行业分类-设备装置-具有串联连接的增强模式栅极区域和耗尽模式栅极区域的异质结场效应晶体管器件.zip下载

weixin_39822095 2021-09-13 14:19:04

行业分类-设备装置-具有串联连接的增强模式栅极区域和耗尽模式栅极区域的异质结场效应晶体管器件 , 相关下载链接：https://download.csdn.net/download/programcx/22447124?utm_source=bbsseo

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行业分类-设备装置-具有串联连接的增强模式栅极区域和耗尽模式栅极区域的异质结场效应晶体管器件

一种新的统一分析电荷控制模型被开发出来，用以涵盖异质结场效应晶体管（HFET）中从低于到高于阈值的全部栅极电压范围。该模型基于对二维（2-D）电子气量子化能级的新阐释建立。在低表面电场的极限条件下，该模型可简化为传统的电荷层模型。该模型被用来解释HFET亚阈值区的实验数据，结果显示在非故意掺杂的GaAs缓冲层经过器件制造工艺后，有效受主浓度发生了广泛的变化。

结型场效应晶体管 (JFET) 是一种压控三端子单极半导体器件，具有 N 沟道和 P 沟道配置结型场效应晶体管是一种单极器件，其中两个电极之间的电流由反向偏置 PN 结处的电场作用控制。在双极结型晶体管教程中，我们看到晶体管的输出集电极电流与流入器件基极的输入电流成正比。这使得双极晶体管成为“电流”操作器件（Beta 模型），因为较小的电流可用于切换较大的负载电流。然而，场效应晶体管（或简称 FET）使用施加到其输入端子（称为栅极）的电压来控制流过它们的电流，从而使输出电流与输入电压成正比。

场效应晶体管（Field Effect Transistor，FET）简称场效应管，是一种三端子半导体器件，它根据施加到其其中一个端子的电场来控制电流的流动。与双极结型晶体管 （BJT）不同，场效应晶体管 （FET）使用电场而不是电流来控制电荷的流动。FET 由三个主要组件组成：源极、漏极和栅极。源极负责提供电流，而漏极充当输出端子。另一方面，栅极通过改变电场来控制源极和漏极之间的电流流动。FET 主要分为三种类型：●● 金属氧化物半导体场效应晶体管 （MOSFET）

文章提出的p-GaN/p-AlGaN/AlGaN/GaN HFET结构通过在p-GaN和AlGaN之间插入p-AlGaN层，有效地解决了选择性蚀刻过程中的表面损伤问题，并提高了阈值电压。这种结构不仅提高了器件的性能，还增强了开关操作时的安全性，对于提升增强型GaN HFET的可靠性具有重要意义。此外，文章中的实验数据和模拟结果相互印证，展示了新型结构的优势。

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