【硬件知识篇】常用电脑硬件技术术语集锦

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常用电脑硬件技术术语集锦！
主板篇
芯片组：芯片组是主板的灵魂，它决定了主板所能够支持的功能。目前市面上常见的芯片组有Intel、VIA、SiS、Ali、AMD等几家公司的产品。其中，Intel公司的主流产品有440BX、i820、i815/815E等。VIA公司主要有VIA Apollo Pro 133/133A、KT 133等芯片组。SiS公司主要是SiS 630芯片组。Ali公司主要有Ali Aladdin TNT2芯片组、AMD则有AMD 750芯片组。其中，除了Intel公司的i820、i815/815E芯片组以外，所有的芯片组都是由两块芯片构成：靠近CPU的那一块叫做北桥芯片，主要负责控制CPU、内存和显示功能；靠近PCI插槽的那一块叫做南桥，主要负责控制输入输出(如对硬盘的UDMA/66/200模式的支持)，软音效等。而Intel公司的i820、i815/815E芯片组采用了新的结构，由三块芯片构成。分别是MCH(memory controller hub，功能类似于北桥)、ICH(I/O controller hub，功能类似于南桥)、FWH(Fireware hub，功能类似于BIOS芯片)。由于新的芯片组使用专门的总线(一般称为加速集线器结构AHA，Acclerated hub Architecture)来连接主板的各设备，而不是像原来那样使用PCI总线进行数据传输，因此在多设备工作时有比较大的效能提高。
　　
　　　　CPU接口：由于市场上主流的CPU大多是Intel和AMD两家公司的产品，所以主板上常见的也只有Socket 370(支持Intel新赛扬和coppermine“铜矿”处理器)，Slot 1(支持Intel赛扬和老PIII处理器，也可以加转接卡支持Socket 370处理器)，Slot A(支持AMD Athlon处理器)，Socket A(支持AMD新Athlon和Duron处理器)等几种接口。不同的接口之间不能通用(只有SLOT 1接口可以加转接卡支持Socket 370处理器)。大家购买时要认清。
　　
　　　　新型实用型技术：
　　　　 a.软跳线技术：所谓跳线，就是一组通断开关，通过对通、断的不同组合，来达到调整CPU频率或者实现一些其他功能(如调整电压)的目的。以前的跳线一般是由一组金属针脚或拨指开关组成。自从升技公司的经典软跳线技术Softmenu出现以后，有不少的厂商也加入这项功能，即可以在BIOS中直接设定CPU频率和电压等。但由于前段时间CIH等病毒对BIOS破坏比较严重，所以一些公司还是保留了硬跳线(如DIP开关)等功能。
　　
　　　　b.新的BIOS升级技术：以前的BIOS升级被视为“高手”的专利。因此其有一定的风险，所以普通用户不敢轻易涉足。但是一些厂商开发了一些特殊的BIOS升级功能，使得BIOS升级再不会像以前那样危险和神秘了。 比如微星新的815主板就可以在Internet上直接升级，只要你连上网络，系统将自动检测你的BIOS版本，如果发现你所使用的产品有新的BIOS文件，将会自动下载并更新，大大减少了用户的操作。使BIOS更加简单。
　　
　　　　c.节能功能：目前的节能功能主要有STD和STR两种。STD(Suspend to Disk)，挂起到硬盘，是指系统在深度休眠时，将目前的资料保存在硬盘上，当再次开机时可以省去重启的时间，目前STD技术已属于淘汰的类型，更新的是STR技术。STR(Suspend to Ram)，挂起到内存，即当系统深度休眠时将资料保存在内存中，重启到原来的状态只需要3秒左右。目前的较新的主板(如815主板)都支持此技术。
　　
