为0.7V;锗二极管的门槛电压约为0.1V,<em>导通</em>后在较大电流下的正向压降约为0.2V。 2、二极管的正向电阻小;反向电阻大。 3、二极管的最主要特性是单向导电性。PN结外加正向电压时,扩散电流大于漂移电流,耗尽层变窄。 4、二极管最主要的电特性是单向导电性
三极管NPN和PNP一点小知识
<em>三极管</em>NPN与PNP都有EBC三个极(E射极、B基极、C集电极),不同的是控制电流流动的方向是相反的,所以<em>三极管</em>的三个极与电流正负极没关系,只与<em>三极管</em>的制造结构有关。   EB之间电流的<em>导通</em>与EC之间电流的<em>导通</em>成正比,EB小电流<em>导通</em>控制着EC大电流的<em>导通</em>,EB小电流的限制也同比例限制EC大电流的通过。如下图,箭头是指EB小控制电流的方向。   NPN:当小电流从B(
开关三极管(数电中 三极管工作在截止区和导通区,模电中工作在放大区)
开关<em>三极管</em>的外形与普通<em>三极管</em>外形相同,主要用于电路的关与通的转换。由于它具有完成断路或接通的作用,被广泛用于开关电路,且具有开关速度快、寿命长等特点,而且普遍用于电源|稳压器电路、驱动电路、振荡电路、功率放大电路、脉冲放大电路及行输出电路等。 开关<em>三极管</em>电路图 开关<em>三极管</em>因功率的不同可分为小功率开关管和大功率开关管。 ,8550等 常用的高反压、大功率开关管有:2S
常用半导体器件之三极管(BJT 电流控制元件)
1.晶体管的结构及类型2.晶体管的共射特性曲线
PNP三极管工作原理,在起开关作用时的工作原理及工作电压电流分别是什么
1.PNP管放大<em>原理</em>: 当PNP管的VCVB,且VE>VB时,集电结和发射结都正偏,管子工作于饱和
三极管概念工作原理及其应用
<em>三极管</em>在我们数字电路和模拟电路中都有大量的应用,在我们开发板上也用了多个<em>三极管</em>。在我们板子上的 LED 小灯部分,就有<em>这个</em><em>三极管</em>的应用了,图 3-5 的 LED 电路中的 Q16就是<em>一个</em> PNP 型的<em>三极管</em>。 图 3-5  LED 电路 <em>三极管</em>的初步认识 <em>三极管</em>是一种很常用的控制和驱动器件,常用的<em>三极管</em>根据材料分有硅管和锗管两种,<em>原理</em>相同,压降略有不同,硅管用的较普遍,而锗管
如何将高电压低电压结合在一起设计?
       虽然在降低功率的时候往往会强调<em>低电压</em>,但设计者通常需要在相同的设计中加入<em>低电压</em>和<em>高电压</em>。这就提出了三个挑战:开发<em>高电压</em>直流轨;提供更高的电压模拟放大器/驱动程序功能;并满足更<em>高电压</em>系统的相关安全和监管要求。  <em>低电压</em>、次5伏操作的优点很多,包括低功耗、低功耗、高集成电路功能密度、延长运行时间和寿命。但是有许多应用需要更高的电压,达到几百伏特以上。诸如压电马达、触觉装置、打印头驱动、专...
