光子相关生产中顶夸克的脱壳与壳上建模下载

我们提供了对e + veμ− v¯μbbγγ$$ {e} ^ {+} {v} _e {\ mu} ^ {-} {\ overline {v} } _ {\ mu} b \ overline {b} \ gamma $$的最终状态为LHC上ttγ$$ t \ overline {t} \ gamma $$的最终状态。 在QCD的NLO中，我们将夸克衰变链的完整描述与窄宽度近似提供的描述进行了比较。 前一种方法包括所有双重，单个和非谐振图，干涉和顶夸克的脱壳效应。 后者仅包含双重共振贡献，并将不稳定的夸克限制在壳上状态。 我们确认，对于积分横截面，有限的顶部夸克宽度效应较小，并且为OΓt / mt $$ \ mathcal {O} \ left（{\ Gamma} _t / {m} _t \ right）$ $。 但是，我们显示它们得到了更强大的增强，以提供更多专有的可观察性。 此外，我们研究了在生产过程中或在衰变阶段中光子辐射事件的各个部分。 我们发现，大部分孤立的光子来自顶夸克的辐射衰减。 根据我们的发现，可能会开发出选择标准来减少这种影响，这些选择条件构成了测量t tγ$$ t
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