1.说到NMOS的导通条件只需要VGS＞0即可可是导通之后VS不是会大于VG吗？ 2.我们注意到全桥驱动需要自举电路，这是什么原因

行者1900 2019-06-19 02:16:07

1.说到NMOS的导通条件只需要VGS＞0即可可是导通之后VS不是会大于VG吗？

2.我们注意到全桥驱动需要自举电路，这是什么原因

...全文

1238 2 打赏收藏转发到动态举报

写回复

2 条回复

切换为时间正序

请发表友善的回复…

发表回复

智者知已应修善业 2019-06-19

打赏
举报

回复

看电路是怎么设计的了

luobingyin 2019-06-19

打赏
举报

回复

全桥High Side侧的MOS打开是需要比电源电压还高的电压才能打开的，需要自举提供这个电压

此时，如果vI接近-Vss，T1的vGS1（栅极-源极电压）会大于阈值电压VT，T1完全导通；而T2的vGS2小于VT，T2截止。相反，当vI接近VDD，T2导通，T1截止。若vc为低电平（逻辑“0”），T1和T2都截止。 **3. Ron与vI的关系*...

2. 线性区（Triode or Linear Region）：VGS大于VTH，此时MOSFET表现为线性电阻，导通电阻Ron可计算为ID = μnCoxWL[(VGS - VTH)VDS - (1/2)VDS^2]，其中μn是电子迁移率，Cox是氧化层电容，W是晶体管宽度，L是长度...

2. 线性区（Triode或Linear Region）：当VGS大于VTH时，MOSFET开始导通，电流ID与VDS成线性关系，这时MOSFET等效于一个线性电阻（导通电阻Ron）。 3. 饱和区（Active或Saturation Region）：当VGS远大于VTH并且VDS...

2. 线性区（triode or linear region）：VGS大于VTH，此时MOSFET表现为线性电阻，ID与VDS（源漏电压）成比例，导通电阻Ron可用来描述这一特性。 3. 饱和区（active or saturation region）：在高VGS和适当VDS下，...

对于NMOS管，当VGS大于VTH时，器件开始导通。阈值电压可以通过改变沟道注入来调整。MOSFET的工作区包括截止区（cutoff）、线性区（triode或linear region）和饱和区（active或saturation region）。在截止区，VGS...

6,166

社区成员

11,288

社区内容

发帖

与我相关

我的任务

社区管理员

加入社区

近7日
近30日
至今

加载中

查看更多榜单

社区公告

暂无公告

试试用AI创作助手写篇文章吧

+ 用AI写文章