PNP三极管工作原理
模电课本上主要以npn型管介绍的放大电路,这里将pnp型管的<em>原理</em>简单介绍一下 1.PNP管放大<em>原理</em>: 当PNP管的VC 2.开关作用<em>原理</em>: 当管子的VC>VB,且VE>VB时,集电结和发射结都正偏,管子工作于饱和状态,此时管子的管压降约为0.1-0.3V。IC=VCC/RC ,即,集电极电流基本取决于集电极电源和集电极电阻,与IB无关,相当于<em>一个</em>闭合的开关。 当VC
9012,9013三极管总结
一、<em>三极管</em>9012      9012是非常常见的晶体<em>三极管</em>,在收音机以及各种放大电路中经常看到它,应用范围很广,它是PNP型小功率<em>三极管</em>。 1 PNP9012<em>三极管</em> 1.1  9012<em>三极管</em>(TO-92封装)管脚图     1、发射极 2、基极 3、集电极 1.2  9012<em>三极管</em>(SOT-23封装)管脚图     1、基极 2、发射极 3、集电极
MOS管的导通特性
td(on)(turn on delay time):是Vgs从0到达Vgs(th)所用的时间。这段时间是给输入电容Cgs+Cgd充电,使 Vgs到达Vgs(th)。tr(rise time):是Vds从Vdd开始下降到MOS完全<em>导通</em> 时的Vds(on)所用的时间。此阶段中,Vds下降时的 Vgs和Id保持恒定。由于存在大电流和大电压,所以会产 生很大的功耗。所以应该通过减小gate端的串
三极管开关电路工作原理解析
<em>三极管</em>开关电路工作<em>原理</em>解析
场效应管导通条件
FET类型 符号 工作条件 开关状态 备注 N沟道结型 UGS=0 D、S<em>导通</em> UGS D、S断开 P沟道结型 UGS=0 D、S<em>导通</em> UGS>UGS(OFF)>0
三极管原理与应用
<em>三极管</em>的三种状态也叫三个工作区域,即:截止区、放大区和饱和区。 (1)、截止区:<em>三极管</em>工作在截止状态,当发射结电压Ube小于0.6—0.7V的<em>导通</em>电压,发射结没有<em>导通</em>集电结处于反向偏置,没有放大作用。 (2)、放大区:<em>三极管</em>的发射极加正向电压(锗管约为0.3V,硅管约为0.7V),集电极加反向电压<em>导通</em>后,Ib控制Ic,Ic与Ib近似于线性关系,在基极加上<em>一个</em>小信号电流,引起集电极大的信
数字电路1 -三极管开关
前面发表的博文写的乱七八糟的,整理一下。 1. 上图是<em>三极管</em>典型开关电路。有两点需要注意, 一: R47和R48分<em>别是</em>上拉和下拉电阻,作用是在输入悬空的时候,使<em>三极管</em>可靠地截止。 二:无论是PNP还是NPN,简单来讲,只要发射机正偏,<em>三极管</em>就<em>导通</em>了,即那个箭头是正电压即可。而它是否饱和<em>导通</em>,则是由Vc,Vb和Rc,Rb共同决定的。在给定的Vc,Rc下,查询datasheet得到放大
三极管的三种工作状态究竟该怎么理解?
一、从基极偏置电压角度分析 1、截止状态:即<em>三极管</em>B极偏置电压不足,<em>三极管</em>C、E极没电流(或只有微弱漏电电流)通过。 2、放大状态:<em>三极管</em>B极加有合适的偏置电压,C、E极呈半<em>导通</em>状态,这时电流根据B极电流及放大倍数变化而呈倍数变化变化。例如<em>三极管</em>为30倍放大,B极电流10mA即CE电流300mA,当然<em>三极管</em>并非线性的,会根据实际电路结构或<em>三极管</em>的特性不同而不同。 3、饱和<em>导通</em>状态,<em>三极管</em>B极
2018年Q1和Q2工作生活情况
[呲牙[呲牙]潜伏<em>一个</em>月,和大家汇报下最近的工作,分享下最近的心得。按照既定计划,2018年Q1,至少,完成了如下3项重要工作:1.换了个部门,继续从事Java服务端开发。系统主要服务小b,业务以虚拟商品交易为主,技术的难度有一定提升,种类有所提升,工作强度和专注度有所提升。2.进一步学习了互联网标准技术。涉及到并发多线程,数据库优化,分布式锁和事务等。其中,转载阅读过的文章10多篇,尝试学习并解...
关于TLP521的使用
做毕业设计要用到光耦合,选了个TLP521型的感觉是电流驱动型的,中间出现了些问题,拿出来探讨,希望大家不要出现类似的错误。 重要参数:输入输出电流都是50MA左右,这是最大值吧,最好不要超过80MA,不过太小了也不行,太小了输入端不能使发光二极管<em>导通</em>。限流一般用限流电阻实现。电压范围较大,就输入级而言,<em>导通</em>时就不用说,就是发光二极管的电压,不过正反向偏压好像不能超过5~6V的样子。输出级电压范围更大,只要不大于50V就行,不过我有点怀疑受光<em>三极管</em>是否能承受,不过怀疑是怀疑,我也没
求各位帮我设计一个三极管开关电路(以SS8050)为例,具体要求看问题补充.多谢
原文地址::https://zhidao.baidu.com/question/623959913806199204.html 最大开关频率≧10KHz(不加输出负载) 其输出用以控制继电器的通断(输入信号1Hz) 有效输入控制电压Vin≦0.7V或Vin≧4.3V 设计两种开关电路:高电平饱和<em>导通</em>、低电平饱和<em>导通</em> 儒雅的yangqian | 浏览
