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AT45DB642中文手册下载
weixin_39821260
2019-08-01 03:00:21
AT45DB642 串行数据Flash,64Mbit。
相关下载链接:
//download.csdn.net/download/jingtomato/4135987?utm_source=bbsseo
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T4
5DB642
中文
手册
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T4
5DB642
串行数据Flash,64Mbit。
A
T4
5DB041D
中文
手册
A
T4
5DB014D是4Mbits、2.5V/2.7V的数据FLASH,我在网上找了许久,没能找到
中文
文档,就有了翻译一篇说明文档的想法,本文档的依据是ATMEL公司发布的《3595O–DFLASH–04/09》版本,本人英语水平不佳,难免有错误纰漏之处,欢迎大家指正,有什么问题请发到我的邮箱。谢谢您的支持和帮助!也感谢以前公司能给我时间来完成这些工作。
A
T4
5DB041D
中文
说明和参考程序
附加了另外三个高手写的参考程序(是A
T4
5DB161D的,不过A
T4
5DB系列D版本的芯片操作基本雷同。这些参考程序都来自于OURDEV网站的高手)。个人感觉gxlujd写的那个比较好,哈哈! 感谢STM32群里面“倮倮”的提醒,有两个地方的错误我提醒一下,第二版没有改过来。 1、带自擦除和不带自擦除操作里面,3BYTES码的组成,正确的应该是: 如果要写264字节的页,操作码(83H选择缓存1,86H选择缓存2)后面必须紧跟3 Bytes地址码,它是由4位任意码、11位(PA10——PA0)页地址码和9位任意码组成(这是一次写一页,当然后面的9位页内地址就用不着啦)。如果要写256字节的页,操作码(83H选择缓存1,86H选择缓存2)后面必须紧跟3 Bytes地址码,它是由5位任意码、11位(A18——A8)页地址码和8位任意码组成。 2、通过缓存写主存地址码的组成,正确的应该是: 如果要写256字节/页的数据(82H选择缓存1,85H选择缓存2),紧随其后的是3字节地址码,它是由5 bits任意码、11位页地址码(A18——A8)和8位缓存页内地址码(BFA7——BFA0)组成。 欢迎各位提出问题和建议。 如果转载,请注明出处! 谢谢!
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5DB041B
中文
手册
Atmel公司的data Flash存储芯片A
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5DB041B
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5DB041D-SU 编程
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