SRAM芯片is62wv51216

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ISSI IS62WV51216ALL/IS62WV51216BLL是高速8M位静态RAM，组织为512K字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。这种高度可靠的工艺加上创新的电路设计技术，可生产出高性能和低功耗的设备。

当CS1为HIGH（取消选择）或CS2为LOW（取消选择）或CS1为LOW，CS2为HIGH且LB和UB均为HIGH时，器件将处于待机模式，在该模式下，可通过CMOS输入降低功耗水平。

使用芯片使能和输出使能输入可轻松扩展存储器。激活的LOW Write Enable（WE）控制存储器的写入和读取。数据字节允许访问高字节（UB）和低字节（LB）。

IS62WV51216ALL和IS62WV51216BLL封装在JEDEC标准的48引脚迷你BGA（7.2mmx8.7mm）和44引脚TSOP（TYPE II）中。

SRAM芯片型号IS62WV51216，管脚图如下：




IS62WV51216的管脚总的来说大致分为：电源线、地线、地址线、数据线、片选线、写使能端、读使能端和数据掩码信号线。

特征
•高速访问时间：45ns，55ns
•CMOS低功耗运行
–36mW（典型值）运行
–12µW（典型值）CMOS待机
•TTL兼容接口级别
•单电源
–1.65V--2.2V VDD（62WV51216ALL）
–2.5V--3.6V VDD（62WV51216BLL）
•完全静态操作：无时钟或刷新需要
•三态输出
•高低字节数据控制
•可提供工业温度
•无铅

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ISSI IS62WV51216ALL/IS62WV51216BLL是高速8M位静态RAM，组织为512K字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。这种高度可靠的工艺加上创新的电路设计技术，可生产出高性能和低功耗的设备。

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当CS1为HIGH（取消选择）或CS2为LOW（取消选择）或CS1为LOW，CS2为HIGH且LB和UB均为HIGH时，器件将处于待机模式，在该模式下，可通过CMOS输入降低功耗水平。

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ISSI 8Mb LP SRAM芯片 Density Org. Part Number Vcc. Speed(ns) Pkg(Pins) 8Mb 1Mx8 IS62C10248AL 5V 45,55 TSOP2(44),BGA(48) 8Mb 1Mx8 IS62WV10248DALL/BLL 1.65-3.6V 35,45,55 sTSOP1(32),TSOP12(32),BGA(36),SOP(32) 8Mb 512Kx16 IS62WV51216ALL/BLL 1.65-3.6V 45,55 TSOP2(44),BGA(48) 8Mb 512Kx16 IS62C51216AL 5V 45,55 TSOP2(44),BGA(48) 8Mb 512Kx16 IS62/65WV51216EALL/EBLL 1.65-3.6V 35,45,55 sTSOP1(32),TSOP12(32),BGA(36),SOP(32) 8Mb 1Mx8 IS62WV10248EBLL 1.65-3.6V 35,45,55 sTSOP1(32),TSOP12(32),BGA(36),SOP(32) 8Mb 1Mx8 IS65WV10248EALL 1.65-3.6V 35,45,55 sTSOP1(32),TSOP12(32),BGA(36),SOP(32) 8Mb 1Mx8 IS65WV10248EBLL 1.65-3.6V 35,45,55 sTSOP1(32),TSOP12(32),BGA(36),SOP(32) 8Mb 1Mx8 IS62/65WV10248EALL/EBLL 1.65-3.6V 45,55 TSOP2(44),BGA(48)