三极管原理--我见过最通俗讲法
对<em>三极管</em>放大作用的理解,切记一点:能量不会无缘无故的产生,所以,<em>三极管</em>一定不会产生能量。 但<em>三极管</em>厉害的地方在于:它可以通过小电流控制大电流。 放大的<em>原理</em>就在于:通过小的交流输入,控制大的静态直流。 假设<em>三极管</em>是个大坝,<em>这个</em>大坝奇怪的地方是,有两个阀门,<em>一个</em>大阀门,<em>一个</em>小阀门。小阀门可以用人力打开,大阀门很重,人力是打不开的,只能通过小阀门的水力打开。 所以,平常的工作流程便是,每当放
簧片继电器 vs 其它可选产品
簧片继电器是贝尔实验室1936年发明的。自那时起已经从体积庞大的粗糙器件演变成非常可靠的小器件。簧片开关的触点被完全密闭在玻璃管中,内部充惰性气体或在耐压开关情况下抽真空,所以触点不会被外部环境氧化。这样使得簧片开关具有非常长的机械寿命与优异性能。 用户也可以选择其它继电器,与簧片继电器特性不同。对于具体应用,各有所长。
电机驱动电路总汇
首先,单片机可以输出直流信号,但是它的驱动能力也是有限的,所以单片机一般做驱动信号,驱动大的功率管如Mos管(LR7843),来产生大电流从而驱动电机,且占空比大小可以通过驱动芯片控制加在电机上的平均电压达到转速调节的目的。 电机驱动主要采用N沟道MOSFET构建H桥驱动电路,H 桥是<em>一个</em>典型的直流电机控制电路,因为它的电路形状酷似字母 H,故得名曰“H 桥”。4个开关组成 H 的 4 条垂
三级管
一、概念 <em>三极管</em>有两种类型,分<em>别是</em>PNP和NPN,中间有<em>一个</em>箭头<em>一个</em>连基极(b)<em>一个</em>连发射极(e),还有<em>一个</em>引脚是集电极(c)。 箭头朝内的PNP,箭头朝外的NPN,<em>导通</em>电电压顺箭头过,电压<em>导通</em>。 <em>三极管</em>有截止、放大、饱和三种状态。 二、电流控制关键点是基极和发射极之间的电压情况,总之是箭头的始端比末端高0.7V即<em>导通</em>。 对于PNP而言发射极比基极高0.7v(这是硅<em>三极管</em>的<em>导通</em>电压,锗<em>三极管</em>是0.3
三极管开关电路图原理及设计详解
转载自:http://www.dzsc.com/data/2017-5-9/112152.html 发射极接地开关电路 1.1 NPN型和PNP型基本开关<em>原理</em>图: 上面的基本电路离实际设计电路还有些距离:由于晶体管基极电荷存储积累效应使晶体管从<em>导通</em>到断开有<em>一个</em>过渡过程(当晶体管断开时,由于R1的存在,减慢了基极电荷的释放,所以Ic不会马上变为零)。也就是说发射极接地型
三极管:NPN和PNP
一,<em>三极管</em>的类型:NPN 和 PNP 二,NPN和PNP图示:三,NPN1,特征:9013型号、SOT-23封装、小功率、用途(开关) 2,电路:E终将直接或间接地连接到GND,C终将直接或间接地连接到VCC。 3,做开关时 (1)NPN适合放在电路的接地端GND。 (2)基极不加偏置电压(Vbe<0.7V)或是反向偏置电压(反向击穿),Vbe截止,Ic=Ib=0,ce极断路,负载无电流,此
三极管何时工作在饱和状态
 <em>三极管</em>BE间偏置电阻的作用,<em>三极管</em>什么时候进入饱和状态,<em>三极管</em>深度饱和和什么影响 1.<em>三极管</em>BE间偏置电阻的作用 <em>三极管</em>B-E间电阻不是限流更不是分压,主要作用是给<em>三极管</em><em>一个</em>偏置,作为数字电路的输出驱动,<em>三极管</em>通常只是工作在截止或饱和<em>导通</em>状态的,饱和是好实现的,因为当 Ibe * β 远大于<em>三极管</em>的饱和电流时<em>三极管</em>自然处于饱和状态,但截止则是相对的,因为 b-e 间有<em>漏电流</em>,而
NPN和PNP作为开关管的设计技巧以及全系列三极管参数
1.1 NPN与PNP的区别 NPN和PNP主要是电流方向和电压正负不同。 NPN是用B—E的电流(IB)控制C—E的电流(IC),E极电位最低,且正常放大时通常C极电位最高,即VC>VB>VE。 PNP是用E—B的电流(IB)控制E—C的电流(IC),E极电位最高,且正常放大时通常C极电位最低,即VC。 1.2 NPN和PNP作为开关的使用 <em>三极管</em>做开关时,工作在截至和饱和两个状态
三极管使用详解
PNP型的<em>三极管</em>使用方法 常见的<em>三极管</em>为9012、s8550、9013、s8050.单片机应用电路中<em>三极管</em>主要的作用就是开关作用。其中9012与8550为pnp型<em>三极管</em>,可以通用。其中9013与8050为npn型<em>三极管</em>,可以通用。PNP与NPN两种<em>三极管</em>各引脚的表示: <em>三极管</em>在我们数字电路和模拟电路中都有大量的应用,在我们开发板上也用了多个<em>三极管</em>。在我们板子上的 LED 小灯部分,就有<em>这个</em>...
