请教大佬：半导体注入后的电中性问题

[金x砖]

大佬们，下面是看到的原文： 可以想见，也正是由于电中性条件的要求，可以往半导体内部注入少数载流子。例如，可以往n型半导体中注入空穴，因为注入的带正电荷的空穴，立刻会被大量的多数载流子——电子所包围（电子可以来自于表面或者杂质、缺陷），仍然能够保持整个半导体是电中性的。 对于非热平衡状态的半导体，其中存在非平衡载流子，同样也需要满足电中性条件。例如，当注入有非平衡电子浓度Dn时，则必将同时出现非平衡空穴浓度Dp，并且它们在数量上相等，即Dn =Dp。 请问： 第一段，注入空穴后，电子包围空穴，内部就显中性了吗？明明多了些空穴?难道电子也是从外部多出来的? 第二段，非平衡空穴从何而来?如果内部激发产生，但同时不是多了同样数量的电子吗？ 恳请大佬们帮助解惑。

[午后开水]

注入空穴指的是注入p型杂质，杂质进入半导体后，半导体的电子与注入p型杂质的空穴发生复合，杂质成为复合中心。半导体呈中性，注入杂质也是中性，所以总体成中性。
非平衡电子的产生过程是复合的逆过程，自然会产生非平衡空穴。希望探讨。