　　　　d.异步内存调整技术： 在VIA的芯片组VIA Apollo Pro 133/133A和KT 133等中，有一项内存和外频异步运行的功能。就是在标准外频下(如66MHz或100MHz等)，可以将内存运行的频率比外频低33MHz或高33MHz。这项技术极大地方便了一些老用户，这样就可以使用将比较新的内存和比较老的CPU(或比较老的内存和比较新的CPU)进行合理搭配，充分发挥其功能。但要注意的是，如果在非标准外频下(如83MHz)，那么内存运行的频率将不会按照这个规律增加，具体的增加值会因具体情况有所不同。
　　
　　　　e.扩展槽分频技术： 每一个类型的总线都有自己额定的运行频率，如果超过太多，就可能使设备运行不正常。比如PCI设备的额定频率是33MHz，AGP设备的额定频率是66MHz。当外频运行在100MHz时，PCI设备就需要工作在外频的三分之一才能保证设备正常运行(如声卡等设备)，这就是通常所说的三分频；如果一旦外频在1333MHz上，PCI设备就需要四分频了。如果外频再往上升，即使是四分频，也会比标准频率高出不少，而且AGP设备通常只支持二分频，所以在高外频下(如150MHz)，如果PCI设备(声卡)或AGP设备(显卡)质量不好，将严整影响整个系统的超频性能。目前PCI总线只支持四分频，而AGP总线只支持二分频。
　　
　　　　安全保护技术：由于目前病毒的危害很大，因此一些安全保护技术也必不可少。比如在对BIOS的保护上，就采取了多种形式。最简单的就是在BIOS旁加上写保护跳线，以避免病毒侵害；还有就是使用双BIOS，即使一个被破坏了也有另一个可以工作，如技嘉就采用了这种技术；再有即使一些厂商自己开发的集成几种技术的产品，如联想的“无敌锁”，“宙斯盾”等，其原理也是避免病毒侵害BIOS。 主板诊断技术也是一项比较实用的技术。如微星的D-LED技术，就是将故障用四个灯亮的颜色来表示。如显卡故障用两个红灯表示，而内存故障用三个红灯表示等。这样可以帮助一些初学者判断故障的所在，以便对症下药。而硕泰克开发的语音提示技术将语音芯片固化在主板上，可以将故障直接“说”出来(用机箱小喇叭发声)，更是满足一些追新族的喜好。
　　
　　　　新型接口：AGP Pro接口：随着显卡处理功能的强大，其能量消耗也越来越高，传统的AGP插槽已经不能满足需要。而AGP Pro插槽比普通AGP插槽长一些，增加了一些接地线，使得信号更加稳定，在大电流的干扰下，这样可以提高数据传输的准确性，使显卡更加稳定地工作。 CNR插槽：(communication and networking riser)是出现在新的i815E芯片组上的新插槽。它支持以太网卡和MODEM，功能有点类似于AMR插槽，但是更强大。
　　
ACPI电源接口：是Pentium以上主板特有的一种新功能。作用是在管理电脑内部各种部件时尽量做到节省能源。 SMP对称多处理模式： 它的特点是当插入两个CPU同时工作时，就支持交替运行方式好提高CPU的工作效率。但两个CPU的特性一定要完全一致。
　　
　　　　AGP插槽：（Accelerated-Graphics-Port:加速图形端口）它是一种为缓解视频带宽紧张而制定的总线结构。它将显示卡与主板的芯片组直接相连，进行点对点传输。但是它并不是正规总线，因它只能和AGP显卡相连，故不具通用和扩展性。其工作的频率为66MHz，是PCI总线的一倍，并且可为视频设备提供528MB/S的数据传输率。所以实际上就是PCI的超集。
　　
　　　　AMD-640芯片组：该芯片组是AMD公司的产品。它的一些特性为：支持所有的Pentium级CPU，特别优化AMD-K6-CPU；能真正发挥66MHZ以上的SDRAM高速性能；还具有遥控唤醒功能；而且内部带有USB接口控制器等；但它不支持AGP。
　　