详细讲解MOS管驱动电路
在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS管的<em>导通</em>电阻、最大电压、最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的。下面是我对MOS及MOS驱动电路基础的一点总结,其中参考了一些资料,并非原创。包括MOS管的介绍、特性、驱动以及应用电路。MOSFET管FET的一种(另一种是JEFT),可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和
mos管的导通电阻和耐压有啥关系?
同种工艺相同面积下,耐压越高内阻越大
cmos 导通的电压关系
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NPN、PNP型三极管的常见问题
NPN: 通常有人会问这样<em>一个</em>问题:<em>一个</em>NPN型<em>三极管</em>的集电极接上电源正极,发射极接电源负极,基极不接电源的任何一端,并且加在集电极和基极的电压足够大的情况下,集电集和发射极是否有电流通过? 其实,“NPN型<em>三极管</em>的集电极接上电源正极,发射极接电源负极”<em>三极管</em>会有很小的电流通过,一般在微安级,由于制造及材料的原因它的大小会有些不同。这称为穿透电流,它是在规定的集射电压下测得的。
PMOS和NMOS的区分及导通方式
NMOS:是栅极高电平(VGS &amp;gt; Vt)<em>导通</em>,低电平断开,可用来控制与地之间的<em>导通</em>。PMOS:是栅极低电平(VGS &amp;lt; Vt)<em>导通</em>,高电平断开,可用来控制与电源之间的<em>导通</em>。...
数字电路逻辑:三极管的特性
<em>三极管</em>是电流放大器件,有三个极,分别叫做集电极C,基极B,发射极E。分成NPN和PNP两种。我们仅以NPN<em>三极管</em>的共发射极放大电路为例来说明一下<em>三极管</em>放大电路的基本<em>原理</em>。下面的分析仅对于NPN型硅<em>三极管</em>。如上图所示,我们把从基极B流至发射极E的电流叫做基极电流Ib;把从集电极C流至发射极E的电流叫做集电极电流Ic。这两个电流的方向都是流出发射极的,所以发射极E上就用了<em>一个</em>箭头来表示电流的方向。<em>三极管</em>的放大作用就是:集电极电流受基极电流的控制(假设电源能够提供给集电极足够大的电流的话),并且基极电流很小的变化
利用单片机实现可控硅导通角控制
介绍了由单片机控制的可控硅电路, 该电路运用外部中断获得同步信号, 用定时器做<em>导通</em>角控制, 并给出实用程序。
数字万用表测量二极管、三极管
首先将万用表打到测试二极管端(蜂鸣端),用万用表的红表笔接触<em>三极管</em>的其中<em>一个</em>管脚,用万用表的黑表笔去测试其余两个管脚,直到测试出如下结果: 1、如果<em>三极管</em>的黑表笔接其中<em>一个</em>管脚,而用红表笔测其它两个管脚都<em>导通</em>有电压显示,那么此<em>三极管</em>为PNP<em>三极管</em>,且黑表笔所接的脚为<em>三极管</em>的基极B,用上述方法测试时其中万用表的红表笔接其中<em>一个</em>脚的电压稍高,那么此脚为<em>三极管</em>的发射极E,剩下的电压偏低的那个管脚为集电
硬件基础知识-- MOS管
MOS管(场效应管)在智能硬件开发中应用转载燚智能硬件开发大讲堂MOS管/MOSFET/场效应管MOS管,只要是电子相关专业的,只要是硬件工程师,都会学过:书上说,MOS管的主要作用是放大。不过实际在智能硬件产品开发和物联网产品开发中,几乎没有用到放大用的MOS管,绝大部分是用来做开关的。偶尔有些放大作用的MOS管,也是集成在芯片里面的。可以毫不夸张的讲,只要不是做IC设计的,几乎用不到MOS管的...
