CPU电源电路用沟槽栅MOSFET与e-JFET开关管的功耗对比研究.pdf下载

weixin_39820780 2021-09-25 10:01:08

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CPU电源电路用沟槽栅MOSFET与e-JFET开关管的功耗对比.pdf

行业分类-设备装置-具有平台式隔离的应变通道场效应晶体管.zip

MOS器件的重要特性——15个为什么？（一）（1）为什么E-MOSFET的阈值电压随着半导体衬底掺杂浓度的提高而增大？而随着温度的升高而下降？【答】E-MOSFET的阈值电压就是使半导体表面产生反型层（导电沟道）所需要加的栅极电压。对于n沟道E-MOSFET，当栅电压使得p型半导体表面能带向下弯曲到表面势ψs≥2ψB时，即可认为半导体表面强反型，因为这时

是一种用于在PMOS和NMOS晶体管之间实现物理和电气隔离的技术，主要通过打断扩散层的连续性来防止寄生效应。DDB在高密度集成电路射频和模拟电路中尤为重要，因为它可以减少噪声和寄生效应，提高电路性能。DDB与传统的隔离技术（如STI、DTI）相比，具有更高的灵活性和适应性，尤其适用于现代FinFET工艺节点。Via Merging（通孔合并）RVT（Regular Threshold Voltage）MOSFET具有中等的阈值电压，适合平衡功耗和速度的电路应用。LVT。

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