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为什pmos防反接在DS之间加电阻?
Sharkha
2019-03-27 07:52:19
求大神。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。
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为什pmos防反接在DS之间加电阻?
求大神。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。
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VirtuousLiu
2019-04-03
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不是,是兼容设计,应该是开关作用,不是防反接。
snake9823210
2019-03-28
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你确定这个电阻防的了反接吗?
wonderound
2019-03-28
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电阻和防范街应该没有什么关系
FOC——3.电源
防反
接电路笔记
文章目录1.
防反
接对元件的要求2.MOS管的简化等效电路3.
防反
接电路原理3.1.电源正反接电路分析3.2.注意事项 1.
防反
接对元件的要求 单向导通特性 这个二极管就能实现。但是二极管有管压降,一般都大于0.7V。而且电流越大,管压降越大,二极管功耗也越大。 低功耗 低功耗主要反应在ESR(等效
电阻
)要小,MOS管就能满足要求,因为一般MOS管的R
ds
on(等效导通
电阻
)都是毫欧级别。 2.MOS管的简化等效电路 如下图所示为等效的N-MOS管内部构造。 当Vgs大于阈值电压时MOS管
电源
防反
接电路设计(重要)
在实际应用中,G极一般串联一个
电阻
,防止MOS管被击穿,也可以
加
上稳压二极管,并联在分压
电阻
上的电容,有一个软启动的作用。在电流开始流过的瞬间,电容充电,G极的电压逐步建立起来。对于
PMOS
,相比NOMS导通需要Vgs大于阈值电压,由于其开启电压可以为0,
DS
之间
的压差不大,比NMOS更具有优势。
几种常用的
防反
接电路
如下图,上电瞬间,MOS管的寄生二极管导通,系统形成回路,源极S的电位大约为Vbat-0.7V,而栅极G的电位为0,MOS管的开启电压极为:Ugs-0=(Vbat-0.7),栅极表现为低电平,
PMOS
的
DS
导通,寄生二极管被短路,系统通过
PMOS
的
ds
接入形成回路,若电源接反,
PMOS
的导通电压大于0,
PMOS
截止,寄生二极管反接,电路是断开的,从而形成保护。当电池供电时,
PMOS
导通,下拉
电阻
的作用是将栅极电位稳定拉低,确保
PMOS
正常开启,防止栅极高阻抗带来隐患。
开关电源-6中常用的
防反
接电路
运用了MOS管的开关特性,控制电路的导通和断开来规划
防反
接保护电路,由于功率MOS管的内阻很小,现在 MOSFET R
ds
现已可以做到毫欧级,对比现有选用二极管电源
防反
接方案存在的压降和功耗过大的问题。当没反接时,通过
PMOS
管的体二极管到达S极,G极低电平
PMOS
管导通,体二极管被短接,电流都从
DS
流过,MOS管导通后
DS
间的内阻很小,产生的压降基本可忽略。当电源接反时,体二极管不通,并且Vgs的电压也不会符合要求,所有NMOS管不通,电路中没有电流回路,断路,负载不工作,也不会烧坏,实现了保护。
MOS管
防反
接电路
分享一个基于
PMOS
管的电源
防反
接电路:
防反
接原理: 当5V没反接时,5V通过
PMOS
管的体二极管(
DS
间还没导通)到达S极,S极电压为5-0.7=4.3V,此时Ugs=-4.3V,
PMOS
管导通(
DS
间导通),体二极管被短接,电流都从
DS
流过,MOS管导通后
DS
间的内阻很小,产生的压降基本可忽略,所以5V_OUT基本等于5V。 当5V反接时,G极是高电平,Ugs>0,PM...
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