应用电路笔记(1)-三极管8550和8050应用
(以下内容是a_moon入门期间整理的一些学习笔记,希望以此记录和积累经验。如果有什么错误的地方,还请各大博友和游客指正。讲述的不深,关键在于应用)  近期用到了两种型号的<em>三极管</em>——8550(PNP)和8050(NPN),下图来看看两种型号的管脚图,基本上基极(B)、发射极(E)、集电极(C)管脚排序没有差异,正对封装的平面,从左到右分别为发射极(E)、基极(B)、集电极(C)。 下图为两
三极管基极下拉电阻大小的确定方法
学过电路的朋友都清楚,<em>三极管</em>有三种工作区:截止区、放大区、饱和区,如下图所示: 截止区:当基极的偏置电压小于0.7V时,B极电流为零,CE极无电流流过,<em>三极管</em>处于不<em>导通</em>状态; 放大区:当基极的偏置电压等于0.7V时,CE极处于半<em>导通</em>状态,CE电流跟随B极电流发生变化,呈现电流的放大状态; 饱和区:当基极的偏置电压大于0.7V时,CE极电流达到一定程度不再跟随B极电流发...
NPN和PNP三极管做开关使用时的工作原理
1.1NPN和PNP的区别       NPN和PNP主要是电流方向和电压正负不同。       NPN是用B—E的电流(IB)控制C—E的电流(IC),E极电位最低,且正常放大时通常C极电位最高,即VC>VB>VE;       PNP是用E—B的电流(IB)控制E—C的电流(IC),E极电位最高,且正常放大时通常C极电位最低,即VC 2.2NPN和PNP作为开关的使用
推挽电路
要介绍推挽电路,首先介绍功放的一些基本知识。从能量控制的观点看,功放电路和电压放大电路没有本质区别,但后者的要求是使负载得到不失真的电压信号,而前者的要求是获得一定的不失真的输出功率。在放大电路中,输入信号在整个周期内都有电流流过,称为甲类放大;如果只有大半个周期有电流流过,称为
增强型N沟道mos管(如si2300)开关条件
增强型N沟道mos管(如si2300)开关条件 增强型N沟道mos管的S(source源极) 和 D(drain漏极)<em>导通</em>条件取决与Vgs,即漏极和源极间的电压压差。 只有当 Vgs > 2.5V ,也就是 Vg(G极电压) — Vs(S极电压) > 2.5V,D极和 S极之间<em>导通</em>。 例如:        G极为3.3V, S极为0.1V, Vgs = 3.3 - 0.
三极管的电平转换及驱动电路分析
3.3V-5V电平转换电路如上图,左端接3.3V CMOS电平,可以是STM32、FPGA等的IO口,右端输出为5V电平,实现3.3V到5V电平的转换。现在来分析下各个电阻的作用(抓住的核心思路是<em>三极管</em>的Vbe<em>导通</em>时为恒定值0.7V左右):假设没有R87,则当US_CH0的高电平直接加在<em>三极管</em>的BE上,>0.7V的电压要到哪里去呢?假设没有R91,当US_CH0电平状态不确定时,默认是要Trig输
三极管和MOS管工作原理详解
PN结的形成 PN结是<em>三极管</em>以及场效应管中最基本的组成部分,要想彻底搞明白<em>三极管</em>以及场效应管的工作<em>原理</em>,必须先搞清楚PN结形成的<em>原理</em>和工作特性。 本征半导体以及空穴对 本征半导体(intrinsic semiconductor))完全不含杂质且无晶格缺陷的纯净半导体称为本征半导体。主要常见代表有硅、锗这两种元素的单晶体结构。硅、锗都是4价原子,在半导体内部形成相对稳定的共价键结构,如图 1所
MOSFET 导通条件(转)
https://wenku.baidu.com/view/fc0a7d2eccbff121dd3683b2.html
温度升高时,二极管的正向压降是增大还是减小?二极管的反向饱和电流是增大还是减小?
