英飞凌IGBT莫名损坏!求助!

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英飞凌IGBT参数中文版.pdf

英飞凌各种型号的IGBT内部结构详细讲解,IGBT工作原理讲解,具体讲述IGBT技术参数要点,几乎适用于市面上所有的英飞凌IGBT

英飞凌IGBT选型说明书

适合大功率整流、逆变器IGBT的选型应用

英飞凌IGBT功率损耗计算.docx

英飞凌功率损耗计算方法介绍,英飞凌功率器件的功率损耗计算方法,官网计算。。提供给初学者,谢谢。。。。。。。

英飞凌IGBT驱动经典

英飞凌IGBT驱动经典,最新的驱动设计汇总

IGBT最不为人知的神秘损坏原因!

尤其在使用单相交流电源的电磁炉电路中,千篇一律的采用大同小异的电源电路结构,如图中所示,R1与C1+C2之和的乘积——放电时间常数,远远大于交流电半周期的时间(10毫秒),因此,每个半周期所充的电压都无法在本...

如何正确读懂英飞凌IGBT的资料

IGBT 的参数了解,如何正确读懂英飞凌IGBT的资料,详细介绍了IGBT

三电平igbt死区时间计算_梧州英飞凌infineon国产igbt驱动模块选型资料

梧州英飞凌infineon国产igbt驱动模块选型资料上海意泓电子科技有限责任公司 从刚开始的籍籍无名,到成长为低压电器品牌服务商,一切得益于与一个好的品牌携手,源自于每一位意泓员工的努力,更是基于每一位客户的...

英飞凌IGBT驱动培训资料

的PWM信号输出端,输出连接到装置各IGBT的门极和发射极 ,将装置中的控制电路产生的数字PWM信号进行隔离传输和 电平转换和功率放大,实现控制电路对IGBT进行开通和关断动 作的控制,从而实现装置的功率变换功能。

英飞凌IGBT内部资料

infineon 公司内部资料,讲解IGBT的基本原理,让我们更深地理解

英飞凌IGBT的芯片介绍

英飞凌IGBT选型时的指导,对于初学者来说有很大的帮助

英飞凌IGBT

英飞凌IGBT模块 ff900r12ie4

AURIX TC275/TC234开发----(1) 开发准备工作

TC234/TC275 是英飞凌推出的较新一代AURIX 系列的单核/三核处理器,适合应用于车载控制器的开发,目前在很多车型上有在使用,下面对两种芯片做个简单的分析对比: 1)TC275 该芯片有三个运算核、两个校验核,类似...

kx3552驱动最佳连线图_IGBT驱动电路设计是一个大问题,基础知识要掌握!

英飞凌的网站上的资料也较为齐整,都是英文的兄弟们可参详。IGBT,中文名字为绝缘栅双极型晶体管,它是由MOSFET(输入级)和PNP晶体管(输出级)复合而成的一种器件,既有MOSFET器件驱动功率小和开关...

AURIX TC275/TC234开发----(3) Hightec 入门操作:工程导入和在线仿真

文件内容主要来自 乾勤文档,使用本人自制miniwiggler也可以在实际产品上仿真 1.1导入 Demo 工程 打开file 选项,使用Import 功能导入,或者在左边HighTec Project Explorer窗口右键单击使用Import 功能。...

元器件应用中的英飞凌推出第三代thinQ! SiC肖特基二极管

英飞凌(infineon)科技股份有限公司近日在应用电源电子大会暨展览会(APEC)上推出第三代thinQ! SiC肖特基二极管。全新thinQ!二极管在任何额定电流条件下都具备业界最低的器件电容,可在高开关频率和轻负载条件下提升...

英飞凌-IGBT模块在焊机应用中的选型.pdf

英飞凌-IGBT模块在焊机应用中的选型,介绍了逆变焊机中IGBT模块的损耗特点,在焊机应用中IGBT的选型。

【TC275学习笔记第二篇】Hightec使用教程---导入工程+工程配置

Hightec使用教程 1.打开Hightec软件,正常情况下如下图所示。 2.导入工程。...amp;...找到工程所在路径,最好勾选copy project into workspace,因为复制到你自己的workspace可以随意折腾,不会对源目录代码有影响的。...

英飞凌选型手册

英飞凌选型手册.pdf

IGBT双脉冲测试方法介绍_魏炜.pdf

英飞凌魏炜介绍了IGBT双脉冲测试的方法,以及双脉冲测试平台搭建,实施步骤,二极管反向恢复电流及时间的大小,双脉冲和单脉冲实验的对比,双脉冲实验中关键参数的读取和处理,完成对IGBT杂散电感、母排设计、驱动...

infineon IGBT模块安装说明应用手册

infineon IGBT模块安装说明应用手册

Infineon-SPICE-L1-IGBT_1600V_RC_Soft_Switching_R5-SimulationModels-v01_00-EN.zip

英飞凌IGBTSpice模型

元器件应用中的英飞凌推出性能改进的第三代thinQ! SiC肖特基二极管

英飞凌科技股份有限公司近日在应用电源电子大会暨展览会(APEC)上推出第三代thinQ! SiC肖特基二极管。全新thinQ!二极管在任何额定电流条件下都具备业界最低的器件电容,可在高开关频率和轻负载条件下提升整个系统的...

IGBT模块 技术 驱动和应用 中文版(书签)

IGBT模块 技术 驱动和应用 中文版(书签)主要是讲解IGBT相关工艺及其IGBT驱动设计相关知识,该书是有英飞凌原厂推出的,极具代表性.硬件开发必备

英飞凌推出支持高压、高速IGBT和功率MOSFET的IRS2005

2015年12月11日,德国慕尼黑讯——英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)进一步壮大其200 V驱动IC产品阵容,推出支持高压、高速IGBT和功率MOSFET的IRS2005(S, M)。全新驱动IC能为具有严格空间限制的电机...

嵌入式系统/ARM技术中的英飞凌推出支持高压、高速IGBT和功率MOSFET的IRS2005

2015年12月11日,德国慕尼黑讯——英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)进一步壮大其200 V驱动IC产品阵容,推出支持高压、高速IGBT和功率MOSFET的IRS2005(S, M)。全新驱动IC能为具有严格空间限制的电机...

元器件应用中的英飞凌推出PrimePACK 3封装的紧凑式IGBT模块

英飞凌科技股份公司近日在纽伦堡举行的2010 PCIM欧洲展会上,推出了专为实现最高功率密度和可靠性而设计的新款IGBT模块:采用PrimePACK 3封装、电压为1700 V、电流为1400 A的PrimePACK模块,和EconoDUAL系列的最新...

Infineon-如何正确计算并最大限度减小IGBT的死区时间-cn.pdf

该资源是在英飞凌官网找到大致估算IGBT得死区时间,对于使用H桥驱动的很有帮助。而且这是中文版的。

IGBT模块的损耗计算

描述IGBT损耗产生机理及计算方法的文章

使用IGBT实现“双面水冷”及其发展趋势

IGBT,绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但...

第十五届智能车规则浅谈

作为一名练习时长两年半的练习生,来浅谈下第十五届智能车竞赛规则。 第十五届智能车受疫情影响,终于在千呼万唤中姗姗来迟。细读规则,便会发现今年的智能车和往年有所不同。 今年的组别设置有竞速组4组:基础...

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