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1.说到NMOS的导通条件 只需要VGS>0即可 可是导通之后VS不是会大于VG吗? 2.我们注意到全桥驱动需要自举电路 ,这是什么原因
行者1900
2019-06-19 02:16:07
1.说到NMOS的导通条件 只需要VGS>0即可 可是导通之后VS不是会大于VG吗?
2.我们注意到全桥驱动需要自举电路 ,这是什么原因
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1.说到NMOS的导通条件 只需要VGS>0即可 可是导通之后VS不是会大于VG吗? 2.我们注意到全桥驱动需要自举电路 ,这是什么原因
1.说到NMOS的导通条件 只需要VGS>0即可 可是导通之后VS不是会大于VG吗? 2.我们注意到全桥驱动需要自举电路 ,这是什么原因
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智者知已应修善业
2019-06-19
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看电路是怎么设计的了
luobingyin
2019-06-19
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全桥High Side侧的MOS打开是需要比电源电压还高的电压才能打开的,需要自举提供这个电压
电赛资源半桥
驱动
MOS管电机
驱动
板,主要用于电机
驱动
(PCB工程文件+磁悬浮代码)
IR2104S是一个半桥
驱动
器。它具有
自举电路
,通过IN口接收PWM波,并利用二极管的单向导电性来防止电流回流,以保护电路。 在半桥
驱动
中,IR2104S通过VB和
VS
两个端口与上下两个
NMOS
相连。其中,VB通过一个电容连接到
VS
,以提供
自举电路
。当
NMOS
导通
时,源极电压等于漏极电压,为了确保
VG
S
>
VG
S
th(
NMOS
导通
需要
VG
S
>
VG
S
th),
需要
一个
自举电路
提高栅级的对地电压。同时,
自举电路
还可以降低MOS管的
导通
电阻,从而减少发热损耗。 此外,当输入电压出现突变或不平衡时,可以通过在输入电压出接一个电容到地进行滤波。这样可以使信号变得平滑,并避免对电路造成不必要的干扰。 总之,IR2104S半桥
驱动
器是一种常见的
驱动
芯片,适用于多种应用场景,如电机
驱动
等。在使用过程中,
需要
注意
正确连接
自举电路
和滤波电容,以确保
驱动
器的稳定性和可靠性。
IR2103H桥
驱动
电路
H桥 H桥用mos作为开关控制电机的
导通
。要使得电机转动,
需要
Mos管对角
导通
,即Q1,Q6
导通
而Q2,Q5关闭。 IR2103 对图中的
nmos
管IR7843,
导通
电压为2.3V。要使得上下桥臂
导通
,下桥臂Q2只
需要
stm32发送3.3V的电压
即可
导通
,但对于上桥臂而言,当Q1
导通
时,漏极D和源极S的电压几乎相等,Q1截至,所以这里
需要
把stm32发送的3.3V电压加上VCC送入,才能
导通
,所以这里
需要
自举电路
。鉴于车队的祖传方案,这里使用IR2103
驱动
芯片。
自举电路
当
VS
下拉时,电路VCC
MOS搭配自举升压电路
1.为什么
需要
自举升压电路?
VG
S
上管的电压不足以使mos完全
导通
2.升压的原理: 电容相当于并联在MOS上管的G,S极。 假设VCC=12V,当MOS的桥臂
导通
时,S极的电位
会
上升,但是并联在GS间的自举电容始终让
Vg
比
Vs
的电位高,因此可以保证
导通
3.实际例子 **.当PWM_Input的第1...
nmos
和pmos 高端
驱动
的区别
为什么高端
驱动
时选用PMOS? PMOS的特性为
Vg
s
小于一定值时DS
导通
,
NMOS
的特性为
Vg
s
大于
一定值时DS
导通
。 假设pmos管
导通
电压为
Vg
s
=-3V,负载工作电压为12V,Vds=-12V,当mos管
导通
后,
Vg
=0V,
Vg
s
–12V,Vds=0V。可正常工作 假设
nmos
导通
电压
Vg
s
=3V,负载工作电压12V,Vds=12V,当mos管
导通
的瞬间,
Vs
=0,
Vg
=3V,
导通
后,Vd...
DCDC 高端
NMOS
的自举秘诀
开关电源作为电子产品的“心脏”,发挥着提供动力的作用。今天让我们一起来认识下有效
导通
关断
NMOS
管的“窍门”。
NMOS
管的主回路电流方向为D极到S极,
导通
条件
为
VG
S
有一定的压差,即
VG
-
VS
>VTH;PMOS管的主回路电流方向为S极到G极,
导通
条件
为
VS
G有一定的压差,即
VS
-
VG
>VTH。故一般把
NMOS
作为下管,S极接地,只要给G极一定电压
即可
控制其
导通
关断;把PMOS作为上管,S极接VIN,G极给个低电压
即可
导通
。当然
NMOS
管也可作为上管,但
需要
增加自举
驱动
电路。 对于一
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