DDR3读取时DQS与DQ的采样时序

陈陈陈十九 2019-06-10 05:38:27
对DDR3来说,DQS与DQ的关系具体是怎样的?写是中间对齐,读是边沿对齐。这只是在说从波形上区分读写的方法吗?
无论读写,都是在DQS和DQS#的交差点采样数据的吗?如果是的话,写的时候,DQS和DQ一起从CPU发送至DDR,但是作为同步信号,为什么DQS和DQ存在一定的延迟?真的存在CPU内部的制御,为了保证足够的建立时间,会提前1/4周期发送DQ,促使DQS与DQS#的交差点和DQ的中间稳定电平对齐,从而使得在DQS与DQS#的交差点采样到稳定的DQ电平吗?但是当DDR侧发送数据至CPU的时候,DQS与DQS#的交差点和DQ的边沿对齐,那如果是在DQS和DQS#的交差点采样数据的话,CPU怎么能读取到稳定正确的数据呐?看时序的话,感觉采样到的都是中间电平啊?请大神指导一下啊


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jimmy_bobo 2019-06-11
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DDR颗粒内部: 1. 写是靠DQS去采样DQ的,所以DQS的边沿在DQ中间是最好的时序。 2. 读的DQS是提供给DDR PHY来采样DQ的,通常DDR PHY会delay一定tap的DQS,然后再用来采样DQ

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