CPU电源电路用沟槽栅MOSFET与e-JFET开关管的功耗对比研究.pdf下载

weixin_39820780 2021-09-25 10:01:08

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CPU电源电路用沟槽栅MOSFET与e-JFET开关管的功耗对比研究.pdf

CPU电源电路用沟槽栅MOSFET与e-JFET开关管的功耗对比.pdf

行业分类-设备装置-具有平台式隔离的应变通道场效应晶体管.zip

本文系统阐述了场效应管（FET）的基本原理、器件参数与应用设计。首先对比了JFET与MOSFET的结构差异，JFET通过PN结控制沟道导电性，MOSFET则利用绝缘栅极电场效应。重点分析了MOSFET的关键参数：绝对最大额定电压/电流/功耗需保留20-30%裕量；热阻和结温限制决定散热设计；雪崩能量表征抗瞬态冲击能力。应用设计部分详解开关时间优化、体二极管续流原理及寄生电容影响，强调高频场景需平衡开关损耗与EMI。最后提出PCB布局要点：缩短大电流路径，优化栅极驱动走线，避免相位信号干扰。全文贯穿降额设计理

按结构分类的MOSFET特性摘要基于各种MOSFET结构的特性和主要应用如表3-2所示。耐受电压：选择目标耐受电压的最佳结构。低导通电阻：U-MOS适用于250V及以下产品，SJ-MOS（或DTMOS）适用于大于250V的产品。高电流：与低导通电阻的趋势相同。高速：U-MOS由于栅极电容（Ciss）大，不利于高速开关。根据产品的不同，利用低导通电阻特性，具有较小“Ron×Ciss”设计的高速开关也实现了商业化。东芝名称U-MOSπ-MOSDTMOS通用名称沟槽栅极MOS。

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