　　　　ASUS插槽：是华硕公司在其生产的主板上别出新裁的一个设计。其结构是在PCI插槽后又增加了一个短槽，以配合华硕自己生产的配套声卡使用。
　　
　　　　ATX板型：它的布局是"横"板设计，就象把Baby-AT板型放倒了过来，这样做增加了主板引出端口的空间，使主板可以集成更多的扩展功能。
　　
　　　　　　　　MASK ROM：是制造商为了要大量生产，事先制作一颗有原始数据的ROM或EPROM当作样本，然后再大量生产与样本一样的 ROM，这一种做为大量生产的ROM样本就是MASK ROM，而烧录在MASK ROM中的资料永远无法做修改。
　　
　　　　随机存取内存RAM ( Random Access Memory)：RAM是可被读取和写入的内存，我们在写资料到RAM记忆体时也同时可从RAM读取资料，这和ROM内存有所不同。但是RAM必须由稳定流畅的电力来保持它本身的稳定性，所以一旦把电源关闭则原先在RAM里头的资料将随之消失。
　　
　　　　动态随机存取内存 DRAM (Dynamic Random Access Memory)：DRAM 是Dynamic Random Access Memory 的缩写，通常是计算机内的主存储器，它是而用电容来做储存动作，但因电容本身有漏电问题，所以内存内的资料须持续地存取不然
　　资料会不见。
　　
　　　　FPM DRAM (Fast Page Mode DRAM)：是改良的DRAM，大多数为72IPN或30PIN的模块，FPM 将记忆体内部隔成许多页数Pages，从512 bite 到数 Kilobytes 不等，它特色是不需等到重新读取时，就可读取各page内的资
　　料。
　　
　　　　EDO DRAM (Extended Data Out DRAM)：EDO的存取速度比传统DRAM快10%左右，比FPM快12到30倍一般为72PIN、168PIN的模块。
　　
　　　　SDRAM：Synchronous DRAM 是一种新的DRAM架构的技术；它运用晶片内的clock使输入及输出能同步进行。所谓clock同步是指记忆体时脉与CPU的时脉能同步存取资料。SDRAM节省执行指令及数据传输的时间，故可提升计算机效率。
　　
　　　　DDR：DDR 是一种更高速的同步内存，DDR SDRAM为168PIN的DIMM模块，它比SDRAM的传输速率更快， DDR的设计是应用在服务器、工作站及数据传输等较高速需求之系统。
　　
　　　　DDRII (Double Data Rate Synchronous DRAM)：DDRII 是DDR原有的SLDRAM联盟于1999年解散后将既有的研发成果与DDR整合之后的未来新标准。DDRII的详细规格目前尚未确定。
　　
　　　　DRDRAM (Direct Rambus DRAM)：是下一代的主流内存标准之一，由Rambus 公司所设计发展出来，是将所有的接脚都连结到一个共同的Bus，这样不但可以减少控制器的体积，已可以增加资料传送的效率。
　　
　　　　RDRAM (Rambus DRAM)：是由Rambus公司独立设计完成，它的速度约一般DRAM的10倍以上，虽有这样强的效能，但使用后内存控制器需要相当大的改变，所以目前这一类的内存大多使用在游戏机器或者专业的图形加速适配卡上。
　　
　　　　VRAM (Video RAM)：与DRAM最大的不同在于其有两组输出及输入口，所以可以同时一边读入，一边输出资料。
　　
　　　　WRAM (Window RAM)：属于VRAM的改良版，其不同之处在于其控制线路有一、二十组的输入/输出控制器，并采用EDO的资料存取模式。
　　
　　　　MDRAM (Multi-Bank RAM)：MIDRAM 的内部分成数个各别不同的小储存库 (BANK)，也就是数个属立的小单位矩阵所构成。每个储存库之间以高于外部的资料速度相互连接，其应用于高速显示卡或加速卡中。
