MOS管资料汇编[归纳].pdf下载

weixin_39822095 2021-11-03 14:39:22

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提高命中时间、带宽、未命中惩罚和未命中率的技术通常会影响平均内存访问方程的其他组件以及内存层次的复杂性。图2.18总结了这些技术并估计了对复杂性的影响，其中“+”表示该技术改善了某个因素，“%”表示该因素受到影响，空白表示没有影响。通常，没有任何技术在多个类别上都能提供帮助。图2.18 显示了10种高级缓存优化的总结，体现了对缓存性能、功耗和复杂性的影响。尽管通常一个技术只对一个因素有帮助，但如果预取足够提前进行，可以减少未命中；如果没有做到这一点，则可以降低未命中惩罚。

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