温度升高时 二极管的正向压降和反向电流都会增大 二极管是温度的敏感器件 温度的变化对其伏安特性的影响主要表现为 随着温度的升高,其正向特性曲线左移,即正向压降减小 反向特性曲线下移,即反向电流增大。
MOSFET 导通条件
https://wenku.baidu.com/view/fc0a7d2eccbff121dd3683b2.html
关于TLP521-1的光耦的导通的试验报告
3.5v~24v 认为是高电平,0v~1.5v认为是低电平 1、0v~1.5v认为是低电平,利用串接<em>一个</em>二极管1N4001的压降0.7V+光耦的LED的压降,吃掉1.4V左右; 2、24V是最<em>高电压</em>,不能在最<em>高电压</em>的时候,光耦通过的电流太大;所以选用2K的电阻;光耦工作在大概10mA的电流,可以保证稳定可靠工作n年以上; 3、3.5V以上是高电平,为了尽快进入光敏<em>三极管</em>的饱和区,要把光耦的光
终于有点懂三极管
VBB,VCC,IB,IC,VBE,VCE,VBB,IBQ,IEQ,VBE,VCE,看着看着,听着听着,就VXXXXXXX.....了.看不下去了,就去看了下数字电路下的<em>三极管</em>,居然有点看懂了.....终于明白前几天的误区在哪了....1.VBB其实可以很大,以前老以为只能比<em>导通</em>电压大一点点,然后老把VBE和Rb是串联会分压,而且把BE间的电阻想得很大....     其实当VBB大于<em>导通</em>电压后,BE间就相当于短路,VBE基本上是<em>一个</em>定值,因为即使
三极管和mos管做开关用时候有什么区别
http://blog.21ic.com/user1/349/archives/2008/49295.html 工作性质:<em>三极管</em>用电流控制,MOS管属于电压控制, 2、成本问题:<em>三极管</em>便宜,mos管贵。 3、功耗问题:<em>三极管</em>损耗大。 4、驱动能力:mos管常用来电源开关,以及大电流地方开关电路。 实际上就是<em>三极管</em>比较便宜,用起来方便,常用在数字电路开关控制。 MOS管用于高频高速电
电路设计_MOS管导通条件
本文分享了MOS管<em>导通</em>条件的知识,作为备忘。
基于8550三极管、继电器、单片机的问题总结
回想起前一段时间的崩溃,简直了。从网上找了<em>一个</em>比较靠谱的
PMOS 和 NMOS使用总结
PMOS:   NMOS:   NMOS是栅极高电平(|VGS| &amp;gt; Vt)<em>导通</em>,低电平断开,可用来控制与地之间的<em>导通</em>。 PMOS是栅极低电平(|VGS| &amp;gt; Vt)<em>导通</em>,高电平断开,可用来控制与电源之间的<em>导通</em>。 NMOS因Source端一般接地(低电位),所以要让|VGS| &amp;gt; Vt, 则Gate端一般要接正电压,这样管子才能<em>导通</em>; PMOS因Source端...
三极管开关和三极管放大(新手教程)
上学时把模电翻了好多遍,对<em>三极管</em>的<em>原理</em>也还是云里雾里,今天总结一下心得,希望能对大家有所帮助。 首先,你可以把<em>三极管</em>看成<em>一个</em>滑动变阻器。 ce就是电阻的两端,b极就像是滑动变阻器的旋钮,在Vce不变的前提下,通过改变Vbe的电压,我们可以改变流过ce的电流。 看完了上段,你会发现,讨论<em>三极管</em>我们就是在讨论三个参数: Vbe,Vce和Ic. Vce是电压输入,Ice是我们关心的电
三极管作为开关的使用方法
<em>三极管</em>不仅可以对模拟信号放大,也可作为控制开关使用,作为开关使用的<em>三极管</em>处于截止与饱和状态,其基本电路如下图所示:                                 其中,集电极电阻R1为上拉电阻,当<em>三极管</em>Q1截止时将输出电压上拉至电源VCC(高电平),可以理解为开集(OC)输出结构的上拉电阻,具体可参考文章《电阻(4)之上/下拉电阻》,基极串联电阻R2为限流电阻,防止输...
稳压二极管原理及使用
要理解稳压二极管的工作<em>原理</em>,只要了解二极管的反向特性就行了。所有的晶体二极管,其基本特性是单向<em>导通</em>。就是说,正向加压<em>导通</em>,反向加压不通。这里有个条件就是反向加压不超过管子的反向耐压值。那么超过耐压值后<em>是什么</em>结果呢?<em>一个</em>简单的答案就是管子烧毁。但这不是全部答案。试验发现,只要限制反向电流值(例如,在管子与电源之间串联<em>一个</em>电阻),管子虽然被击穿却不会烧毁。而且还发现,管子反向击穿后,电流从大往小变,电
使用队列的程序举例(2)
.h文件:/*循环队列的链式存储*///初始化void InitQueue(LinkQueue &amp;amp;HQ){ HQ.front = HQ.rear = NULL;}//清空队列void ClearQueue(LinkQueue &amp;amp;HQ){ LNode *p = HQ.front; while(p != NULL) { HQ.front = p-&amp;gt;next; delete p...
