请教各位专家:关于半导体注入后的电中性
金x砖 2019-05-09 06:35:51 大佬们,下面是看到的原文:
可以想见,也正是由于电中性条件的要求,可以往半导体内部注入少数载流子。例如,可以往n型半导体中注入空穴,因为注入的带正电荷的空穴,立刻会被大量的多数载流子——电子所包围(电子可以来自于表面或者杂质、缺陷),仍然能够保持整个半导体是电中性的。
对于非热平衡状态的半导体,其中存在非平衡载流子,同样也需要满足电中性条件。例如,当注入有非平衡电子浓度Dn时,则必将同时出现非平衡空穴浓度Dp,并且它们在数量上相等,即Dn =Dp。
请问:
第一段,注入空穴后,电子包围空穴,内部就显中性了吗?明明多了些空穴?难道电子也是从外部多出来的?
第二段,非平衡空穴从何而来?如果内部激发产生,但同时不是多了同样数量的电子吗?
恳求大佬们帮助解惑。