IR2106资料，英文22页下载

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芯片是具有高电压、高速度的MOSFET和IGBT驱动器，其高低边参考输出通道。专有的高压集成和CMOS技术使芯片具有坚固的集结构。逻辑输入与标准的CMOS或LSTTL输出相兼容，可到3.3V。输出驱动具有高脉冲电流缓冲功能。浮动通道在高边可用于驱动一个N沟道MOFET　或IGBT，最大电压可达600V。
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