什么是低电压处理器 笔记本CPU标准与低电压区别对比
一、什么是<em>低电压</em>处理器超<em>低电压</em>处理器,英文全称『Ultra Low Voltage』又称为ULV处理器,其结尾命名通常带有U结尾,比如i5-4200U。现在的<em>低电压</em>处理器主要有T系列,U系列,Y系列。U系列通常是笔记本<em>低电压</em>处理器,兼顾性能与低功耗兼,标准电压则为M结尾;T系列则是台式桌面电脑低功耗处理器;而Y系列是Intel功耗最低的<em>一个</em>系列,如微软Surface Pro 3平板、Acer P3就
三极管基极电阻的确定方法
上篇文章“单片机驱动继电器 ”中,介绍了<em>三极管</em>驱动继电器类等较大功率器件的方法,贴图中我并没有把基极的电阻画出来,其目的就是想单独讲解<em>三极管</em>基极电阻的选择方法。 学过电路的朋友都清楚,<em>三极管</em>有三种工作区:截止区、放大区、饱和区,如下图所示: 截止区:当基极的偏置电压小于0.7V时,B极电流为零,CE极无电流流过,<em>三极管</em>处于不<em>导通</em>状态; 放大区:当基极的偏置
真正的学懂结型场效应管入门篇(经典)
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继电器用法
继电器驱动电流一般需要20-40mA或更大,线圈电阻100-200欧姆,因此要加驱动电路     1.  晶体管用来驱动继电器,必须将晶体管的发射极接地。具体电路如下: NPN晶体管                             PNP晶体管   NPN晶体管驱动时:当晶体管T1基极被输入高电平时,晶体管饱和<em>导通</em>,集电极变为低电平,因此继电器线圈通电,触点RL1吸
三极管的使用方法,放大,截止,饱和
1.首先认识清楚<em>三极管</em>的管脚                            参考资料万用表区分mos管引脚 2.知道管脚我们也就知道NPN和PNP了,箭头朝内 PNP,<em>导通</em>电压顺箭头过,电压<em>导通</em>,电流控制。那箭头朝外的自然就是 NPN 了! NPN管工作在放大区的时候: 集电极电压&amp;gt;基极电压&amp;gt;发射极电压 也就是:Vc&amp;gt;Vb&amp;gt;Ve  ...
三极管/达林顿管 管脚定义
一般这样记忆的 下面的8050 8550 特殊一点哦!注意封装引脚别搞混了!按照一种方法就不会出现问题,位置一样,不过序号不一样,一边都是逆时针递加的!单独<em>一个</em>引脚是集电极。 常用贴片<em>三极管</em>主要参数:https://blog.csdn.net/Britripe/article/details/83683617      ...
三极管电阻计算以及旁路电路的选择
此时我们假设Vb=3.2V 经过R1de
Y2 三级管电路工作原理及详解
三级管电路工作<em>原理</em>及详解目录三级管电路工作<em>原理</em>及详解目录 <em>三极管</em>辨认 辨认bce边 <em>三极管</em>工作状态 <em>三极管</em>作为开关管<em>三极管</em>辨认辨认bce边e级:有箭头 b级:不解释 c级:没箭头 <em>三极管</em>发射极的箭头方向,代表<em>三极管</em>放大·饱和时,发射极电流的流向。<em>三极管</em>工作状态 放大状态 截止状态 饱和状态 <em>三极管</em>作为开关管<em>三极管</em>作为开关使用时,仍是处于下列两种状态下工作。 截止(cuto
mosefet驱动电路整理
mosefet驱动电路
发光二极管(LED)的导通电压
发光二极管(LED)的<em>导通</em>电压   (2011-07-25 14:59:50) 转载▼ 标签:  杂谈 分类: 嵌入式 此处为插脚LED 黄:1.75—1.83V 20mA 红:1.75—1.83V 20mA 橙:2.0—2.13V 20mA 绿:2.0—2.13V 20mA 蓝:3.3
发光二极管的导通压降导通电流
文章属于转载:http://club.cntronics.com/space.php?uid=154027&do=blog&id=22130 下面列举的是常用发光二极管的<em>导通</em>电流跟<em>导通</em>压降 (1)直插超亮发光二极管压降           主要有三种颜色,然而三种发光二极管的压降都不相同,具体压降参考值如下:           红色发光二极管的压降为2.0--2.2V
FET场效应晶体管扫盲
一、 什么是FETFET是Field Effect Transistor的缩写,称为场效应晶体管。它是晶体管的一种。通常所说的晶体管是指双极晶体管。场效应晶体管的工作方式是沟道中的多数载流子在电场作用下由源极向漏极作漂移运动,形成了漏极电流。只涉及到一种载流子的漂移作用,所以也叫单极性晶体管。FET有三个电极分<em>别是</em>栅极( Gate )、源极( Source )和漏极( Drain )。小贴士:双极...
