[震惊]STM32 Flash数据丢失问题

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STM32的SRAM和FLASH--概述

1 STM32片内自带SRAM和FLASHFLASH是用来存储程序的,SRAM是用来存储程序运行中的中间变量,通常不同型号的STM32的SRAM和FLASH大小是不相同的,以我手边的STM32F103VET6来看,根据数据手册可以看到  FLASH存储器...

关于STM32F407开发板的几种内存总结,SRAM,FLASH,EEPROM

先抄一抄网上的关于SRAM,FLASH,EEPROM的介绍常见存储器概念:RAM、SRAM、SDRAM、ROM、EPROM、EEPROM、Flash存储器可以分为很多种类,其中根据掉电数据是否丢失可以分为RAM(随机存取存储器)和ROM(只读存储器),...

STM32F10x单片机Flash写操作导致中断不响应问题

昨天遇到一个问题,在写入数据STM32F103单片机的Flash中时会出现串口中断接收数据丢失现象,但是我设置的串口接收中断优先级是最高的,并且没有哪里将全局中断关闭很长时间(除了操作系统部分内核代码执行的时候...

STM32 SRAM 和 Flash 简介

转载自: 关于SRAM 和Flash的简介

STM32操作访问flash,包括写入数据flash和从flash读取数据

STM32中存储区分为:随机存取存储器RAM和只读存储器ROM。 其中: RAM为常说的内存,比如手机的2G内存4G内存等,就是程序跑起来的时候所占用的存储空间,特点是掉电数据丢失。 ROM为常说的硬盘,比如手机的64G和128G...

STM32学习笔记:读写内部Flash

stm32flash地址起始于0x0800 0000,结束地址是0x0800 0000加上芯片实际的flash大小,不同的芯片flash大小不同。RAM起始地址是0x2000 0000,结束地址是0x2000 0000加上芯片的RAM大小。不同的芯片RAM也不同。Flash中...

关于STM32像EPROM一样可以单字节写内部Flash的理解

都有说STM32的内部Flash可以像EPROM一样操作,单个字节单个字节的写入。根据本人的拙见,其实也就仅仅是“像”而已。原因有以下几点: 1.首先Flash这种东西,其写入数据的原理是便是将1变成0,所以你的某地址Flash...

STM32F1_片内FLASH编程

今天总结“STM32F103 片内FLASH编程”,对于学习编程的人来说“FLASH”这个词肯定很熟悉,因为FLASH主要用于存储数据。对于STM32来说,内部FLASH的容量有大有小,从16K到2M不等,主要看芯片的型号。 对于刚从51或者...

STM32】使用STM32cubeMX的库读写FLASH数据

做项目时有时候需要对一些数据进行掉电可存储,一般来说可以把这些数据存储到到EEPROM或FLASH,这次项目中我使用到的芯片是STM32F051C8T6,只有64KB的FLASH,没有EEPROM。这个时候就需要考虑FLASH的读写操作。

STM32F103使用内部Flash保存参数

 在我们应用开发时,经常会有一些程序运行参数需要保存,如一些修正系数。这些数据的特点是:数量少...考虑到这些数据量比较少,使用专门的存储单元既不经济,也没有必要,而STM32F103内部的Flash容量较大,...

STM32 Flash操作(擦写)过程中器件复位导致数据丢失问题

产品在运行过程中需要保存一些断电不丢失数据,为此将数据保存在STM32内部的flash中。但是测试人员在测试的过程中,修改了数据参数,直接断电重启机器,并没有等待flash的操作时间,导致原有的数据丢失。 2. 原理...

STM32F0xx_FLASH编程(片内)配置详细过程

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STM32F103内部FLASH及地址表

在我们应用开发时,经常会有一些程序运行参数需要保存,如一些修正系数。这些数据的特点是:数量少...考虑到这些数据量比较少,使用专门的存储单元既不经济,也没有必要,而STM32F103内部的Flash容量较大,而且ST...

