电源： 高能立方 ACDC电源 12V@12W
主控： STM32F103
外围：继电器/485
继电器控制交流接触器，交流接触器控制市电的几十A电流，测试发现，随机性发生Flash内数据丢失的问题（Flash内部划分两个扇区做数据保存，例如ID, 设备运行一段时间后，ID直接丢失，变成FFFF）,不知道是什么问题。
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设备原理图：
电源： 高能立方 ACDC电源 12V@12W
主控： STM32F103
外围：继电器/485
继电器控制交流接触器，交流接触器控制市电的几十A电流，测试发现，随机性发生Flash内数据丢失的问题（Flash内部划分两个扇区做数据保存，例如ID, 设备运行一段时间后，ID直接丢失，变成FFFF）,不知道是什么问题。
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单纯的硬件中，高压电场，放电，打火，变化的强磁场。都会影响 FLASH 的数据丢失。
电子设备如果运行在强电磁场中就需要考虑电磁场的屏蔽。
在你的设计中可能继电器的触点打火会造成FLASH 丢失。
将电路板做好电磁屏蔽处理是解决这个问题的比较好的办法。
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改用固态继电器，无打火，无干扰
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加好隔离及吸收噪声处理。
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1 STM32片内自带SRAM和FLASH，FLASH是用来存储程序的，SRAM是用来存储程序运行中的中间变量，通常不同型号的STM32的SRAM和FLASH大小是不相同的，以我手边的STM32F103VET6来看，根据数据手册可以看到 FLASH存储器...
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转载自： 关于SRAM 和Flash的简介
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- STM32F1_片内FLASH编程
今天总结“STM32F103 片内FLASH编程”，对于学习编程的人来说“FLASH”这个词肯定很熟悉，因为FLASH主要用于存储数据。对于STM32来说，内部FLASH的容量有大有小，从16K到2M不等，主要看芯片的型号。 对于刚从51或者...
- 【STM32】使用STM32cubeMX的库读写FLASH数据
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在我们应用开发时，经常会有一些程序运行参数需要保存，如一些修正系数。这些数据的特点是：数量少...考虑到这些数据量比较少，使用专门的存储单元既不经济，也没有必要，而STM32F103内部的Flash容量较大，...
- STM32 Flash操作（擦写）过程中器件复位导致数据丢失问题
产品在运行过程中需要保存一些断电不丢失的数据，为此将数据保存在STM32内部的flash中。但是测试人员在测试的过程中，修改了数据参数，直接断电重启机器，并没有等待flash的操作时间，导致原有的数据丢失。 2. 原理...
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推荐 分享一个大神的人工智能教程。零基础！通俗易懂！风趣幽默！还带黄段子！希望你也加入到人工智能的队伍中来！http://www.captainbed.net/strongerhuang 我的网站：https://www.strongerhuang.com ......
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- 结合固件库探讨STM32读写FLASH步骤、HardFault问题
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最近的一个项目需要用单片机和上位机进行大量数据的传输，每次传输的内容为一个1000*7的矩阵，矩阵中的每个元素都是一个4位有效数字，通过字符的形式保存，（如：1.000占5个字节）简单计算一下，1000*7*5=35000Byte,...
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这个问题,其实从STM32各个型号的datasheet就可以看出来. 对比了几个文档之后,我发现STM32F10x系列的不同型号,他们的最少擦写寿命不一样.仔细对比了下,原来是版本的问题.在老版本中,写的内容如下: 这是老...
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- 2021计算机408考研大纲.txt
2021计算机408考研大纲 可作为复习参考