集电结反偏不是截止状态吗,三极管怎么还能放大
见过多次这样的问题了,基本上都是问:放大时,发射结正偏、集电结反偏。但是,集电结反偏,这不是截止状态吗,<em>三极管</em>怎么还能放大?翻了几本书,确实,书上都没有仔细介绍反偏、截止的工作过程。下面,做而论道简单说说<em>这个</em>问题。---------------PN 结正偏时,P 区里面较多的正电荷(空穴),会扩散到 N 区,和 N 区大量的负电荷(自由电子)复合。当然,N 区电子,也会向 P 区扩散,在 P 区和
用proteus来仿真三极管非门电路并简要分析原理
想用二极管来实现非门电路, 后来发现一直实现不了, 那用<em>三极管</em>来搞:
双向可控硅漏电流 ?- 解决方法
在这之前先来了解几个概念:   感性负载:负载电流滞后负载电压<em>一个</em>相位差特性的为感性负载,有线圈负载的电路,叫感性负载。 容性负载:电压滞后电流特性的负载。 阻性负载:仅是通过电阻类的元件进行工作的纯阻性负载。 先来看一张AC 220V气泵控制电路,这是公司一直用的<em>原理</em>图,然而在偶然的发现下,当控制信号在关闭的时候,会有<em>漏电流</em>,既气泵会有微弱的震动,量一下CN5两端的电压大约有12V左右(...
二极管工作原理
那是1947年的<em>一个</em>冬天,贝尔实验室的三位科学家发明了<em>三极管</em>,改变了世界,推动了全球的半导体电子工业。于是10年后又<em>一个</em>冬天,哥仨一起获得了诺贝尔物理学奖。然而这<em>三极管</em>可不是被凭空发明出来的,从结构上看,她是由两个二极管组成,绝逼二极管“干儿子”。今天电子产品世界小编为您带来 “干爹”二极管的传奇故事。 本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/267931
PNP三极管的分析方法
许多教材对NPN型<em>三极管</em>的分析方法做了详细的介绍,但对于PNP型的<em>三极管</em>,只说分析方法同前者类似。怎么个类似法,却没有说。下面就介绍一下PNP型三级管的分析方法:        我们知道NPN型<em>三极管</em>有三个工作区(截止区,放大区,饱和区),同样PNP型<em>三极管</em>也有三个工作区。下图为两类<em>三极管</em>的输入输出特性曲线:
MOS管入门----只谈应用,不谈原理
大学的时候看到电路中涉及到MOS管的使用,指定头大。前几天偶然看见一篇文档《MOS管<em>原理</em>,非常详细》,对MOS管的使用总结的很透彻,所以整理到这里。以下以增强型MOS管为例解释说明。 1. 三个极怎么判定 G极(gate)—栅极,不用说比较好认 S极(source)—源极,不论是P沟道还是N沟道,两根线相交的就是 D极(drain)—漏极,不论是P沟道还是N沟道,是单独引线的那边 ...
NMOS/PMOS原理基础
1.NMOS/PMOS<em>原理</em>图 2.<em>导通</em>性
发光二极管压降, 也就是最小导通电压
导读:相信大家对发光二极管都很熟悉了,其实发光二极管是半导体二极管的一种,可以把电能转化成光能。下面就让小编为大家介绍一下发光二极管的压降问题,不懂的童鞋们快来看一下吧~~~ 本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/271108.htm 1.发光二极管压降--简介   发光二极管(Light-Emitting Diode)是一种能发光的半导体电子元件,简称
三极管的三种工作状态
<em>三极管</em>的三种工作状态(放大、截止、饱和); 放大电路的静态、动态;直流通路、交流通路; 截止状态:当加在<em>三极管</em>发射结的电压小于PN结的<em>导通</em>电压,基极电流为零,集电极电流和发射极电流都为零,<em>三极管</em>这时失去了电流放大作用,集电极和发射极之间相当于开关的断开状态,我们称<em>三极管</em>处于截止状态。一般将IB≤0的区域称为截止区, 在图中为IB=0的一条曲线的以下部分。此时IC也近似为零。由于各极
奇怪问题--二极管并联电阻分压
如图1所示的电路输入电压为220V交流电,我用示波器接地端连接GND,用探头打vin_p和vin_n的波形发现二者波形几乎一样类似50hz的正弦波,峰峰值大约5V左右。而将示波器接地端接A,探头接B其波形显示为峰峰值0.6V占空比50%的方波。理论上,R3到R6构成了对AB两端的分压,假设AB端电压为0.6V,那么测试得vin_p的值应该为0.6/4=0.15V才对,而实际测试发现其峰峰值达到5V
TLP521的使用
做毕业设计要用到光耦合,选了个TLP521型的感觉是电流驱动型的,中间出现了些问题,拿出来探讨,希望大家不要出现类似的错误。 重要参数:输入输出电流都是50MA左右,这是最大值吧,最好不要超过80MA,不过太小了也不行,太小了输入端不能使发光二极管<em>导通</em>。 限流一般用限流电阻实现。电压范围较大,就输入级而言,<em>导通</em>时就不用说,就是发光二极管的电压,不过正反向偏压好像不能超过5~6V的样子。输
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