STM32 Flash读写;Flash地址对应的存储内容及方式;

概念:计算机中最小的信息单位是bit,也就是一个二进制位,8个bit组成一个Byte,也就是1个字节, 1个存储单元存放1个字节,每个存储单元...我们常说的flash空间,多少多少K,指的是多少多少K byte 假如我们执行下面

关于STM32F103C8T6内部FLASH容量的问题

STM32中文参考手册的第3页就看到STM32MCU的名命规则如下    显而易见,C8T6应当是LQFP48封装的64k内部FLASH的MCU,但是在使用中发现,我们是可以对超过64K字节的FLASH空间进行读写的,而且MDK默认的下载算法也...

必须知道的stm32内部flash操作细节

1.stm32内部flash写操作只能是两个byte写入,不能一个byte一个byte的写2.写之前需要擦除,擦除后数据均为FF3.内部flash为512kb为大容量,小于512为小容量。在stm32stm32f10x_flash.c里面FLASH_Status FLASH_...

STM32F407 Flash操作笔记

简述STM32F4XX的闪存擦除方式分为两种:扇区擦除(最小单元16K)和整片擦除。在实际应用中,为满足重要信息的存储,需将信息存入FLASH中,针对以上两种擦除方式,扇区擦除更符合实际的需要。

STM32F103 读写内部FLASH—学习笔记(野火)

STM32F103的Flash类型是NOR Flash 烧录过程:调试器→STM32的SRAM→运行→Flash 内部Flash比外部Flash更高效,原因是使用了内部总线,且工作频率是72MHz 256页(页0~页255)*2KB = 512KB 读:一个字节一个字节...

stm32怎样将数组存到flash或SRAM的指定地址

方法:staticconstuint8_ts_acBmpLogo030[len]__attribute__((at(0X800F000)))={0xa0,0xb0,0xc0,...这样就将数据存储到 地址为0X800F000的位置 #include "absacc.h" static const char data[30]__at(0x00001000)= "s...

stm32 中怎样把变量定义到flash

其实写这个是相当于一个记录而已,突然在做字模显示问题,想到如果将字模数据放到内存中的话,难免多了很容易出问题,不如就放在flash中,这样就可以不去改变他 int a;a在内存中 const int a;a在flash中,这个可以...

stm8单片机内部存储EEPROM字节读写实例解析

它是一种可在线电擦除和电写入、掉电后数据丢失的存储器,在嵌入式系统中应用特别广泛。 它在应用中一般存储用户数据,在系统运行过程中可以随时修改,系统复位之后从里面读取的是修改之后的新数据FLASH 存储器...

STM32F103系列内部Flash读写程序

近几天抽空研究了一下STM32的内部Flash操作,之前一直没

利用STM32FLASH模拟 EEPROM(F103)系列

STM32FLASH是用来存储主程序的,ST公司为了... 根据《STM32F10X闪存编程》中的介绍,FLASH除了保存用户代码的部分,其余部分我们是可以利用其作为数据存储使用的。stm32FLASH分为主存储块和信息块。主存储块用...

STM32将常量数组定义到FLASH固定地址

方法:static const uint8_t s_acBmpLogo030[len] __attribute__((at(0X800F000)))={0x80,0xC0,0xC0,0xC0,0xC0,0x80,xxxxxxx} 编译之后可在.map文件看到其分配到的地址 0x0800f000 0x0000005c Data RO 4013...

STM32中的程序在RAM还是FLASH里运行?

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结合固件库探讨STM32读写FLASH步骤、HardFault问题

在单片机系统中,程序的存储一般放在flash中,不易丢失数据一般存放在EEROM中(比如说我们经常使用的AT24C02,、AT24C256),一般情况不建议将频繁读写的数据存放在Flash中,一方面FLASH在单片机中都是1K或2K为一页...

使用STM32的串口进行大量数据传输

最近的一个项目需要用单片机和上位机进行大量数据的传输,每次传输的内容为一个1000*7的矩阵,矩阵中的每个元素都是一个4位有效数字,通过字符的形式保存,(如:1.000占5个字节)简单计算一下,1000*7*5=35000Byte,...

STM32 FLASH的擦写寿命

这个问题,其实从STM32各个型号的datasheet就可以看出来.  对比了几个文档之后,我发现STM32F10x系列的不同型号,他们的最少擦写寿命不一样.仔细对比了下,原来是版本的问题.在老版本中,写的内容如下:  这是老...

STM32的读写flash功能在正式项目还是不要用了。?????还是要用的。

STM32flash的读写次数是1万次。

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