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eprom另类擦除
taoest
2003-10-28 11:22:02
EPROM是用紫外光擦除的。但是我的EPROM芯片被设计成OTP,没有留窗口。有没有擦除方法?大虾们帮帮忙。
我在构思,能不能在持续高温如120度,放20分钟,能不能达到效果呢。
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eprom另类擦除
EPROM是用紫外光擦除的。但是我的EPROM芯片被设计成OTP,没有留窗口。有没有擦除方法?大虾们帮帮忙。 我在构思,能不能在持续高温如120度,放20分钟,能不能达到效果呢。
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tianfang
2003-10-30
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擦除是为了继续用,你很难保证不磨伤芯片,以后怎么用啊
coldsea_2000
2003-10-29
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一般的芯片不能够在120度的高温下工作(除非是一些军品级或汽车级),但是进行20分钟的存储,应该还是承受得住;不过,是否能擦除里面得内容就不知道了;最好能用普通的EPROM调试好,然后再烧进去;
swites
2003-10-29
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otp本身就是一次性的.赞同tianfang(天放)另类的擦除方法!
taoest
2003-10-29
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我想用磨把它磨开,就能看到硅片了,那就能擦除了。哈哈。
taoest
2003-10-29
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谢谢各位大侠,过两天再结帖。
tianfang
2003-10-28
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买一个真正的eprom,otp就是不打算被擦除了
封装材料不一定能够承受120度高温,小心生产有毒物质,如果真做注意保护
另类的擦除方法2
等神州6发射的时候带上去,用宇宙射线照射,估计成功。
UV-E
PRO
M
擦除
器的制作
UV-E
PRO
M的
擦除
操作是通过紫外线进行的。市场上虽然也有
擦除
器销售,但利用市场上销售的紫外线灯(杀菌灯)可以自己制作
擦除
器。制作非常简单,笔者曾经尝试着制作了一个。 1. E
PRO
M
擦除
器的电路 图是笔者尝试制作时使用的E
PRO
M
擦除
器电路,这比真正的电路图简明易懂,是以与实际配线图近似的形式描绘的。紫外线灯也与荧光灯一样具有各种不同的大小和瓦数。如果是个人使用的
擦除
器,则选择较小的紫外线灯即可。我选择了4W的紫外线灯。另外,镇流器、启辉器的选择也要与紫外线灯相匹配。 图 UV-E
PRO
M
擦除
器电路 外壳使用铝盒等现成的盒子即可,只是要注意外壳在
擦除
过程中能保证紫
UV-E
PRO
M的写入与
擦除
写入时,通过给栅极加上高电压vPP,如图1所示,向浮置栅注入电荷。注人后的电荷由于不具备穿透硅氧化膜能壁的能量·因而只能维持现状。 图1 UV-E
PRO
M的写入 当浮置栅接收到紫外线的照射,浮置栅中的电子接收了紫外线光量子的能量,则电子变成具有穿透硅氧化膜能壁能量的热电子。如图2所示,热电子穿透硅氧化膜,流向基板和栅极,恢复为
擦除
状态。UV-E
PRO
M的
擦除
操作,只能通过接收紫外线的照射来进行,而不能进行电子
擦除
。也就是说,UV-E
PRO
M只能够进行由“1”向“0”改变比特数,而在反方向上.除
擦除
芯片全部内容的方法以外,再没有其他的方法。 图2 UV-E
PRO
M
数字逻辑电路 E
PRO
M的固化与
擦除
训练.docx
数字逻辑电路 E
PRO
M的固化与
擦除
训练.docx 学习资料 复习资料 教学资源
UV-E
PRO
M的单元结构
UV E
PRO
M的单元结构如图所示。其基本结构与在下一章中说明的闪速存储器相同。UV-E
PRO
M的存储单元是由MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)构成的,在它的控制栅和N沟道间有一个称为浮置栅的特殊栅极,这是UV-E
PRO
M单元结构的主要特征。 图 UV-E
PRO
M的单元结构 由于浮置栅利用氧化膜使栅极与基板绝缘,使存储于此处的电荷不能被轻易释放,从而达到持续保存记忆的目的。与闪速存储器相同,通过浮置栅中是否存储电荷,利用FET(场效应晶体管)的阈值电压的变化,进行高电平与低电平的判断。一般地讲,UV一E
PRO
M在
擦除
状态(浮置栅中未存储电荷的状态)时,读出“
嵌入式系统/ARM技术中的利用E
PRO
M 引导 Linux
E
PRO
M(Erasable
Pro
grammable ROM,可
擦除
可编程ROM)芯片可重复
擦除
和写入,解决了
PRO
M芯片只能写入一次的弊端。E
PRO
M芯片有一个很明显的特征,在其正面的陶瓷封装上,开有一个玻璃窗口,透过该窗口,可以看到其内部的集成电路,紫外线透过该孔照射内部芯片就可以
擦除
其内的数据,完成芯片
擦除
的操作要用到E
PRO
M
擦除
器。我们要介绍的应用程序是一个显示器上的Operator Interface,它的显示系统是由Boeing Flight Test开发的。飞行环境需要一种可以防止突然性的电源中断的机制。 概况 基本的问题包括从E
PRO
M的SSD(solid stat
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