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半导体硅制造工艺 抛光液和硅片的反应速度很快，只要稍一停留，立刻便会腐蚀，因此取片时，不能在表面上留下抛光液，必须紧接着水抛，直至抛光液被全部冲去，再将片子取下。由于晶圆制造过程有各种各样的晶圆固定器和自动设备，需要严格的直径控制以减少晶圆翘曲和破碎，而单晶硅棒的外径表面并不平整且直径也比最终抛光晶片所规定的直径规格大，因此需要通过外径滚磨获得较为精确的直径。胶体的颗粒直径比磨料的颗粒直径小一个数量级，且硬度与硅相当，因此它比用磨料的机械抛光表面损伤更小，抛光出的硅片表面具有高度的镜面光洁。不受材料导电类型和电阻率的影响。 阅读详情

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