　　
　　　　静态随机处理内存 SRAM (Static Random Access Memory)：SRAM 是Static Random Access Memory 的缩写，通常比一般的动态随机处理内存处理速度更快更稳定。所谓静态的意义是指内存资料可以常驻而不须随时存取。因为此种特性，静态随机处理内存通常被用来做高速缓存。
　　
　　　　Async SRAM：为异步SRAM这是一种较为旧型的SRAM，通常被用于电脑上的 Level 2 Cache上，它在运作时独立于计算机的系统时脉外。
　　
　　　　Sync SRAM：为同步SRAM，它的工作时脉与系统是同步的。
　　
　　　　SGRAM (Synchronous Graphics RAM)：是由SDRAM再改良而成以区块Block为单位，个别地取回或修改存取的资料，减少内存整体读写的次数增加绘图控制器。
　　
　　　　高速缓存 (Cache Ram)：为一种高速度的内存是被设计用来处理运作CPU。快取记忆体是利用 SRAM 的颗粒来做内存。因连接方式不同可分为一是外接方式(External)另一种为内接方式(Internal)。外接方式是将内存放在主机板上也称为Level 1 Cache而内接方式是将内存放在CPU中称为Level 2 Cache。
　　
　　　　PCMCIA (Personal Computer Memory Card International Association)：是一种标准的卡片型扩充接口，多半用于笔记型计算机上或是其它外围产品，其种类可以分为：
　　
　　　　　　Type 1：3.3mm的厚度，常作成SRAM、Flash RAM 的记忆卡以及最近打印机所使用的DRAM记忆卡。
　　　　　　Type 2：5.5mm的厚度，通常设计为笔记计算机所使用的调制解调器接口(Modem)。
　　　　　　Type 3：10.5mm的厚度，被运用为连接硬盘的ATA接口。
　　　　　　Type 4：小型的PCMCIA卡，大部用于数字相机。
　　
　　　　FLASH：Flash内存比较像是一种储存装置，因为当电源关掉后储存在Flash内存中的资料并不会流失掉，在写入资料时必须先将原本的资料清除掉，然后才能再写入新的资料，缺点为写入资料的速度太慢。
　　
　　　　重新标示过的内存模块（Remark Memory Module）：在内存市场许多商家都会贩售重新标示过的内存模块，所谓重新标示过的内存模块就是将芯片Chip上的标示变更过，使其所显示出错误的讯息以提供商家赚取更多的利润。一般说来，业者会标示成较快的速度将( -7改成-6)或将没有厂牌的改为有厂牌的。要避免购买到这方面的产品，最佳的方法就是向好声誉的供货商来购买顶级芯片制造商产品。
　　
　　　　内存的充电 (Refresh)：主存储器是DRAM组合而成，其电容需不断充电以保持资料的正确。一般有2K与4K Refresh的分类，而2K比4K有较快速的Refresh但2K比4K耗电。

硬盘篇
硬盘的转速(Rotationl Speed)： 也就是硬盘电机主轴的转速，转速是决定硬盘内部传输率的关键因素之一，它的快慢在很大程度上影响了硬盘的速度，同时转速的快慢也是区分硬盘档次的重要标志之一。硬盘的主轴马达带动盘片高速旋转，产生浮力使磁头飘浮在盘片上方。要将所要存取资料的扇区带到磁头下方，转速越快，等待时间也就越短。因此转速在很大程度上决定了硬盘的速度。目前市场上常见的硬盘转速一般有5400rpm、7200rpm、甚至10000rpm。理论上，转速越快越好。因为较高的转速可缩短硬盘的平均寻道时间和实际读写时间。可是转速越快发热量越大，不利于散热。现在的主流硬盘转速一般为7200rpm以上。?
