SOI 课程文档下载

weixin_39821228 2019-09-19 04:01:08
SOI 课程文档， 2012年 Cadence SOI Conference。
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SOI 课程文档， 2012年 Cadence SOI Conference。
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CS50 2020问题集4：恢复 解决CS50 2020问题集4中的“恢复”的方法 问题描述： ：
SOI MOSFET器件结构设计和性能仿真（课程设计、毕业设计）
但是实际电场强度很大的时候，随着温度增大，si的声学波散射增大，迁移率下降，漂移速度达到饱和，这时候的载流子称为热载流子。高温下，导带和价带间的带隙会缩小，从而影响MOS管的导通特性。实际沟道是理想沟道长度上再减去ΔL，所以由于沟道长度调制，实际的饱和区电流是在理论值上叠加一段，而且这个叠加的值随VD增大而增大，这就出现了饱和区电流大于零的斜率。从公式可以看到，理想公式中栅极电压，阈值电压沟道宽长比，un电子迁移率，栅氧化层厚度，P衬底掺杂，sio2-si界面电荷这些因素都会影响饱和区电流。
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