flah怎么做循环啊！

Risenly 2003-09-22 05:56:35

比哈说，有一组图片开始播放，从第一贞到120贞，
当放完最后120贞的时候又从第一贞开始放了，这中间看上去好像有一个跳动的过程，好像是从120突然又回到第一贞开始播放了，
怎么样让最后第120贞播完之后与第一贞能够很好的衔接呢？要到达好像是播完第120贞好接着播121贞，其实这里我讲的121贞就是第一贞的那个图片

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Risenly 2003-09-23

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Risenly 2003-09-22

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最后一贞做成一样，那中间的那些贞怎么办啊，
那不是越来越多了，
是不是可以用什么action来做啊

21xxb 2003-09-22

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把第一贞和最后一贞做成一样，一般来说好像第一贞和最后一贞都用一点渐变

zwp0526 2003-09-22

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其实只需在第120贞后面（多控几贞）重新做第一贞的就可以了。

循环读写Flash

写地址增加，当到达第六页最后一条的位置时擦除第一页。第一页写满后擦除第二页开始写新的记录以此类推，大大延长了内部Flash的寿命。读指针的起始地址始终和最新的一条历史记录的的写地址相同，读取顺序恰好和写入顺序相反，每次保证读取的数目总数永远不超过1000条。注意：难点在于和显示搭配时上翻页读取显示和下翻页读取显示时切换读取地址时需要注意跨页时的情况。固定1000条记录写入量，结构体设置需要记录当前写入地址(可以记录写入数量)。2、每次记录完一条新的历史记录后就更新到BKP等类似的寄存器中。

本文探讨了NorFlash实时存储的速度极限及优化方案。首先分析了Flash的基本特性：128MB容量，32K/64K区块擦除时间120-2000ms，256字节页写入时间0.18-3ms。基于循环存储策略，推导出典型条件下最大写入速度可达223KB/s，极端工况下仍能维持17KB/s。为实现高效数据定位，提出了索引区块循环存储方案，通过记录地址索引解决掉电恢复问题，同时平衡擦写损耗。最后结合实际项目需求（20ms周期、50字节/帧）验证了方案的可行性，指出需进一步考虑擦除挂起操作和索引区管理对性能的影响。

承蒙项目和同事的要求，因Flash擦除、写入太过于频繁，所以需要更换Flash地址写数据。背景简介：嵌入式开发，需要关机保存数据，C语言写。用512K Byte Flash。看了一篇网上文章后，借鉴前人的做法，写了以下代码，本人是运用前人原理中的一种（一部分），所以来说，应该看起来更加简单明了。前人源链接如下https://blog.csdn.net/baidu_37541954/arti...

1. FLASH 与 EEPROM 特性对比; 2. FLASH 模拟 EEPROM 的原理; 3. FLASH 模拟 EEPROM优势； 4. EEPROM 适合高频小数据操作，FLASH 适合大容量存储；通过区域划分和磨损均衡技术，FLASH 可模拟 EEPROM 功能，但需在速度、寿命与实现复杂度间权衡。 5. 源代码工程，演示 eepromSoft 功能模块的使用过程及接口介绍，eepromSoft 功能模块可模拟多大10个EEPROM ,方便多类重要数据分开存储；

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