　　
　　　　随着硬盘容量的不断增大，硬盘的转速也在不断提高。然而，转速的提高也带来了磨损加剧、温度升高、噪声增大等一系列负面影响。于是，应用在精密机械工业上的液态轴承马达（Fluid dynamic bearing motors）便被引入到硬盘技术中。液态轴承马达使用的是黏膜液油轴承，以油膜代替滚珠。这样可以避免金属面的直接磨擦，将噪声及温度被减至最低；同时油膜可有效吸收震动，使抗震能力得到提高；更可减少磨损，提高寿命。
　　
　　　　平均寻道时间（Average seek time）：指硬盘在盘面上移动读写头至指定磁道寻找相应目标数据所用的时间，它描述硬盘读取数据的能力，单位为毫秒。当单碟片容量增大时，磁头的寻道动作和移动距离减少，从而使平均寻道时间减少，加快硬盘速度。目前市场上主流硬盘的平均寻道时间一般在9ms以下，大于10ms的硬盘属于较早的产品，一般不值得购买。?
　　
　　　　平均潜伏时间（Average latency　time）： 指当磁头移动到数据所在的磁道后，然后等待所要的数据块继续转动到磁头下的时间，一般在2ms－6ms之间。
　　
　　　　平均访问时间（Average access time）： 指磁头找到指定数据的平均时间，通常是平均寻道时间和平均潜伏时间之和。平均访问时间最能够代表硬盘找到某一数据所用的时间，越短的平均访问时间越好，一般在11ms－18ms之间。注意：现在不少硬盘广告之中所说的平均访问时间大部分都是用平均寻道时间所代替的。?
　　
　　　 突发数据传输率（Burst data transfer rate）：指的是电脑通过数据总线从硬盘内部缓存区中所读取数据的最高速率。也叫外部数据传输率（External data transfer rate）。目前采用UDMA/66技术的硬盘的外部传输率已经达到了66.6MB/s。?
　　
　　　　最大内部数据传输率（Internal data transfer rate）： 指磁头至硬盘缓存间的最大数据传输率，一般取决于硬盘的盘片转速和盘片数据线密度（指同一磁道上的数据间隔度）。也叫持续数据传输率（sustained transfer rate）。一般采用UDMA/66技术的硬盘的内部传输率也不过25-30MB/s，只有极少数产品超过30MB/s，由于内部数据传输率才是系统真正的瓶颈，因此大家在购买时要分清这两个概念。不过一般来讲，硬盘的转速相同时，单碟容量大的内部传输率高；在单碟容量相同时，转速高的硬盘的内部传输率高。
　　
　　　　自动检测分析及报告技术（Self-Monitoring Analysis and Report Technology，简称S.M.A.R.T）： 现在出厂的硬盘基本上都支持S.M.A.R.T技术。这种技术可以对硬盘的磁头单元、盘片电机驱动系统、硬盘内部电路以及盘片表面媒介材料等进行监测，当S.M.A.R.T监测并分析出硬盘可能出现问题时会及时向用户报警以避免电脑数据受到损失。S.M.A.R.T技术必须在主板支持的前提下才能发生作用，而且S.M.A.R.T技术也不能保证能预报出所有可能发生的硬盘故障。
　　
