1.说到NMOS的导通条件只需要VGS＞0即可可是导通之后VS不是会大于VG吗？ 2.我们注意到全桥驱动需要自举电路，这是什么原因

行者1900 2019-06-19 02:16:07

1.说到NMOS的导通条件只需要VGS＞0即可可是导通之后VS不是会大于VG吗？

2.我们注意到全桥驱动需要自举电路，这是什么原因

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智者知已应修善业 2019-06-19

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看电路是怎么设计的了

luobingyin 2019-06-19

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全桥High Side侧的MOS打开是需要比电源电压还高的电压才能打开的，需要自举提供这个电压

图1为CMOS模拟开关电路原理图。它克服了NMOS模拟开关电路Ron虽vI增大而增大的缺点，扩大输入信号幅度的范围；而且可以在CMOS电路基础上增设辅助电路，消除NMOSFET的衬底效应对Ron的影响。　　　　图1 CMOS开关电路原理　　假定控制信号vc高电平VCH=VDD为逻辑“1”,低电平VCL=-Vss（取Vss=VDD）为逻辑“0”.T1衬底电压VB1=-Vss,T2衬底电压VB2=VDD.从图可知，vc直接输送到T1的栅极，而T2的栅极电压是vc经非门（T3、T4组成）倒相后的电压。当vc=“1”时，VG1=VDD,VG2=-Vss.所以当vI为接近-Vss低电平时，v

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