1.说到NMOS的导通条件只需要VGS＞0即可可是导通之后VS不是会大于VG吗？ 2.我们注意到全桥驱动需要自举电路，这是什么原因

行者1900 2019-06-19 02:16:07

1.说到NMOS的导通条件只需要VGS＞0即可可是导通之后VS不是会大于VG吗？

2.我们注意到全桥驱动需要自举电路，这是什么原因

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智者知已应修善业 2019-06-19

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看电路是怎么设计的了

luobingyin 2019-06-19

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全桥High Side侧的MOS打开是需要比电源电压还高的电压才能打开的，需要自举提供这个电压

IR2104S是一个半桥驱动器。它具有自举电路，通过IN口接收PWM波，并利用二极管的单向导电性来防止电流回流，以保护电路。在半桥驱动中，IR2104S通过VB和VS两个端口与上下两个NMOS相连。其中，VB通过一个电容连接到VS，以提供自举电路。当NMOS导通时，源极电压等于漏极电压，为了确保VGS > VGSth（NMOS导通需要VGS > VGSth），需要一个自举电路提高栅级的对地电压。同时，自举电路还可以降低MOS管的导通电阻，从而减少发热损耗。此外，当输入电压出现突变或不平衡时，可以通过在输入电压出接一个电容到地进行滤波。这样可以使信号变得平滑，并避免对电路造成不必要的干扰。总之，IR2104S半桥驱动器是一种常见的驱动芯片，适用于多种应用场景，如电机驱动等。在使用过程中，需要注意正确连接自举电路和滤波电容，以确保驱动器的稳定性和可靠性。

H桥 H桥用mos作为开关控制电机的导通。要使得电机转动，需要Mos管对角导通，即Q1,Q6导通而Q2,Q5关闭。 IR2103 对图中的nmos管IR7843，导通电压为2.3V。要使得上下桥臂导通，下桥臂Q2只需要stm32发送3.3V的电压即可导通，但对于上桥臂而言，当Q1导通时，漏极D和源极S的电压几乎相等，Q1截至，所以这里需要把stm32发送的3.3V电压加上VCC送入，才能导通，所以这里需要自举电路。鉴于车队的祖传方案，这里使用IR2103驱动芯片。 自举电路 当VS下拉时，电路VCC

1.为什么需要自举升压电路? VGS上管的电压不足以使mos完全导通 2.升压的原理: 电容相当于并联在MOS上管的G,S极。假设VCC=12V,当MOS的桥臂导通时,S极的电位会上升,但是并联在GS间的自举电容始终让Vg比Vs的电位高,因此可以保证导通 3.实际例子 **.当PWM_Input的第1...

为什么高端驱动时选用PMOS？ PMOS的特性为Vgs小于一定值时DS导通，NMOS的特性为Vgs大于一定值时DS导通。假设pmos管导通电压为Vgs=-3V，负载工作电压为12V，Vds=-12V，当mos管导通后，Vg=0V，Vgs–12V，Vds=0V。可正常工作假设nmos导通电压Vgs=3V，负载工作电压12V，Vds=12V，当mos管导通的瞬间，Vs=0，Vg=3V，导通后，Vd...

开关电源作为电子产品的“心脏”，发挥着提供动力的作用。今天让我们一起来认识下有效导通关断NMOS管的“窍门”。 NMOS管的主回路电流方向为D极到S极，导通条件为VGS有一定的压差，即VG-VS>VTH；PMOS管的主回路电流方向为S极到G极，导通条件为VSG有一定的压差，即VS-VG>VTH。故一般把NMOS作为下管，S极接地，只要给G极一定电压即可控制其导通关断；把PMOS作为上管，S极接VIN，G极给个低电压即可导通。当然NMOS管也可作为上管，但需要增加自举驱动电路。对于一

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