　　　　磁阻磁头技术MR(Magneto－Resistive Head)： MR(MAGNETO-RESITIVEHEAD)即磁阻磁头的简称。MR技术可以更高的实际记录密度、记录数据，从而增加硬盘容量，提高数据吞吐率。目前的MR技术已有几代产品。MAXTOR的钻石三代/四代等均采用了最新的MR技术。磁阻磁头的工作原理是基于磁阻效应来工作的，其核心是一小片金属材料,其电阻随磁场变化而变化,虽然其变化率不足2%,但因为磁阻元件连着一个非常灵敏的放大器,所以可测出该微小的电阻变化。MR技术可使硬盘容量提高40%以上。GMR（GiantMagnetoresistive）巨磁阻磁头GMR磁头与MR磁头一样，是利用特殊材料的电阻值随磁场变化的原理来读取盘片上的数据，但是GMR磁头使用了磁阻效应更好的材料和多层薄膜结构，比MR磁头更为敏感，相同的磁场变化能引起更大的电阻值变化，从而可以实现更高的存储密度，现有的MR磁头能够达到的盘片密度为3Gbit－5Gbit/in2（千兆位每平方英寸），而GMR磁头可以达到10Gbit－40Gbit/in2以上。目前GMR磁头已经处于成熟推广期，在今后的数年中，它将会逐步取代MR磁头，成为最流行的磁头技术。
　　
　　　　缓存： 缓存是硬盘与外部总线交换数据的场所。硬盘的读数据的过程是将磁信号转化为电信号后，通过缓存一次次地填充与清空，再填充，再清空，一步步按照PCI总线的周期送出，可见，缓存的作用是相当重要的。在接口技术已经发展到一个相对成熟的阶段的时候，缓存的大小与速度是直接关系到硬盘的传输速度的重要因素。目前主流硬盘的缓存主要有512KB和2MB等几种。其类型一般是EDO DRAM或SDRAM，目前一般以SDRAM为主。根据写入方式的不同，有写通式和回写式两种。写通式在读硬盘数据时，系统先检查请求指令，看看所要的数据是否在缓存中，如果在的话就由缓存送出响应的数据，这个过程称为命中。这样系统就不必访问硬盘中的数据，由于SDRAM的速度比磁介质快很多，因此也就加快了数据传输的速度。回写式就是在写入硬盘数据时也在缓存中找，如果找到就由缓存就数据写入盘中，现在的多数硬盘都是采用的回写式硬盘，这样就大大提高了性能。
　　
　　　　连续无故障时间（MTBF）：指硬盘从开始运行到出现故障的最长时间。一般硬盘的MTBF至少在30000或40000小时。?
　　
　　　　部分响应完全匹配技术PRML(Partial Response Maximum Likelihood)：能使盘片存储更多的信息，同时可以有效地提高数据的读取和数据传输率。是当前应用于硬盘数据读取通道中的先进技术之一。PRML技术是将硬盘数据读取电路分成两段“操作流水线”，流水线第一段将磁头读取的信号进行数字化处理然后只选取部分“标准”信号移交第二段继续处理，第二段将所接收的信号与PRML芯片预置信号模型进行对比，然后选取差异最小的信号进行组合后输出以完成数据的读取过程。PRML技术可以降低硬盘读取数据的错误率，因此可以进一步提高磁盘数据密集度。
　　
　　　　单磁道时间（Single track seek time）：指磁头从一磁道转移至另一磁道所用的时间。?
　　
　　　　超级数字信号处理器(Ultra DSP)技术：用Ultra DSP进行数学运算，其速度较一般CPU快10到50倍。采用Ultra DSP技术，单个的DSP芯片可以同时提供处理器及驱动接口的双重功能，以减少其它电子元件的使用，可大幅度地提高硬盘的速度和可靠性。接口技术可以极大地提高硬盘的最大外部传输率，最大的益处在于可以把数据从硬盘直接传输到主内存而不占用更多的CPU资源，提高系统性能。
　　
　　　　硬盘表面温度： 指硬盘工作时产生的温度使硬盘密封壳温度上升情况。硬盘工作时产生的温度过高将影响薄膜式磁头(包括MR磁头)的数据读取灵敏度，因此硬盘工作表面温度较低的硬盘有更好的数据读、写稳定性。
　　
　　　　全程访问时间（Max full seek time）：指磁头开始移动直到最后找到所需要的数据块所用的全部时间。?
