社区
其他技术讨论专区
帖子详情
论文研究- 强化晶圆退火重复性的方法研究 .pdf 下载
老栗子
2019-09-10 02:19:41
强化晶圆退火重复性的方法研究 ,李贇佳,黄其煜,超浅结制造技术是支撑超大规模集成电路进一步发展的关键技术,本文以其中的关键工艺--Spike Anneal(尖峰退火)为切入点,对激活Source/Dr 相关下载链接:https://download.csdn.net/download/weixin_39841882/11623939
...全文
22
回复
打赏
收藏
论文研究- 强化晶圆退火重复性的方法研究 .pdf 下载
强化晶圆退火重复性的方法研究 ,李贇佳,黄其煜,超浅结制造技术是支撑超大规模集成电路进一步发展的关键技术,本文以其中的关键工艺--Spike Anneal(尖峰退火)为切入点,对激活Source/Dr 相关下载链接:https://download.csdn.net/download/weixin_39841882/11623939
复制链接
扫一扫
分享
转发到动态
举报
写回复
配置赞助广告
用AI写文章
回复
切换为时间正序
请发表友善的回复…
发表回复
打赏红包
论文
研究
-
强化
晶圆
退火
重复性
的
方法
研究
.
pdf
强化
晶圆
退火
重复性
的
方法
研究
,李贇佳,黄其煜,超浅结制造技术是支撑超大规模集成电路进一步发展的关键技术,本文以其中的关键工艺--Spike Anneal(尖峰
退火
)为切入点,对激活Source/Dr
论文
研究
-
晶圆
的高温氧化物层均匀性提高
方法
的
研究
.
pdf
晶圆
的高温氧化物层均匀性提高
方法
的
研究
,王燕军,黄其煜,本文讲述了几种提高
晶圆
的高温氧化物层均匀性的
方法
。通过用49%高浓度的氢氟酸对晶舟清洗30分钟可以提高其均匀性从3.69%到2.24%,通过
论文
研究
-8寸
晶圆
单片
晶圆
良率降低现象产生的原因及改善
方法
.
pdf
8寸
晶圆
单片
晶圆
良率降低现象产生的原因及改善
方法
,姜俊克,黄其煜,本文旨在
研究
8寸芯片制造工厂里单片
晶圆
良率降低现象产生的原因并提出改善
方法
。在目前比较成熟的8寸的芯片制造工厂中,随着制程�
论文
研究
-缓冲区容量为2的单臂树形多组合设备的建模与调度.
pdf
论文
研究
-缓冲区容量为2的单臂树形多组合设备的建模与调度.
pdf
, 在半导体制造中,多组合设备被广泛应用于
晶圆
加工.对于缓冲区容量为2的单臂树形多组合设备,当机械手的...
论文
研究
-基于eM-Plant的参数化虚拟组合设备.
pdf
论文
研究
-基于eM-Plant的参数化虚拟组合设备.
pdf
, 由于大直径
晶圆
的加工具有严格的逗留时间约束和时间波动, 使得组合设备的调度及其可行性的验证存在很大的困难, 而仿真...
其他技术讨论专区
433
社区成员
791,270
社区内容
发帖
与我相关
我的任务
其他技术讨论专区
其他技术讨论专区
复制链接
扫一扫
分享
社区描述
其他技术讨论专区
其他
技术论坛(原bbs)
社区管理员
加入社区
获取链接或二维码
近7日
近30日
至今
加载中
查看更多榜单
社区公告
暂无公告
试试用AI创作助手写篇文章吧
+ 用AI写文章