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CPU电源电路用沟槽栅MOSFET与e-JFET开关管的功耗对比研究.pdf下载
weixin_39820780
2021-09-25 10:01:08
CPU电源电路用沟槽栅MOSFET与e-JFET开关管的功耗对比研究.pdf , 相关下载链接:
https://download.csdn.net/download/jiebing2020/24457571?utm_source=bbsseo
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行业分类-设备装置-具有平台式隔离的应变通道场效应晶体管.zip
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MOS器件的重要特性——15个为什么?
MOS器件的重要特性——15个为什么?(一) (1)为什么E-
MOSF
ET
的阈值电压随着半导体衬底掺杂浓度的提高而增大?而随着温度的升高而下降? 【答】E-
MOSF
ET
的阈值电压就是使半导体表面产生反型层(导电沟道)所需要加的
栅
极电压。对于n沟道E-
MOSF
ET
,当
栅
电压使得p型半导体表面能带向下弯曲到表面势ψs≥2ψB时,即可认为半导体表面强反型,因为这时
场效应管的工作原理
场效应管(Field Effect Transistor, F
ET
)是一种利用电场来控制电流的半导体器件。它主要分为两大类:结型场效应管和绝缘
栅
场效应管。结型场效应管的工作原理基于P型和N型半导体之间的耗尽层。当在源极和漏极之间施加电压时,会在耗尽层中形成一个耗尽区。这个耗尽区的宽度会随着源极和漏极之间的电压变化而变化。通过调整源极和漏极之间的电压,可以控制通过耗尽区的电流大小,从而实现对输出电流的控制。绝缘
栅
场效应管(如
MOSF
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),其工作原理基于在源极和漏极之间形成的导电沟道。
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