　　
　　　　接口技术：口技术可极大地提高硬盘的最大外部数据传输率,现在普遍使用的ULTRAATA/66已大幅提高了E-IDE接口的性能,所谓UltraDMA66是指一种由Intel及Quantum公司设计的同步DMA协议。使用该技术的硬盘并配合相应的芯片组，最大传输速度可以由16MB/s提高到66MS/s。它的最大优点在于把CPU从大量的数据传输中解放出来了，可以把数据从HDD直接传输到主存而不占用更多的CPU资源，从而在一定程度上提高了整个系统的性能。由于采用ULTRAATA技术的硬盘整体性能比普通硬盘可提高20%～60%,所以已成为目前E-IDE硬盘事实上的标准。
　　
　　　　SCSI硬盘的接口技术也在迅速发展。Ultra160/mSCSI被引入硬盘世界，对硬盘在高计算量应用领域的性能扩展极有裨益，处理关键任务的服务器、图形工作站、冗余磁盘阵列（RAID）等设备将因此得到性能提升。从技术发展看，Ultra160/mSCSI仅仅是硬盘接口发展道路上的一环而已，200MB的光纤技术也远未达到止境，未来的接口技术必将令今天的用户瞠目结舌。
　　
　　　　光纤通道技术具有数据传输速率高、数据传输距离远以及可简化大型存储系统设计的优点。目前，光纤通道支持每秒200MB的数据传输速率，可以在一个环路上容纳多达127个驱动器，局域电缆可在25米范围内运行，远程电缆可在10公里范围内运行。某些专门的存储应用领域，例如小型存储区域网络（SAN）以及数码视像应用，往往需要高达每秒200MB的数据传输速率和强劲的联网能力，光纤通道技术的推出正适应了这一需求。同时，其超长的数据传输距离，大大方便了远程通信的技术实施。由于光纤通道技术的优越性，支持光纤界面的硬盘产品开始在市场上出现。这些产品一般是大容量硬盘，平均寻道时间短，适应于高速、高数据量的应用需求，将为中高端存储应用提供良好保证。
　　
　　　　IEEE1394：IEEE1394又称为Firewire（火线）或P1394，它是一种高速串行总线，现有的IEEE1394标准支持100Mbps、200Mbps和400Mbps的传输速率，将来会达到800Mbps、1600Mbps、3200Mbps甚至更高，如此高的速率使得它可以作为硬盘、DVD、CD－ROM等大容量存储设备的接口。IEEE1394将来有望取代现有的SCSI总线和IDE接口，但是由于成本较高和技术上还不够成熟等原因，目前仍然只有少量使用IEEE1394接口的产品，硬盘就更少了。
　　
　　　　硬盘：英文“hard-disk”简称HD 。是一种储存量巨大的设备，作用是储存计算机运行时需要的数据。计算机的硬盘主要由碟片、磁头、磁头臂、磁头臂服务定位系统和底层电路板、数据保护系统以及接口等组成。 计算机硬盘的技术指标主要围绕在盘片大小、盘片多少、单碟容量、磁盘转速、磁头技术、服务定位系统、接口、二级缓存、噪音和S.M.A.R.T. 等参数上。
　　
　　　　碟片：硬盘的所有数据都存储在碟片上，碟片是由硬质合金组成的盘片，现在还出现了玻璃盘片。目前的硬盘产品内部盘片大小有：5.25，3.5，2.5和1.8英寸（后两种常用于笔记本及部分袖珍精密仪器中，现在台式机中常用3.5英寸的盘片）。
磁头：硬盘的磁头是用线圈缠绕在磁芯上制成的，最初的磁头是读写合一的，通过电流变化去感应信号的幅度。对于大多数计算机来说，在与硬盘交换数据的过程中，读操作远远快于写操作，而且读/写是两种不同特性的操作，这样就促使硬盘厂商开发一种读/写分离磁头。在1991年，IBM提出了它基于磁阻（MR）技术的读磁头技术――各项异性磁 ,磁头在和旋转的碟片相接触过程中，通过感应碟片上磁场的变化来读取数据。在硬盘中，碟片的单碟容量和磁头技术是相互制约、相互促进的。
　　 AMR（Anisotropic Magneto Resistive，AMR）：一种磁头技术，AMR技术可以支持3.3GB/平方英寸的记录密度，在1997年AMR是当时市场的主流技术。
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