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磁控溅射PVD阳极设计下载
这是溅射镀膜中的阳极设计方面的pdf，希望能对大家的工作有帮助
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应用于磁控溅射镀膜生产线的计算机监控系统的设计 摘 要：本文介绍了一种成功应用的磁控溅射镀膜生产线计算机监控系统的设计，重点讨论了计算机监控系统的硬件配置、软件设计、通信协议、控制过程实现以及软件编程的控制算法。 肇庆市大力真空设备有限公司生产的...
磁控溅射法制备的高反Ag 研究了磁控溅射制备的Ag5In5Te47Sb33相变薄膜的光谱及短波长静态记录性能。研究结果表明,晶态薄膜反射率较高,并在600～900nm波长范围内,晶态与非晶态的反射率和折射率相差很大。在CD-E系统的工作波长780nm处,晶态...
直流磁控溅射制备非晶硅薄膜的研究 直流磁控溅射具有工艺简单，沉积温度低等优点，是制备薄膜的一种重要技术。采用直流磁控溅射工艺在玻璃基板上沉积薄膜，并对样品进行了退火处理。研究了沉积速率与溅射功率的关系。结果表明薄膜的沉积速率与溅射功率...
磁约束磁控溅射源的磁场设计 (2010年) 为了提高磁控溅射源的靶材利用率,设计组抛弃了传统的“跑道环”形式的磁场设计理念,而是将永磁体或电磁体分置溅射靶的两侧,使其在溅射靶表面上方产生磁约束 (磁镜)磁场。本设计使用有限元分析方法对磁场进行仿真计算...
磁控溅射制备纳米厚度的连续银膜 磁控溅射制备纳米厚度的连续银膜，张彦彬，肖井华，利用磁控溅射方法制备了纳米级厚度的银膜，同时使用原子力显微镜和扫描电子显微镜方法对薄膜的微结构进行了测试分析。测试结果表
反应磁控溅射制备SiO 利用反应磁控溅射工艺, 改变沉积SiOx(0≤x≤2)膜氧化程度, 获得折射率从2.74逐渐变化到1.58(λ=1550 nm)的SiOx渐变折射率薄膜材料。通过调制膜层折射率振幅和引入膜层-外部介质折射率匹配层, 成功地设计并制备了具有...
高硼硅玻璃薄膜的磁控溅射沉积及性能研究 本文采用射频磁控溅射法，以高硼硅玻璃为靶材，在高硼硅玻璃基底上制备高硼硅玻璃薄膜。探讨磁控溅射法与熔融法制得的高硼硅玻璃的性能差异，研究磁控溅射功率对高硼硅玻璃薄膜质量的影响。通过X射线衍射仪(XRD)、...
氮流量对磁控溅射法制备氮化钛薄膜光学性能的影响 采用磁控溅射方法在载波片和Al基片上制备了氮化钛薄膜;通过改变N2流量来改变薄膜中N/Ti原子比例。采用分光光度计和扫描隧道显微镜测试手段对氮化钛薄膜光学性能随N2流量变化的规律进行了研究。薄膜反射率光谱和扫描...
直流磁控溅射法制备γ-Al2O3薄膜的介电特性 高密度储能电容器是当前研究的热点,为探究氧化铝薄膜在高密度电容器中潜在的应用,采用直流磁控溅射方法制备了氧化铝薄膜,薄膜质地均匀致密,表面平整光滑。X射线衍射谱分析表明制备的薄膜属于γ晶型的氧化铝。薄膜...
磁控溅射靶源设计及溅射工艺研究 (1999年) 设计制作了方便实用的圆形直流平面磁控溅射靶源;用CT―5型高斯计测量铝靶面上的磁场分布,给出靶电压和靶电流随溅射氩气压(3.0×10-1～9.0×10-1Pa)的变化曲线和3种不同气压(1.0,0.6,0.2Pa)下的伏安特性曲线;在玻璃...
功率对射频磁控溅射生长ZnO薄膜性能的影响 通过使用不同溅射功率的射频（RF）磁控溅射技术，在石英衬底上生长了氧化锌（ZnO）薄膜，该技术将其功率从10 W调整到200W。发现溅射功率起着重要的作用。在电影的成长过程中。 检查了结晶度，吸收和光致发光（PL）的...
室温下射频磁控溅射制备ZnO:Al透明导电薄膜及其性能研究 采用射频磁控溅射技术,在室温下,以ZnO:Al2O3(2%Al2O3(质量比))为靶材,在石英玻璃基底上,采用不同工艺条件制备了ZnO:Al(AZO)薄膜。使用扫描电子显微镜观察了薄膜的表面形貌,X射线衍射分析了薄膜的结构,四探针测量仪...
