CPU电源电路用沟槽栅MOSFET与e-JFET开关管的功耗对比研究.pdf下载

weixin_39820780 2021-09-25 10:01:08

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CPU电源电路用沟槽栅MOSFET与e-JFET开关管的功耗对比研究.pdf

CPU电源电路用沟槽栅MOSFET与e-JFET开关管的功耗对比.pdf

在使用MOSFET设计开关电源时，大部分人都会考虑MOSFET的导通电阻、最大电压、最大电流。但很多时候也仅仅考虑了这些因素，这样的电路也许可以正常工作，但并不是一个好的设计方案。更细致的，MOSFET还应考虑本身寄生的参数。对一个确定的MOSFET，其驱动电路，驱动脚输出的峰值电流，上升速率等，都会影响MOSFET的开关性能。当电源IC与MOS管选定之后，选择合适的驱动电路来连接电源IC与MOS管就显得尤其重要了。一个好的MOSFET驱动电路有以下几点要求：开关管开通瞬时，驱动电路应能提供足够大的充电电流使MOSFET栅源极间电压迅速上升到所需值，保证开关管能快速开通且不存在上升沿的高频振荡。开关导通期间驱动电路能保证MOSFET栅源极间电压保持稳定且可靠导通。关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压的快速泄放，保证开关管能快速关断。驱动电路结构简单可靠、损耗小。根据情况施加隔离。下面介绍几个模块电源中常用的MOSFET驱动电路。 1、电源IC直接驱动MOSFET 图1 IC直接驱动MOSFET 电源IC直接

MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和MOSFET的参数选择合适的电路。下面一起探讨MOSFET用于开关电源的驱动电路。在使用MOSFET设计开关电源时，大部分人都会考虑MOSFET的导通电阻、最大电压、最大电流。但很多时候也仅仅考虑了这些因素，这样的电路也许可以正常工作，但并不是一个好的设计方案。更细致的，MOSFET还应考虑本身寄生的参数。对一个确定的MOSFET，其驱动电路，驱动脚输出的峰值电流，上升速率等，都会影响MOSFET的开关性能。当电源IC与MOS管选定之后，选择合适的驱动电路来连接电源IC与MOS管就显得尤其重要了。一个好的MOSFET驱动电路有以下几点要求： 1.开关管开通瞬时，驱动电路应能提供足够大的充电电流使MOSFET栅源极间电压迅速上升到所需值，保证开关管能快速开通且不存在上升沿的高频振荡。

功率MOSFET管和IGBT管对其驱动电路有如下要求：　　（1）栅一源驱动脉冲电压的幅值UGS要足够大，为了降低通态电阻或压降，大功率高压MOSFET管和IGBT管功率开关器件的驱动电压要有12～15 V。低压MOSFET也有用逻辑电平4.5 V的。　　（2）要防止栅一源之间的击穿，栅一源之间的击穿电压约为50V，但分散性较大，容易击穿损坏。驱动电路的输出电压UGS，一般应小于20V，为此可以用反向耐压约为20V的肖特基二极管钳位来限制过电压。　　（3）驱动电压“开路脉冲”的边沿要陡。“开路脉冲”是指漏极开路（不接电压），栅一漏电容CGD不起反馈作用时的测试波形，其上升沿和下降沿

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