BCD工艺概述下载

weixin_39821051 2019-11-17 11:00:27

介绍了BCD (bipolar CMOS DMOS）的工艺原理、特点和发展前景。对BCD 工艺兼容性
进行了说明，着重阐述了L D M O S 的工艺原理和关键工艺设计考虑。文章结合应用，指出B C D 工艺朝着
高压、高功率、高密度三个主要方向分化发展，并对B C D 工艺的最新进展作了概述。对电源管理和显示
驱动这两大市场驱动进行了分析，并对国内企业进入该领域所面临的机会与挑战作了阐述与展望。
相关下载链接：//download.csdn.net/download/spw256/4462793?utm_source=bbsseo

...全文

109 回复打赏收藏转发到动态举报

写回复

回复

切换为时间正序

请发表友善的回复…

发表回复

介绍了BCD (bipolar CMOS DMOS）的工艺原理、特点和发展前景。对BCD 工艺兼容性进行了说明，着重阐述了L D M O S 的工艺原理和关键工艺设计考虑。文章结合应用，指出B C D 工艺朝着高压、高功率、高密度三个主要方向分化发展，并对B C D 工艺的最新进展作了概述。对电源管理和显示驱动这两大市场驱动进行了分析，并对国内企业进入该领域所面临的机会与挑战作了阐述与展望。

1引言BCD是一种单片集成工艺技术。1986年由意法半导体（ST）公司率先研制成功，这种技术能够器件，称为 B C D 工艺。了解 B C D 工艺的特点，需要

《单片机原理及应用》课程设计报告课题名称：单片机液晶显示"万年历" 分院：机械与电气工程学院教研室：电气工程及其自动化班级：姓名：学号：指导教师：二一三年五月单片机液晶显示"万年历" 1、设计任务 1、用字符型液晶显示模块LCD1602显示万年历的日期/时间等，如下图所示（仅供参考，可个性化差异设计，如显示学号等）： 2012/05/01 DHY 16:47:58 123789 2、单片机与实时时钟芯片DS1302之间通过SPI接口实现"日期/时间"数据的采集。 3、用3×4行列式键盘进行校时，共有"1、2、3、4、5、6、7、8、9、 0" 、"校时（闪烁）"和"（年/月/日/时/分/秒）切换"等十二个按键。 2、硬件设计 1.系统框图按照系统设计功能的要求，初步确定系统由主控模块、时控模块、显示驱动及显示模块和键盘接口模块共4个模块组成，电路系统构成框图如图1-1所示。图1-1电子万年历电路系统构成框图主控芯片使用51系列AT89C51单片机，时钟芯片使用美国 DALLAS公司推出的一种高性能、低功耗、带RAM的实时时钟 DS1302。采用DS1302作为计时芯片，可以做到计时准确。更重要的是，DS1302可以在很小电流的后备电源（2.5～5.5V电源，在2.5V时耗电小于300nA），而且DS1302可以编程选择多种充电电流来对后备电源进行慢速充电，可以保证后备电源基本不耗电。显示驱动采用排阻 RESPACK-8驱动和LM016L液晶显示、图条/柱图显示或64 点阵显示接口的小型串行输入/输出芯片。片内包括BCD 译码器、多路扫描控制器、字和位驱动器和8*8 静态RAM。RESPACK-8需九导线连接，每位显示数字有一个地址由微处理器写入。允许使用者选择每位是BCD 译码或不译码。使用者还可选择停机模式、数字亮度控制、从1～8 选择扫描位数和对所有LCD显示器的测试模式。显示模块采用普通的LCD 显示屏。 2.各部分介绍（包括电路和主要器件介绍） 2.1电路设计如图2-1示为电子万年历电路设计原理图，系统由主控制器 AT89C51、时钟电路DS1302、显示驱动RESPACK-8电路，LM016L液晶显示电路及键扫描电路组成。图2-1 电子万年历电路原理图 2.2系统硬件概述 2.2.1 主控制器AT89C51 ATMEL公司生产的AT89C51单片机采用高性能的静态80C51设计，并采用先进工艺制造，还带有非易失性Flash程序存储器。它是一种高性能、低功耗的8位CMOS微处理芯片，市场应用最多。其主要特点如下： 8KB Flash ROM，可以擦除1000次以上，数据保存10年。 256字节内部RAM；电源控制模式；时钟可停止和恢复；空闲模式；掉电模式； 6个中断源； 4个中断优先级； 4个8位I/O口；全双工增强型TUAR； 3个16位定时/计数器：T0、T1(标准80C51)和增加的T2（捕获和比较）全静态工作方式：0～24MHZ 2.2.2 时钟电路DS1302 DS1302的性能特性：实时时钟，可对秒、分、时、日、周、月以及带闰年补偿的年进行比较；用于高速数据暂存的31*8位RAM；最少引脚的串行I/O； 2.5～5.5V电压工作范围； 2.5V时电流小于300nA；用于时钟或RAM数据读/写的单字节或多字节（脉冲方式）数据传送方式；简单的三线接口；可选的慢速充电（至VCC1）的能力。 DS1302在任何数据传送时必须先初始化，把RST脚置为高电平，然后把8位地址和命令字装入移位寄存器，数据在SCLK的上升沿被访问到。在开始8个时钟周期，把命令字节装入移位寄存器后，另外的时钟周期在读操作时输出数据，在写操作时写入数据。时钟脉冲的个数在单字节方式下为8+8，在多字节方式下为8+字节数，最大可达248字节数。如果在传送过程中置RST脚为低电平，则会终止本次数据传送，并且I/O 引脚变为高阻态。上电运行时，在VCC 2.5V之前，RST脚必须保持低电平。只有在SCLK为低电平时，才能将RST置为高电平。 2.3主要单元电路的设计 2.3.1显示电路显示部分采用普通的LM016L液晶显示，如图2-2，以减少硬件电路。LM016L液晶模块采用hd 44780控制器，hd44780具有简单而功能较强的指令集，可以实现字符移动，闪烁等功能，LM016L与单片机MCU 通讯可采用8位或4位并行传输两种方式，hd44780控制器由两个8位寄存器，指令寄存器（IR）和数据寄存器（DR）忙标志（BF），显示数 RAM（DDRAM），字符发生器ROM（CGOROM）字符发生器 RAM（CGR

BCD工艺的最近发展，特征尺寸的持续缩小：随着半导体工艺的不断进步，BCD工艺的特征尺寸也在不断缩小。这使得BCD芯片可以实现更高的集成度、更低的功耗和更高的性能。目前，90nm的BCD工艺已经开始进入量产阶段，而更小尺寸的工艺也在研发中。新材料和新结构的探索：为了进一步提高BCD工艺的性能，研究者们正在探索使用新材料和新结构。例如，使用宽禁带半导体材料（如SiC和GaN）可以提高器件的耐高温性能和效率；而新型的器件结构（如FinFET和SOI）也可以提高BCD电路的集成度和性能。

下载资源悬赏专区

12,793

社区成员

12,328,875

社区内容

发帖

与我相关

我的任务

其他技术论坛（原bbs）

社区管理员

加入社区

近7日
近30日
至今

加载中

查看更多榜单

社区公告

暂无公告

试试用AI创作助手写篇文章吧

+ 用AI写文章