4GHz+CMOS低噪声放大器的研究与设计下载

weixin_39822095 2019-08-31 04:00:21

4GHz+CMOS低噪声放大器的研究与设计
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245GHz+CMOS工艺低噪声放大器的设计

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分析了低噪声放大器设计中最常用的源极电感负反馈输入匹配结构,指出其存在的缺陷及如何改进,即利用一个小值LC网络代替大感值的栅极电感Lg,同时移除源极负反馈电感Ls。应用这种改进型输入匹配结构,基于0.18μm BSIM3模型设计了工作频带为5.1~5.8 GHz的宽带CMOS低噪声放大器。结果表明,虽然输入匹配由于移除源极负反馈电感Ls受到一定影响,但是有利于降低噪声系数并减小实际制作的芯片面积。

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