模拟电子技术基础

[milkhoko]

半导体:硅（Si）、锗（Ge），均为四价元素。 1% 本征半导体是纯净的晶体结构的半导体。 自由电子的产生使共价键中留有一个空位置，称为空穴，其带正电，有一个自由电子就有一个空穴。当自由电子与空穴相碰时同时消失，称为复合。 载流子是运载电荷的粒子。载流子少，导电性就差。 半导体器件导电的性能和温度有关，温度越高，热运动加剧，载流子浓度增加，导电性变强。 2% 杂质半导体分两种 N型和P型 N型半导体参入五价磷元素，自由电子数目增加，空穴数目减少。 P型半导体参入三价硼元素，主要靠空穴导电。 3%PN结 形成:物质因为浓度差而产生的运动称为扩散运动。气体液体固体都有之。P区空穴浓度远高于N区，而N区自由电子浓度远高于P区。在接触面产生内电场。参与扩散运动和漂移运动的载流子数目相同，达到动态平衡，就形成了PN结。 PN结的独特的导电性能:正向偏置使耗尽层变窄，形成扩散电流，PN结导通。PN结要有电阻来限流。反向偏置，耗尽层变宽，形成漂移电流（少数载流子的运动）。由于电流很小，可近似认为是截止的。即正向偏置导通，反向偏置截止。（单向导电性） 半导体的温度稳定性差。 PN结的电容效应: 势垒电容，反向偏置时，等效电容变化很大，主要表现在外加反向电压时。Cb 扩散电容是在正向电压时的等效电容Cd 结电容Cj=Cb+Cd，不是常量。 如果pn结外加电压频率高到一定程度，就会失去单向导电性。所以PN结有一个上限截止频率。