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1.说到NMOS的导通条件 只需要VGS>0即可 可是导通之后VS不是会大于VG吗? 2.我们注意到全桥驱动需要自举电路 ,这是什么原因
行者1900
2019-06-19 02:16:07
1.说到NMOS的导通条件 只需要VGS>0即可 可是导通之后VS不是会大于VG吗?
2.我们注意到全桥驱动需要自举电路 ,这是什么原因
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1.说到NMOS的导通条件 只需要VGS>0即可 可是导通之后VS不是会大于VG吗? 2.我们注意到全桥驱动需要自举电路 ,这是什么原因
1.说到NMOS的导通条件 只需要VGS>0即可 可是导通之后VS不是会大于VG吗? 2.我们注意到全桥驱动需要自举电路 ,这是什么原因
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智者知已应修善业
2019-06-19
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看电路是怎么设计的了
luobingyin
2019-06-19
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全桥High Side侧的MOS打开是需要比电源电压还高的电压才能打开的,需要自举提供这个电压
开关技术中的CMOS开关
电路
原理
图1为CMOS模拟开关
电路
原理图。它克服了
NMOS
模拟开关
电路
Ron虽vI增大而增大的缺点,扩大输入信号幅度的范围;而且可以在CMOS
电路
基础上增设辅助
电路
,消除
NMOS
FET的衬底效应对Ron的影响。 图1 CMOS开关
电路
原理 假定控制信号vc高电平VCH=VDD为逻辑“1”,低电平VCL=-
Vs
s(取
Vs
s=VDD)为逻辑“0”.T1衬底电压VB1=-
Vs
s,T2衬底电压VB2=VDD.从图可知,vc直接输送到T1的栅极,而T2的栅极电压是vc经非门(T3、T4组成)倒相后的电压。当vc=“1”时,
VG
1=VDD,
VG
2=-
Vs
s.所以当vI为接近-
Vs
s低电平时,v
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